瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新品，比TO263-7封装体积小60%
近日，瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅(SiC) MOSFET产品，分别为650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET，现已完成工规级可靠性认证(JEDEC)。这两款产品采用TOLL(TO-leadless)封装，能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求，帮助高性能电源提高能效和功率密度，并改善电磁干扰(EMI) ，简化PCB设计。
众所周知，SiC器件比Si器件具有明显的优势，包括：更低损耗、更高频率、更低的EMI、耐受更高工作温度和更可靠。
TOLL是一种表面贴装型封装，瞻芯电子的TOLL封装产品投影尺寸为10.10mmx11.88mm，对比TO263-7(D2PAK 7)封装， PCB占用面积减少20%。而且，它的外形厚度仅为2.40mm，比TO263-7(D2PAK 7)封装的体积小60%。
当性能更优的SiC MOSFET采用TOLL封装后，不仅显著减小体积、降低损耗，而且对比TO263-7(D2PAK 7)封装，背面金属片的尺寸更大，散热性能更好。除了尺寸更小，TOLL封装也是开尔文源极(Kelvin source)配置（4引脚型封装），能减小封装中源极线的电感，来抑制开关时产生的振荡，门极噪声更低，降低了开关损耗，有利于发挥MOSFET高速开关的性能优势。IV1Q06040L1，IV1Q06060L1G是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET，主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷，能显著降低开关损耗，且适应-55~175°C工作温度范围。
封装特性：
· 适合于更高开关频率应用（实现高功率密度）
· 因具有较大尺寸的后面金属片，可降低器件温度
· 比TO-263-7L封装，厚度更低，占用PCB面积更小
· 比TO-263-7L封装，源电感更低
应用领域：
· 光伏/Solar
· 储能/ESS & UPS
· 数据中心电源/Datacenter Power
· 工业与医疗电源/Industrial & Medical Power
· 电机驱动/Motor Drives
· 通信电源/Telecom Power
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自瞻芯电子公众号，原文标题为:瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新产品，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【产品】开关频率超100KHz的SiC三相逆变器模块
flow3xPHASE 0 SiC采用3x BUCK/BOOST拓扑结构，更高的效率和更低的发热量。
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
【产品】派恩杰推出国内首款1700V SiC MOSFET，大幅减少辅助开关电源成本
派恩杰半导体（杭州）有限公司推出国内首款1700V/3Ω的SiC MOSFET P3M173K0K3，最大漏极电流为2.7A。该产品针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on)，使得其广泛适用于工业电机驱动，光伏，直流充电桩，储能变换器及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计。
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（上）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能显著提升系统效率，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而让驱动电压产生更大的尖峰。设计可靠的驱动电路来抑制的驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势特性的关键课题。为此，我们首先测试复现驱动尖峰波形并分析原因，然后采取相应措施来抑制尖峰。本篇主讲第一部分：驱动电压尖峰复现与分析。
瞻芯电子SiC MOSFET选型表
瞻芯电子提供以下参数选型：汽车级&工业级，VDS（V）：650V~1700V，RDS(ON) ：15mΩ~10000mΩ。
|
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
VDS（V）
|
RDS(ON) （mΩ）
|
ID（TC=25°C）（A）
|
VTH（ TJ =25°C）（V）
|
VTH（ TJ =175°C）（V）
|
Qg（nC）
|
Operating Junction Temperature（°C）
|
Package
|
|
IV2Q06025T4Z
|
SiC MOSFET
|
汽车级
|
650V
|
25mΩ
|
99A
|
2.8V
|
2.0V
|
125.0nC
|
-55°C to 175°C
|
TO247-4
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势
为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。
SiC MOSFET驱动电压尖峰分析与抑制（下）
高频、高速开关是碳化硅(SiC) MOSFET的重要优势之一，这能让系统效率显著提升，但也会在寄生电感和电容上产生更大的振荡，从而在驱动电压上产生更大的尖峰。抑制驱动电压尖峰，成为发挥SiC MOSFET优势的关键课题。本篇主要介绍驱动电压尖峰的抑制方法。
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
【元件】扬杰科技新推出用于光伏逆变、充电桩、电源等的SiC MOSFET，采用开尔文接触，工作温度175℃
扬杰科技近日推出了一系列TO-263-7L、TOLL、T2PAK产品，产品均采用开尔文接触，明显减少了开关时间，降低了开关损耗，支持更高频率的应用与动态响应；同时相比插脚器件降低了电路板空间，增加了电路板的集成化，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
【选型】力特1700V SiC MOSFET助力光伏逆变器1500V系统辅助电源高效稳定运行
现在光伏逆变器电压等级提升到1500V，如果选用单端反激拓扑，单管MOS耐压值需要超过3000V，因此建议采用双管反激方案，推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO170E1000，1700V高耐压，同时采用常用的TO247封装，可直接替换Si MOS使用。
芯众享面向光伏及储能领域推出碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET产品，电流范围10~40A可选
芯众享面向光伏及储能领域推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET产品。其中碳化硅肖特基二极管已经在工商业光伏逆变器、组串式光伏逆变器、微型光伏逆变器领域广泛应用。
【元件】从光伏到工业设备，时科SIC MOSFET SKSC120N016-T74如何引领高效能耗新时代
在新能源技术蓬勃发展的今天，SIC MOSFET在充电桩、光伏发电和工业设备中的应用变得越来越广泛。那么，如何选择高性价比的SIC MOSFET呢？时科的SIC MOSFET SKSC120N016-T74又具备哪些独特的优势？让我们一起来探讨一下。
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论