【产品】-28A/-30V的P沟道功率MOSFET DI028P03PT, 采用QFN3×3封装
DIOTEC推出的商用级P沟道功率MOSFET DI028P03PT，采用QFN3×3封装，尺寸小，使用薄型封装，节省空间，具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为-30 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为40 W，允许通过的漏极持续电流为-28 A（TC = 25°C ），漏极峰值电流为-80 A。工作结温和存储温度范围-55~+150︒C，主要应用于电源管理单元、电池供电设备、负载开关、极性保护等。
典型应用：
电源管理单元
电池供电设备
负载开关，极性保护
主要特征：
采用节省空间的微型封装
低剖面高度
低导通电阻
快速开关
低栅极电荷
符合ROHS、REACH标准和冲突矿物法
图1. 产品封装及内部结构图
机械参数：
盘带包装：5000/13”
重约0.1 g
外壳材料阻燃等级：UL 94V-0
焊接和组装条件：260℃/10s，MSL=1
最大额定值：
参数表（静态）：
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由翊翊所思翻译自Diotec，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】N/P沟道功率MOSFET DI045N03PT和DI035P04PT，采用QFN3x3小型封装，可节省空间
Diotec推出DI045N03PT型N沟道功率MOSFET和DI035P04PT型P沟道功率MOSFET，采用QFN3x3小型封装，具有高速开关特性和低栅极电荷，可用于电源管理单元，电池供电的设备和负载开关，极性保护等领域。
新产品 发布时间 : 2020-11-03
【产品】-50A/-30V的P沟道功率MOSFET DI050P03PT, 采用QFN3×3封装
Diotec推出的商用级P沟道功率MOSFET DI050P03PT，采用QFN3×3封装，尺寸小，剖面低，节省空间，具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为-30 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为40 W，允许通过的漏极持续电流为-50 A（TC = 25°C ），漏极峰值电流为-200 A。工作结温和存储温度范围-55~+150︒C。
新产品 发布时间 : 2020-12-16
【产品】-60V/-20A的P沟道功率MOSFET DI020P06PT， 功率耗散为29.7W
Diotec推出的商用级/工业级P沟道功率MOSFET DI020P06PT，采用节省空间的小尺寸QFN3×3（DFN3030）薄型封装；具有低导通电阻、低栅极电荷和快速开关时间的特点。电气参数方面，漏极-源极电压为-60 V，栅极-源极电压为±20V，功率耗散为29.7W，允许通过的漏极持续电流为-20 A（TC=25°C，RDS(on)=36 mΩ）。
新产品 发布时间 : 2022-03-22
【产品】-30V/-35A的P沟道功率MOSFET CJAB35P03，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性
长晶科技推出一款采用PDFNWB3.3×3.3-8L封装的P沟道功率MOSFET——CJAB35P03，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，广泛适用于多种应用。
产品 发布时间 : 2023-05-16
【产品】采用SOT-23封装的P沟道低压MOSFET SI2301，适用于低功率DC-DC转换器和负载开关
合科泰电子推出一款采用SOT-23封装的P沟道低压MOSFET SI2301，具有低导通电阻等特点。在TA=25℃的条件下，其漏源电压为-20V，栅源电压为±10V，连续漏极电流为-2.0A（TJ=25°C)。
产品 发布时间 : 2022-08-30
【应用】P沟道增强型功率MOSFET HM9435B可用于负载开关，栅极阈值电压典型值低至-0.7V
虹美功率半导体推出的P沟道增强型功率MOSFET HM9435B漏源导通电阻小，栅极阈值电压低，采用SOP-8贴片封装，可以增强负载开关的通流能力，提高负载开关的工作效率，降低了负载开关成本，非常适合作为负载开关器件。
应用方案 发布时间 : 2023-05-14
【产品】连续漏极电流达-4.1A的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407，适用于负载开关及PWM应用
上海贝岭推出的P沟道增强型功率MOSFET BLM3407系列，器件采用先进的沟槽工艺技术，提供出色的漏源导通电阻RDS(ON)，低栅极电荷以及低至4.5V的栅极电压等特性，器件适用于负载开关及PWM应用领域。
产品 发布时间 : 2023-07-04
【应用】国产P沟道MOSFET TTD70P04AT成功用于电机电源控制板作负载开关，导通电阻仅5.5mΩ
本项目是一个电机电源控制板，主要功能是控制4个200W的大功率直流电机的供电电源，电机供电电源24V，4个电机的工作电流大约30A左右。由于是在电源正极对电机负载进行开关控制，所以最适合选PMOS作为电源开关控制器件。通过选型对比，选择无锡紫光微的TTD70P04AT。
应用方案 发布时间 : 2022-03-29
【产品】最大漏源电压为-20V的P沟道功率MOSFET AP2333，适用于负载开关及PWM应用
铨力半导体推出的型号为AP2333的P沟道功率MOSFET，通过了无铅认证，采用了先进沟槽技术，采用表面贴装的SOT-23封装方式，静态漏源导通电阻RDS(ON)小于30mΩ（VGS=-4.5V，ID=-6A时），是负载开关或PWM应用的理想选择。
产品 发布时间 : 2021-12-22
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论