【产品】漏极电压高达80V的N沟道功率MOSFET器件CHT-NMOS8001，最大直流漏极电流为1A
CISSOID是比利时一家专注高温半导体及电力电子技术的IC设计公司，其推出的CHT-NMOS8001是一款中等功率的80V/1A N沟道功率MOSFET，可在极宽的温度范围内实现高性能，典型工作温度范围为-55°C~+225°C。CHT-NMOS8001采用微型TDFP16密封陶瓷SMD封装，等效电路图如下。
产品特征
• 温度范围： -55°C~+225°C (Tj)
• 漏极电压高达80V
• 最大直流漏极电流：1A
• 最大脉冲漏极电流：3A @ 225°C
5.2A @ 25°C
• RDSon（典型值）：1.56Ω @ 225°C
0.76 Ω @ 25°C
• VGS： -5.5V~+5.5V
• 栅极和源极之间的反向串联ESD二极管允许VGS为负电压
• 提供微型TDFP16(5x5.5mm) 密封陶瓷SMD封装
• 在225°C下验证1000小时（仍在进行中）
产品应用
• 航空航天
• 汽车
• 石油和天然气
• 测井
直流特性
除非另有说明，Tj=25°C。 粗体数字表示在整个温度范围内有效的值（Tj=-55°C~+225°C）
动态特性
除非另有说明，Tj=25°C。 粗体数字表示在整个温度范围内有效的值（Tj=-55°C~+225°C）
开关特性
除非另有说明，Tj=25°C。 粗体数字表示在整个温度范围内有效的值（Tj=-55°C~+225°C）
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