【选型】国产四通道单刀双掷CMOS模拟开关SGM5018YTSTR用于5G基站射频控制信号的切换，导通内阻4.5Ω

时间： 2023-03-28 来源：世强

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5G基站采用MIMO的方式，通常有2T2R 4T4R 8T8R 32T32R 64T64R。发射的射频信号都需要经过一定的调节，保证其发射功率的稳定和其线性度，因此在多通道的控制链路上需要一颗多通道的模拟开关。客户需要一颗四通道单刀双掷CMOS模拟开关，电压范围为1.8V~5.5V，推荐圣邦微的SGM5018YTSTR。

SGM5018YTSTR的关键参数如下表格：

SGM5018YTSTR封装图：

图1 SGM5018YTSTR封装图

SGM5018YTSTR采用单电源电压供电，电压范围为1.8V~5.5V，适合低电压系统的设计。以下是相关应用优势：

1、导通内阻仅有4.5Ω（典型值），低的导通阻抗能有效减小信号衰减，这样能够较少影响射频信号的控制。

2、功耗典型值小于0.01μW，减少整体系统的功耗，降低系统的热损耗。

3、采用COMS工艺和紧凑的TSSOP-16封装，可以减少PCB的面积，优化产品的体积。

4、支持TTL/CMOS电平，具有出色兼容性，简化了用户设计。

综上，SGM5018YTSTR作为射频控制信号的切换是个很不错的选择。

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型号- SGM5018,SGM5018YTS,SGM5018YTS/TR

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