【产品】150/15A N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，封装为DFN5×6

时间： 2020-05-05 来源：扬杰科技

代理服务

技术支持

采购服务

扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出N沟道增强型场效应晶体管 YJG15N15B，采用DFN5×6的封装设计，漏源电压为150V，漏极电流为15A(TA=25℃)，其产品图如图1。

图1 产品图和内部电路图

产品概述：

● VDS= 150V

● ID=15A

● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜75 mohm

● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜88 mohm

产品特点：

●分栅沟道MOSFET技术

●高速电源开关，逻辑电平

●增强的体二极管dv / dt功能

●增强了雪崩强度

●已通过100％UIS测试，100％Rg测试

产品应用：

●SMPS中的同步整流

●硬开关和高速电路

●电动工具

●不间断电源（UPS）

●电机控制

表1 最大额定值

表2 电气特性

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由民工翻译自扬杰科技，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【产品】20V/60A的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用沟槽功率低压MOSFET技术

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJD60N02A，采用TO-252封装。采用沟槽功率低压MOSFET技术、低RDS(ON)的高密度单元设计及良好的散热封装，可用于大电流负载应用、负荷开关、硬开关和高频电路、不间断电源等领域。

2020-12-28 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】150/25A的N沟道增强型场效应晶体管YJD25N15B，封装为TO-252

扬杰科技的N沟道增强型场效应晶体管YJD25N15B，采用TO-252的封装设计，漏源电压为150V，漏极电流为25A(Tc=25℃)，总耗散功率为52W，结温和储存温度范围均为-55~150℃。

2020-06-21 - 新产品代理服务技术支持采购服务

【产品】100V/70A的N沟道增强型场效应晶体管YJP70G10B，开关损耗极低

扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJP70G10B，采用TO-220封装。具有RDS(on)与FOM值低，极低的开关损耗，优异的稳定性和均匀性等特性，支持快速切换和软恢复。

2020-12-20 - 新产品代理服务技术支持采购服务

YJQ029N06AHQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJQ029N06AHQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件具有高密度设计以降低导通电阻，适用于电源开关应用、不间断电源和直流-直流转换器。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJQ029N06AHQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,12V汽车系统,12V AUTOMOTIVE SYSTEM,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

31-May-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG110G10B N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG110G10B型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性能。它适用于电源开关应用，如不间断电源和DC-DC转换器。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG110G10B,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

24-Oct-23 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务

YJG2D0G04AQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料详细介绍了YJG2D0G04AQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、应用领域和电气特性。该产品采用分割栅槽MOSFET技术，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的散热性能，适用于电源开关应用、不间断电源和DC-DC转换器等领域。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG2D0G04AQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

19-Oct-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG40G10AQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG40G10AQ型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的技术规格和应用。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG40G10AQ,DC-DC CONVERTER,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,电源切换,POWER SWITCHING,DC-DC变换器

9-Feb-22 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJG60G10A N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG60G10A型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元设计以实现低RDS(ON)，适用于电源开关应用和高频电路。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG60G10A,HIGH FREQUENCY CIRCUITS,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,高频电路,HARD SWITCHED CIRCUITS,硬开关电路

24-Oct-23 - 数据手册 - Rev.3.4 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

YJG5D0G10H N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG5D0G10H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有高密度单元格设计以降低导通电阻，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG5D0G10H,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

3-Sep-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJD45G10AQ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJD45G10AQ型号的N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）。该器件具有低导通电阻、极低的开关损耗、快速切换和软恢复等特点。适用于电源转换应用，如硬开关和高频电路。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD45G10AQ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,电源切换,直流-直流变换器,POWER SWITCHING,DC-DC CONVERTOR

08-Dec-22 - 数据手册 - Rev.2.1 代理服务技术支持采购服务

YJG175G06AR N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJG175G06AR这款N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散耗能力，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJG175G06AR,PD CHARGE,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,PD充电,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

31-Aug-23 - 数据手册 - Rev.1.2 代理服务技术支持采购服务

YJB6D8G15H N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJB6D8G15H型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品特性、电气参数和应用领域。该器件采用分割栅槽式MOSFET技术，具有低导通电阻和高热散性等特点，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJB6D8G15H,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

3-Sep-24 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJL3099AJ N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJL3099AJ型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、特性参数和应用领域。该器件采用 trench 功率 LV MOSFET 技术，具有低导通电阻和高热散耗能力，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJL3099AJ,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

09-Jan-23 - 数据手册 - Rev.1.0 代理服务技术支持采购服务

YJD110G06B N沟道增强型场效应晶体管

本资料介绍了YJD110G06B型N沟道增强型场效应晶体管（MOSFET）的产品概要、技术规格和应用领域。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热散性，适用于电源开关应用。

扬杰科技 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE FIELD EFFECT TRANSISTOR,N沟道增强型场效应晶体管,YJD110G06B,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLY,不间断电源,POWER SWITCHING APPLICATION,电源切换应用,直流-直流变换器,DC-DC CONVERTOR

25-May-22 - 数据手册 - Rev.1.1 代理服务技术支持采购服务