【产品】1200V/24A N沟道SiC功率MOSFET型号SCT3105KR，具有低导通电阻特性，可应用于太阳能逆变器
ROHM公司推出的N沟道SiC功率MOSFET型号SCT3105KR，该MOSFET具有低导通电阻、开关速度快与快速反向恢复等特征，且易于驱动，符合RoHS标准，可应用于太阳能逆变器，DC / DC转换器等应用领域。功率MOSFET采用TO-247-4L封装，产品外观如图1所示。
图1 产品外观图
图2 产品电路结构
表1 MOSFET的最大额定值
在MOSFET并联应用中，需要关注并联电路的电流分配不均匀问题，选择优良性能的MOSFET以及合适的外部驱动至关重要。SCT3105KR在结构设计上具有易于并联，驱动简单等优势，可以缩减产品开发时间。该型号MOSFET的漏源电压VDSS为1200V, 连续漏极电流ID在Tc=25°C条件下为24A，在Tc=100°C条件下为17A；在VGS=18V，ID=7.6A，Tj=25°C条件下漏源导通电阻典型值为105mΩ，最大值为137mΩ。功率损耗PD为134W。因此，产品采用SiC材料，相比硅、砷化镓等材料，具有低导通电阻和低功耗的特征，使得MOSFET在实际的运行过程中能够减少功率损耗，提高产品应用的竞争力。
图3为MOSFET的开关时间曲线，MOSFET的上升时间典型值为12ns，下降时间典型值为10ns。产品的反向恢复时间trr典型值为13ns，具有反向恢复速度快速的优良特性，可实现高速开关运行。MOSFET的反向转移电容Crss典型值为28pF（VGS = 0V，VDS = 800V，f = 1MHz），拥有较强的抗闩锁能力。
图3 MOSFET开关时间曲线
在温度特性方面，该型号MOSFET的结温为175℃，存储温度范围为-55℃~175℃，MOSFET能够在不同的温度范围条件下可靠工作，从而保证在电机应用，感应加热等应用中的稳定性。产品的结壳热阻RthJC典型值为0.86°C/W，最大值为1.12°C/W。因此，产品能够大功率整流电路设计中可靠工作，用户可以放心使用。
MOSFET的产品特性：
•低导通电阻
•开关速度快
•反向恢复速度快
•易于并联
•驱动简单
•无铅镀层，符合ROHS标准
MOSFET产品的典型应用：
·太阳能逆变器
·DC / DC转换器
·开关电源
·感应加热
·电机驱动
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