【选型】国产四通道单刀双掷CMOS模拟开关SGM5018YTSTR用于5G基站射频控制信号的切换,导通内阻4.5Ω
5G基站采用MIMO的方式,通常有2T2R 4T4R 8T8R 32T32R 64T64R。发射的射频信号都需要经过一定的调节,保证其发射功率的稳定和其线性度,因此在多通道的控制链路上需要一颗多通道的模拟开关。客户需要一颗四通道单刀双掷CMOS模拟开关,电压范围为1.8V~5.5V,推荐圣邦微的SGM5018YTSTR。
SGM5018YTSTR的关键参数如下表格:
SGM5018YTSTR封装图:
图1 SGM5018YTSTR封装图
SGM5018YTSTR采用单电源电压供电,电压范围为1.8V~5.5V,适合低电压系统的设计。以下是相关应用优势:
1、导通内阻仅有4.5Ω(典型值),低的导通阻抗能有效减小信号衰减,这样能够较少影响射频信号的控制。
2、功耗典型值小于0.01μW,减少整体系统的功耗,降低系统的热损耗。
3、采用COMS工艺和紧凑的TSSOP-16封装,可以减少PCB的面积,优化产品的体积。
4、支持TTL/CMOS电平,具有出色兼容性,简化了用户设计。
综上,SGM5018YTSTR作为射频控制信号的切换是个很不错的选择。
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型号- 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【元件】新品速递!铭普光磁推出19英寸模块化储能系统,最大输出功率5760W,助力5G基站节费
mentech铭普光磁模块化储能系统通过模块化设计、支持多种电池接入以及实时监控功能,助力运营商提升能效,实现绿色能源的可持续发展。铭普光磁多年来致力于通信网络能源领域的研究,成功研发出了模块化储能系统,该系统把双向DC/DC变换部分做成模块,DC/DC变换模块和储能电池模块为两个独立的部分。
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型号- SGM7SZ08YXDM6G/TR,SGM7SZ08YN5G/TR,SGM7SZ08,SGM7SZ08YUDL6G/TR,SGM7SZ08YC5G/TR
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NISSHINBO“NT1819”拥有长年积累的射频器件技术,在5G使用的sub-6频段实现了60dB以上的高隔离度,可以减少相邻器件之间的干扰。此外,内置 50Ω 终端功能,可防止阻抗不匹配。这些特性和功能增强了5G通信网络的稳定性,用途广泛。
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型号- SGM3798YG/TR,SGM3798
5G基站关键射频参数的测量
基站是5G无线接入网络中的重要节点,其射频性能与5G网络覆盖范围、服务质量等指标高度相关。本文中普尚详细介绍了5G基站的射频测试标准和方法,给出了射频传导测试方法以及测试环境构建中的注意事项。
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YXC石英有源差分可编程晶振YSO210PR,频点200MHZ,小数点可精确至后6位,应用于5G基站
晶振在5G基站的作用是提供精准信号源与之配合,以协作模式实现设备之间借由网络渠道达到数据高速传输(交换)的目的。针对5G基站的需求YXC推出的差分可编程振荡器YSO210PR系列中OA2EIB112-200M这颗料,本文介绍了OA2EIB112-200M的典型参数及其在5G基站中的应用特点。
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