【产品】150/15A N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，封装为DFN5×6
扬杰科技专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。其推出N沟道增强型场效应晶体管YJG15N15B，采用DFN5×6的封装设计，漏源电压为150V，漏极电流为15A(TA=25℃)，其产品图如图1。
图1 产品图和内部电路图
产品概述：
● VDS= 150V
● ID=15A
● RDS(ON)( at VGS=10V) ＜75 mohm
● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜88 mohm
产品特点：
●分栅沟道MOSFET技术
●高速电源开关，逻辑电平
●增强的体二极管dv / dt功能
●增强了雪崩强度
●已通过100％UIS测试，100％Rg测试
产品应用：
●SMPS中的同步整流
●硬开关和高速电路
●电动工具
●不间断电源（UPS）
●电机控制
表1 最大额定值
表2 电气特性
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