【选型】选择HSMT8AG封装的功率MOSFET AG009DGQ3应用于车载机械旋转式激光雷达三相无刷电机中
车载机械旋转式激光雷达三相无刷电机设计一般有两种方案:第一种高成本方案:MCU集成预驱动(如Infineon的TLExxxx)+外置6颗分立MOSFET;第二种低成本方案:MCU(如Renesas的RH850/F1K系列)+预驱动芯片+外置6颗分立MOSFET;两种方案的共同点均会采用外置6颗分立MOSFET设计,那么,此功率MOSFET的选型一般需要考虑哪些参数呢?
1、最大漏源电压(VDSS)考量:12V供电系统,一般需要耐压20V以上;
2、最大持续漏电流(ID)考量;这个需要结合实际设计中的三相无刷电机相电流的值,在激光雷达产品中电机相电流都不大,一般为5A左右,峰值也不会超过10A,故选择的功率mos管的ID电流>10A以上即可;
3、封装尺寸考量:考虑到激光雷达电机单元设计空间非常有限,一般选择单体封装尺寸为3mm x 3mm最佳,当然更小尺寸也可以;
4、更低的导通电阻RDS(ON)
5、通过车规级AEC-Q101认证
针对如上设计考量,本文重点推荐ROHM(罗姆)小尺寸HSMT8AG封装功率MOSFET AG009DGQ3,非常适用于车载激光雷达空间结构有限的设计需求,其实物图和pin脚定义参考如下图1所示,pin4为栅极(G极),pin1~pin3为源极(S极),pin5~pin8位漏极(D极)。
图1:ROHM(罗姆)功率MOSFET AG009DGQ3实物图和pin脚定义示意图
ROHM(罗姆)功率MOSFET AG009DGQ3最大漏源电压(VDSS)为40V,最大持续漏电流(ID)为±30A,最大导通电阻低至8.8mΩ,更大程度上降低导通损耗产生的散热,可满足高功率大电流输出、低发热的设计需求;同时,采用小型化HSMT8AG表面贴装设计,典型封装尺寸仅为3.3mm x 3.3mm,非常适用于激光雷达三相无刷电机单元空间结构有限的设计,其封装尺寸图参考如下图2所示。
图2:ROHM(罗姆)功率MOSFET AG009DGQ3封装尺寸图
最后,再补充一下ROHM(罗姆)功率MOSFET AG009DGQ3的其他核心竞争优势:
1、 采用ROHM独有的引脚结构,栅极引脚面积扩大2倍,从而提高了接合强度,保证车载品质;
2、 栅极引脚的中央实施镀层处理,消除焊接时的润湿性误差,有助于提高安装时的可靠性;
3、 通过车规级AEC-Q101认证。
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型号- 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
对照表 - ROHM
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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