瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新品，比TO263-7封装体积小60%
近日，瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅(SiC) MOSFET产品，分别为650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET，现已完成工规级可靠性认证(JEDEC)。这两款产品采用TOLL(TO-leadless)封装，能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求，帮助高性能电源提高能效和功率密度，并改善电磁干扰(EMI) ，简化PCB设计。
众所周知，SiC器件比Si器件具有明显的优势，包括：更低损耗、更高频率、更低的EMI、耐受更高工作温度和更可靠。
TOLL是一种表面贴装型封装，瞻芯电子的TOLL封装产品投影尺寸为10.10mmx11.88mm，对比TO263-7(D2PAK 7)封装， PCB占用面积减少20%。而且，它的外形厚度仅为2.40mm，比TO263-7(D2PAK 7)封装的体积小60%。
当性能更优的SiC MOSFET采用TOLL封装后，不仅显著减小体积、降低损耗，而且对比TO263-7(D2PAK 7)封装，背面金属片的尺寸更大，散热性能更好。除了尺寸更小，TOLL封装也是开尔文源极(Kelvin source)配置（4引脚型封装），能减小封装中源极线的电感，来抑制开关时产生的振荡，门极噪声更低，降低了开关损耗，有利于发挥MOSFET高速开关的性能优势。IV1Q06040L1，IV1Q06060L1G是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET，主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷，能显著降低开关损耗，且适应-55~175°C工作温度范围。
封装特性：
· 适合于更高开关频率应用（实现高功率密度）
· 因具有较大尺寸的后面金属片，可降低器件温度
· 比TO-263-7L封装，厚度更低，占用PCB面积更小
· 比TO-263-7L封装，源电感更低
应用领域：
· 光伏/Solar
· 储能/ESS & UPS
· 数据中心电源/Datacenter Power
· 工业与医疗电源/Industrial & Medical Power
· 电机驱动/Motor Drives
· 通信电源/Telecom Power
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产品型号
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品类
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Qualification
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VDS（V）
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RDS(ON) （mΩ）
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ID（TC=25°C）（A）
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VTH（ TJ =25°C）（V）
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VTH（ TJ =175°C）（V）
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Qg（nC）
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Operating Junction Temperature（°C）
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Package
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IV2Q06025T4Z
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SiC MOSFET
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汽车级
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650V
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25mΩ
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99A
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2.8V
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2.0V
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125.0nC
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-55°C to 175°C
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TO247-4
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选型表 - 瞻芯电子 立即选型
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