【产品】漏极电压高达80V的N沟道功率MOSFET器件CHT-NMOS8001,最大直流漏极电流为1A

2022-03-29 CISSOID
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CISSOID是比利时一家专注高温半导体及电力电子技术的IC设计公司,其推出的CHT-NMOS8001是一款中等功率的80V/1A N沟道功率MOSFET,可在极宽的温度范围内实现高性能,典型工作温度范围为-55°C~+225°C。CHT-NMOS8001采用微型TDFP16密封陶瓷SMD封装,等效电路图如下。

产品特征

• 温度范围: -55°C~+225°C (Tj)

• 漏极电压高达80V

• 最大直流漏极电流:1A

• 最大脉冲漏极电流:3A @ 225°C

                                 5.2A @ 25°C

• RDSon(典型值):1.56Ω @ 225°C

                                  0.76 Ω @ 25°C

• VGS: -5.5V~+5.5V

• 栅极和源极之间的反向串联ESD二极管允许VGS为负电压

• 提供微型TDFP16(5x5.5mm) 密封陶瓷SMD封装

• 在225°C下验证1000小时(仍在进行中)


产品应用

• 航空航天

• 汽车

• 石油和天然气

• 测井


直流特性

除非另有说明,Tj=25°C。 粗体数字表示在整个温度范围内有效的值(Tj=-55°C~+225°C)

动态特性

除非另有说明,Tj=25°C。 粗体数字表示在整个温度范围内有效的值(Tj=-55°C~+225°C)

开关特性

除非另有说明,Tj=25°C。 粗体数字表示在整个温度范围内有效的值(Tj=-55°C~+225°C)

产品订购信息

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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