【产品】1200V/24A N沟道SiC功率MOSFET型号SCT3105KR,具有低导通电阻特性,可应用于太阳能逆变器

2019-08-26 ROHM
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ROHM公司推出的N沟道SiC功率MOSFET型号SCT3105KR,该MOSFET具有低导通电阻、开关速度快与快速反向恢复等特征,且易于驱动,符合RoHS标准,可应用于太阳能逆变器,DC / DC转换器等应用领域。功率MOSFET采用TO-247-4L封装,产品外观如图1所示。


图1 产品外观图



图2 产品电路结构


表1 MOSFET的最大额定值


在MOSFET并联应用中,需要关注并联电路的电流分配不均匀问题,选择优良性能的MOSFET以及合适的外部驱动至关重要。SCT3105KR在结构设计上具有易于并联,驱动简单等优势,可以缩减产品开发时间。该型号MOSFET的漏源电压VDSS为1200V, 连续漏极电流ID在Tc=25°C条件下为24A,在Tc=100°C条件下为17A;在VGS=18V,ID=7.6A,Tj=25°C条件下漏源导通电阻典型值为105mΩ,最大值为137mΩ。功率损耗PD为134W。因此,产品采用SiC材料,相比硅、砷化镓等材料,具有低导通电阻和低功耗的特征,使得MOSFET在实际的运行过程中能够减少功率损耗,提高产品应用的竞争力。


图3为MOSFET的开关时间曲线,MOSFET的上升时间典型值为12ns,下降时间典型值为10ns。产品的反向恢复时间trr典型值为13ns,具有反向恢复速度快速的优良特性,可实现高速开关运行。MOSFET的反向转移电容Crss典型值为28pF(VGS = 0V,VDS = 800V,f = 1MHz),拥有较强的抗闩锁能力。


图3 MOSFET开关时间曲线


在温度特性方面,该型号MOSFET的结温为175℃,存储温度范围为-55℃~175℃,MOSFET能够在不同的温度范围条件下可靠工作,从而保证在电机应用,感应加热等应用中的稳定性。产品的结壳热阻RthJC典型值为0.86°C/W,最大值为1.12°C/W。因此,产品能够大功率整流电路设计中可靠工作,用户可以放心使用。


MOSFET的产品特性:

低导通电阻

开关速度快

反向恢复速度快

易于并联

•驱动简单

无铅镀层符合ROHS标准 


MOSFET品的典型应用:

·太阳能逆变器

·DC / DC转换器

·开关电源

·感应加热

·电机驱动

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