【产品】英诺赛科新推40V双向GaN HEMT器件，导通电阻仅4.8mΩ，可用于智能手机充电保护

时间： 2022-09-22 来源：英诺赛科官网

技术问答

Innoscience可提供基于高性能、低成本硅基氮化镓电源解决方案的全球能源生态系统，在2022年9月1日宣布推出Bi-GaN系列双向GaN HEMT器件，可节省空间并促进快速充电，而不会受到传统硅器件中的可靠性限制和温度升高带来的潜在危险。

Innoscience还透露，领先的消费电子和移动通信公司OPPO正在其手机中使用新的BiGaN器件来控制电池的充电和放电电流。这是第一次将这种基于GaN技术的保护装置包含在手机本身中，而此前该电路必须集成在充电器内部。

一直以来，硅MOSFET一直被用作手机中的电源开关。然而，这些传统器件不仅占据了手机主PCB上的相当大且寸土寸金的空间，而且在快速充电时，它们还可能导致相当大的温度升高和功率损失。InnoGaN具有高频、高效率和低电阻等优点，这对于高效充电至关重要。

得益于InnoGaN的低R_DS(on)，以及没有寄生二极管的优点和Innoscience的BiGaN技术独特的双向特性，一个BiGaN HEMT可用于替代共源极背靠背连接的NMOS MOSFET配置，实现电池充电和放电电流的双向切换。这使得导通电阻降低了50%，芯片尺寸降低了70%，温升降低了40%。

Innoscience发布的第一款BiGaN器件是INN040W0488，这是一款采用WLCSP封装的40V双向GaN-on-silicon HEMT，尺寸为2.1mm x 2.1mm。该芯片支持双向开关，导通电阻低至4.8mΩ。BiGaN的目标应用包括智能手机充电的过压保护电路、高侧负载开关电路和多电源系统的开关电路。Innoscience还在努力将双向系列器件的电气参数扩展到更低的通态电阻和更高的电压。

近日，在广东第一届Plug大会UFCS技术研讨会上，OPPO确认其正在手机内部使用Innoscience的BiGaN HEMT，使其成为全球首家使用BiGaN作为直接充电负载开关的手机制造商。OPPO表示，BiGaN产品不仅节省手机内部宝贵空间，还同时降低手机在充电过程中的温升。这可以在快速充电期间保持更舒适的温度，延长快速充电的可能持续时间，并提供更好的用户体验。OPPO还宣布，未来量产的手机型号也将采用BiGaN双向技术。这是智能手机行业的重大发展，也是GaN技术首次进入手机内部。

Innoscience产品开发高级副总裁Yi Sun评论说：“BiGaN产品在智能手机中的应用标志着GaN新时代的到来。我们很高兴也很荣幸OPPO宣布在其板级快速充电电路中使用我们创新的双向HEMT。我们期待进一步合作，提供具有先进性能的解决方案。”

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