【产品】最大导通内阻仅3.6mΩ的功率MOSFET RH6G040BG，耗散功率高达59W

时间： 2022-08-03 来源：ROHM

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ROHM（罗姆）半导体集团作为半导体、电子零部件的企业,始终坚持“品质第一”的企业宗旨,从事着EEPROM、时钟发生器、复位IC、电机驱动器、电源管理、LED/LCD驱动IC、传感器IC、放大器/比较仪、模拟开关/逻辑、D/A转换器等数字或模拟器件开发，专注与电源和模拟技术研发，并通过满足客户对“节能”和“小型化需求”，来解决社会问题。

ROHM的N通道、P通道MOSFET具有导通电阻低，开关速度快的特点，从小信号MOSFET到功率MOSFET，产品阵容丰富，可用于各种用途。功率MOSFET RH6G040BG就具有超低导通内阻，最大只有3.6mΩ，最大漏极直流电流可达95A，耗散功率达到59W，但是依旧是小型封装，可满足各种大功率开关需求。

产品特点：

低导通电阻
大功率小型封装
无铅焊接，符合RoHS标准
无卤素

应用： 开关

绝对最大额定值（默认T_a=25℃，除非另有说明）

热阻

电气特性（T_a=25℃）

*1 受限于硅芯片能力

*2 Tc=25℃，仅受限于最高允许温度

*3 Pw ≤ 10μs，占空比 ≤ 1%

*4 L⋍0.1mH，V_DD=20V，R_G=25Ω，起始Tj=25℃ Fig，3-1，3-2

*5 铜板上安装尺寸（40×40×0.8mm）

*6 脉冲的

电气特性（T_a=25℃）

体二极管电气特性（源极-漏极）（T_a=25℃）

产品外型：

内部电路：

Source（源极） Gate（栅级）Drain（漏极） Body Diode（体二极管）

包装规格：

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