【经验】如何计算IGBT在一定温度下的最大连续工作电流？

时间： 2020-05-31 来源：ROHM

代理服务

技术支持

批量订货

IGBT的连续工作电流是选型时最先关注的参数，一般规格书会直接给出额定的电流参数，但由于不同封装、不同条件下，实际的连续工作电流参数就需要重新来计算评估，本文将结合ROHM的IGBT管RGT30NL65D，讨论下如何计算IGBT在一定温度下的最大连续工作电流?

如图1所示，从RGT30NL65D的规格书中可以查到其IC电流与壳温TC有关，一般会给出两个温度下的电流值，如表中给出了25℃和100℃的电流值，那么想了解在某个TC温度下，IGBT的IC能够达到多大电流，或者是否存在虚标，需要对其进行进一步的计算。

图1 RGT30NL65D的电气特性参数表

一般情况下I_C电流可以按照下面公式①来计算：

I_C=（T_jmax-T_C）/（R_thjc*V_{CEsat max@Tjmax}）.......... ①

其中R_thjc为IGBT的热阻，T_jmax为IGBT的最大结温，V_{CEsat max@Tjmax}为IGBT在最大结温下的最大饱和压降；以上参数中R_thjc和T_jmax在规格书都能找到，其中RGT30NL65D的R_thjc为1.12 /W，T_jmax为175℃，接下来就是弄清楚V_{CEsat max@Tjmax}的值。

从RGT30NL65D的规格书中可以找到V_CEsat和结温T_j之间的曲线关系，从图中可以得出在175℃下的三组数据：

当I_C =8A时，V_{CEsat max}=1.6V；

当I_C =15A时，V_{CEsat max}=2.2V；

当I_C =30A时，V_{CEsat max}=3.4V；

根据以上关系，可以计算得出：I_C =11.7* V_{CEsat max}-10.5，最终得出公式②

V_{CEsat max}=（I_C +10.5）/11.7………②

图2 RGT30NL65D的V_CEsat和结温T_j之间的关系曲线图

将公式①②结合，取T_C=100℃可得：

I_C²+10.5 I_C-783.5=0，可得出I_C≈23，比规格书中标的15A要大，说明规格书标注有一定余量，参数较为真实。

以上就是如何计算IGBT在一定温度下的最大连续工作电流，需要注意的是计算结果仅作为设计初期阶段的参考，具体的电气性能仍然需要通过实验来进行验证。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Bob提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【经验】SiC-MOSFET与IGBT的区别

本章将针对ROHM推出的SiC-MOSFET与IGBT的区别进行介绍。SiC-MOSFET在Vd-Id特性方面，导通电阻特性的变化呈直线型，因此在低电流范围优于IGBT。SiC-MOSFET的开关损耗大大低于IGBT。

2018-12-24 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】如何计算IGBT单次浪涌电流脉冲的瞬时温升？

为了防止功率器件在工作周期中很快受到热应力损坏，因此需要考虑对瞬时结温降额，可以通过浪涌电流、重复峰值电流和雪崩能量在相应壳温下降额来保证。一般在开关电源中大部分开关管频率都在几十KHZ～几百KHZ 之间，电流波形宽度在1ms 以内，此时如果电流波形幅值小于相应壳温下额定电流

2021-07-09 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

【经验】IGBT栅极充放电平均电流计算，以RGT40TS65DGC11为例说明

在进行IGBT驱动时，假设当驱动脉冲信号加到栅极之前，栅极和发射极之间的初始电压为零。驱动信号的幅值为U，Uge电压由零上升到U时间为Tc，则该电压上升过程可以看成由驱动脉冲对Cge和Cgc两个结电容充电。因此充电电流计算可以分为两部分。第一部分为驱动脉冲对Cge充电，电压由零上升到U，该平均电流为：第二部分为驱动脉冲对Cgc充电，设集电极-发射极电压为Vce，忽略集电极-发射极的导通压降。

2019-11-14 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

RGEX5TS65DGC13 650V 75A场截止沟槽式IGBT规格书

描述- 本资料为ROHM公司生产的RGEX5TS65DGC13型650V 75A Field Stop Trench IGBT的详细数据手册。资料详细介绍了该产品的电气特性、热阻、封装规格、绝对最大额定值、应用领域等，并提供了电气特性曲线图。

型号- RGEX5TS65DGC13

2024.03 - ROHM - 数据手册 - Rev.A 代理服务技术支持采购服务

【IC】ROHM开发出实现业界超低损耗和超高短路耐受能力的1200V IGBT

ROHM面向车载电动压缩机、HV加热器、工业设备用逆变器等应用，开发出符合汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101、1200V耐压、实现了业界超低损耗和超高短路耐受能力的第4代IGBT。此次发售的产品包括4款分立封装的产品（TO-247-4L和TO-247N各2款）和11款裸芯片产品“SG84xxWN”，预计未来将会进一步扩大产品阵容。

2024-11-22 - 产品代理服务技术支持采购服务

详解IGBT IPM的封装：以ROHM第3代IGBT IPM“BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列为例

BM6337xS-xx/BM6357x-xx系列分HSDIP25和HSDIP25VC两种引脚形状。HSDIP25为加长型产品（后缀：-VA），HSDIP25VC为控制侧交错型产品（后缀：-VC）。两者的封装尺寸（不包括引脚）均为38.0mm×24.0mm×3.5mm。另外，两者的引脚数量均为25个。下面分别介绍其外形尺寸、引脚配置、印标和散热器的安装方法。

2023-11-22 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

ROHM（罗姆）IGBT选型指南（英文）

目录- Field Stop Trench IGBT Ignition IGBT

型号- RGSX5TS65HR,RGW50TS65,RGS30TSX2DHR,RGW50TK65,RGTH40TS65,RGW40TK65,RGWX5TS65HR,RGS60TS65DHR,RGW00TS65DHR,RGW40TS65,RGSX5TS65DHR,RGS30TSX2D,RGTH50TS65,RGT20TM65D,RGTH60TS65D,RGT8NS65D,RGW80TS65DHR,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGTH40TK65,RGTH00TK65D,RGT40TS65D,RGT30NS65D,RGW80TS65,RGTVX2TS65,RGT50TM65D,RGW80TK65,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGS50TSX2D,RGT50NS65D,RGC80TSX8R,RGW00TK65D,RGW60TK65D,RGS30TSX2HR,RGS80TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,RGTH80TS65,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS00TS65DHR,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGPR20BM36HR,RGW60TS65EHR,RGW00TS65D,RGT40NS65D,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGW80TS65CHR,RGTH80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,RGTHD40TS65HR,RGS60TS65HR,RGWX5TS65EHR,RGTH80TK65D,RGS80TS65HR,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGTH50TS65D,RGPR20NL43HR,RGW60TS65HR,RGW00TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGT50TS65D,RGW00TS65,RGSX5TS65E,RGW80TS65HR,RGT30NL65D,RGTVX6TS65,RGW80TK65E,RGW80TK65D,RGT30TM65D,RGW80TS65D,RGPR30NS40HR,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGWX5TS65D,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGPR10BM40FH,RGCL60TK60,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGT8BM65D,RGT20NL65,RGTH00TS65D,RGWX5TS65DHR,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGCL60TK60D,RGT8NL65D,RGTH00TK65,RGTV60TK65,RGPR30BM40HR,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,RGS50TSX2HR,RGT20NS65D,RGTVX6TS65D,RGW00TS65EHR,RGT00TS65D,RGTH40TS65D,RGS80TSX2D,RGSX5TS65EHR,RGTH40TK65D,RGPR20NS43HR,RGW60TS65CHR,RGW40TK65D,RGT50NL65D,RGW00TK65,RGW80TS65EHR,RGCL60TS60D,RGW40TS65D,RGS00TS65HR,RGTV80TS65D,RGTH50TK65D,RGTH60TS65,RGW60TS65,RGT16BM65D,RGT16TM65D,RGPR30BM56HR,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGTH00TS65

2022/8/3 - ROHM - 选型指南 - Edition 2022 代理服务技术支持采购服务

IGBT IPM的短路电流保护功能

本文详细介绍了短路电流保护功能（SCP）是通过在IPM外部连接分流电阻并将电阻产生的电压反馈至CIN引脚电路的功能。CIN引脚需要用RC滤波器来防止误动作。短路电流保护仅作用于下桥臂。当短路电流保护功能启动时，需要立即停止运行，避免异常状态。分流电阻值和RC滤波器的时间常数先根据所提供的公式参考推荐值进行设置，最终需要在实际应用产品上确认工作情况后来决定。

2024-07-11 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

ROHM IGBT产品

描述- ROHM公司提供全面的功率器件产品线，包括硅基和碳化硅(SiC)器件。产品涵盖功率器件、模块、IC和智能功率模块。主要产品包括SiC二极管、MOSFET、IGBT、混合MOS、超结MOSFET、FRD、肖特基二极管、分流电阻IC、栅极驱动器和温度/高压监控器。资料中详细介绍了ROHM的IGBT产品路线图、封装路线图、产能计划和产品推荐。

型号- RGTVX2TR65,RGTVX2TS65,RGTV00TR65D,RGTV00TK65,RGTV60TS65,RGTVX2TR65D,RGTV00TR65,RGTV00TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGTV60TK65,RGTV60TS65D,RGTH,RGC SERIES,RGTV,RGS SERIES,RGTVX6TR65,RGP SERIES,RGTVX6TS65,RGT SERIES,RGTVX6TS65D,RGTVX2TS65D,RGTH60TS65D,RGTV80TK65,RGTV80TS65D,RGWS,RGTV00TK65D,RGCL,RGTVX6TR65D,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,RGTV80TK65D

ROHM - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

ROHM（罗姆）IGBT选型指南（中文）

描述- ROHM的IGBT（绝缘栅双极晶体管）产品为高电压、大电流广泛应用的高效化和节能化做出了贡献。

型号- RGSX5TS65HR,RGS30TSX2DHR,RGWS SERIES,MG7110WZ,RGTH40TS65,RGW40TK65,MG6404WZ,RGS60TS65DHR,MH2106WZ,RGW40TS65,RGSX5TS65DHR,MG6307WZ,RGS30TSX2D,MG7107WZ,MH2204WZ,RGTH60TS65D,MG6405WZ,RGTH40TK65,MG7215WZ,RGT40TS65D,RGW80TS65,RGW80TK65,RGT50TM65D,RGW60TS65D,RGTV60TS65D,RGT50NS65D,MG6403WZ,RGCL SERIES,RGS80TSX2HR,SG6610WN,MG6306WZ,RGTH80TS65,MG6305WZ,RGT40TM65D,RGCL80TK60,RGS30TSX2,RGTVX2TS65D,RGS00TS65DHR,RGPR20BM36HR,RGW00TS65D,MG7106WZ,MH2203WZ,RGTH80TK65,RGCL80TS60,RGS80TSX2DHR,RGWS80TS65D,RGPZ10BM40FH,RGT20NL65D,MG7216WZ,RGTH80TK65D,RGWS80TS65,RGS80TS65HR,RGTH50TS65D,RGW60TS65HR,RGW50TK65D,RGS80TS65DHR,RGS80TSX2,RGW00TS65,RGTVX6TS65,RGT30TM65D,RGW80TS65D,MH2206WZ,RGWX5TS65D,RGC,RGPR10BM40FH,RGTV80TK65,RGCL80TK60D,RGS50TSX2DHR,RGTV80TS65,RGTV00TS65D,MG7213WZ,RGT,RGS,RGT20NL65,RGWX5TS65DHR,RGW,RGCL60TK60D,RGPR30BM40HR,MH2107WZ,RGTVX6TS65D,RGTH40TS65D,RGT00TS65D,RGS80TSX2D,MG6308WZ,RGSX5TS65EHR,RGPR20NS43HR,MG7104WZ,RGWSX2TS65D,SG7110WN,RGW40TK65D,MH2205WZ,RGW00TK65,RGS00TS65HR,RGW60TS65,RGT16BM65D,RGT16TM65D,MG7214WZ,RGW60TK65,RGTV80TK65D,RGW50TS65,MG7901WZ,RGW50TK65,RGC SERIES,RGWX5TS65HR,RGW00TS65DHR,MH2208WZ,RGTH50TS65,RGT20TM65D,MH2101WZ,RGWS00TS65D,RGW80TS65DHR,RGT8NS65D,RGPR50NL45HRB,RGTH60TK65D,RGT40NL65D,RGW□80TS65DHR,RGWS60TS65D,RGTH00TK65D,RGTH SERIES,RGT30NS65D,MG7211WZ,RGTVX2TS65,RGW SERIES,RGTV60TK65D,RGT16NL65D,RGS50TSX2D,RGTH,RGTV,RGC80TSX8R,RGW60TK65D,RGW00TK65D,RGS SERIES,RGS30TSX2HR,RGTH50TK65,RGW00TS65CHR,MG7102WZ,MH2207WZ,RGW60TS65EHR,RGT40NS65D,MG7209WZ,RGW80TS65CHR,SH2102WN,RGTH80TS65D,RGCL,RGS60TS65HR,RGWX5TS65EHR,MG7405WZ,MG7212WZ,RGT80TS65D,RGPZ30BM56HR,RGPR20NL43HR,RGW00TS65HR,RGT50TS65D,MG6402WZ,RGW80TS65HR,RGSX5TS65E,RGT30NL65D,MH2104WZ,MG7109WZ,RGW80TK65E,RGW80TK65D,MH2201WZ,RGPR30NS40HR,MG6304WZ,RGS00TS65EHR,RGW60TS65DHR,RGW50TS65D,RGCL60TS60,RGT8TM65D,RGS50TSX2,RGCL60TK60,SH2103WN,RGCL80TS60D,RGTV00TK65D,RGT8BM65D,RGTH00TS65D,RGTV SERIES,RGTV60TS65,RGTV00TK65,RGWX5TS65,RGTV00TS65,RGT8NL65D,RGTH00TK65,MG7902WZ,RGTV60TK65,RGTH60TK65,RGT60TS65D,RGT16NS65D,MG6401WZ,RGT SERIES,RGT20NS65D,RGS50TSX2HR,MH2103WZ,RGWS60TS65,RGWSX2TS65,RGW00TS65EHR,SG6612WN,RGTH40TK65D,RGW60TS65CHR,MG6303WZ,MH2209WZ,MG7108WZ,RGT50NL65D,MH2102WZ,RGW80TS65EHR,RGWS00TS65,MG7210WZ,RGW40TS65D,RGCL60TS60D,SH2104WN,RGTV80TS65D,RGTH60TS65,RGTH50TK65D,RGWS,RGPR30BM56HR,RGTH00TS65

2024/2/27 - ROHM - 选型指南代理服务技术支持采购服务

RGTVX2TS65GC13 650V 60A场截止沟槽式IGBT规格书

描述- 本资料为ROHM公司生产的RGTVX2TS65GC13型650V 60A场停 trench IGBT器件的数据手册。内容包括了该产品的电气特性、热阻、封装规格、绝对最大额定值和应用电路图等详细信息。

型号- RGTVX2TS65GC13

2023.03 - ROHM - 数据手册 - Rev.A 代理服务技术支持采购服务

IGBT（绝缘栅双极晶体管）什么是热模型？申请说明

描述- 本文详细介绍了热模型的概念及其在SPICE模拟中的应用。首先，解释了热阻的定义，将其与欧姆定律进行类比，并说明了如何将热电路转换为等效的电气电路。接着，阐述了热模型的构建过程，包括实际测量、结构函数的计算以及热阻和热容的表达。最后，介绍了如何从ROHM官网获取热模型，并强调了在使用热模型时的注意事项。

型号- T3STER,RGTVX6TS65D

DECEMBER 2019 - ROHM - 应用笔记或设计指南 - Rev.001 代理服务技术支持采购服务