【经验】RH850系列汽车级MCU的Code Flash结构及设计应用经验分享
RH850是RENESAS瑞萨电子的最新汽车微控制器系列,可在多种可扩展产品中实现高性能与低功耗的平衡。 该系列提供了新的和高级的汽车应用所需的丰富的功能安全性和嵌入式安全性功能。该系列提供了一系列CPU内核结构(单个,多个,锁步及其组合),以支持高性能和/或高可靠性要求。RH850内部存储器主要有Code Flash、Data Flash、RAM。
本文介绍RH850系列汽车级MCU的Code Flash结构及设计应用经验分享。
下面介绍以RH850/F1KM为例,其Code Flash大小是512 KB至4 MB。单个电源用于擦除和写入,可编程复位向量以支持现场的引导加载程序更新。Code Flash通过串行接口编程(串行编程)使用,工具有E1/E2 (Debugger/ Flasher)或PG-FP5 、PG-FP6 (Flash Programmer),还可以通过用户程序进行编程(自编程)。支持的后台操作:数据闪存编程期间的代码闪存执行(EEPROM仿真)、自编程期间可以进行中断处理。
Code Flash擦写特性:擦除块大小为8 KB或32 KB,程序块大小为256字节。
用户空间分为8个8 KB块,n个32 KB的块(n =取决于总闪存大小),扩展的用户区提供32 KB,其中块代表可以擦除的大小。图1是3M和4M的Code Flash 块分布图。
图1 Code Flash 块分布图
当用于写入的闪存和用于读取的闪存的组合是下表1中列出的任何组合时,可以进行后台操作。
表1 后台操作模块
Code Flash的串行编程可用于编程代码和数据闪存,如图2,支持异步闪存编程:1-wire UART,2-wire UART;支持同步闪存编程:3-wire CSI。
图2 串行编程工作模式
Code Flash自编程 要通过用户程序对闪存进行编程,RH850支持自编程模式,瑞萨提供了一个现成的软件库来支持该模式。
Code Flash操作模式有三个,几个模式切换流程如图3。
Normal mode:用于执行应用软件,自编程和片上调试。
User Boot Mode :类似于正常操作模式,除了修改后的复位向量地址外,不支持待机模式转换。
Serial programming mode:由外部编程设备启动,用于将代码和数据存储到内部闪存。
图3基本操作模式切换图
RH850/F1KM可以通过专用I/O来配置工作模式,表2显示了如何通过专用I/O引脚进入每种模式。
表2 专用I/O来配置工作模式
注:Boundary scan mode模式是允许边界扫描测试,符合IEEE标准1149.1。
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