EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商

EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

目录- eGaN FETs and ICs    eGaN® Integrated Circuits    Half-Bridge Development Boards    DrGaN    DC-DC Conversion    Lidar/Motor Drive    AC/DC Conversion   

型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC9087,EPC90154,EPC2069,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC9018,EPC2065,EPC90151,EPC21702,EPC90152,EPC2067,EPC2100,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC90145,EPC9097,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC90148,EPC9092,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC9067,EPC2031,EPC9068,EPC2152,EPC2033,EPC9063,EPC9186,EPC8010,EPC9066,EPC9180,EPC2204A,EPC9181,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC2040,EPC2045,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9203,EPC9204,EPC9205,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9047,EPC9201,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC90133/,EPC2024,EPC2302,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC2021,EPC9177,EPC2020,EPC9057,EPC9167HC,EPC2023,EPC9058,EPC9179,EPC2022,EPC8004,EPC9059,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9172,EPC2010C,EPC2034C,EPC7007,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC90140,EPC9144,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC2110,EPC7003,EPC90133,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC90139,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC2007C,EPC9039,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC2088,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC90123,EPC9031,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128

EPC氮化镓®FET鉴定报告EPC21603

描述- 本报告总结了EPC21603产品认证结果，该产品符合所有认证要求并已投入生产。报告涵盖了EPC21603的组件级认证测试，包括预处理、温度湿度偏置、温度循环、湿度敏感度等级1和静电放电灵敏度测试。测试结果显示，EPC21603在所有测试中均表现良好，满足产品规格要求。

型号- EPC21603,EPC21701,EPC21601

氮化镓集成电路简化仿人机器人电机关节逆变器设计

描述- 本文介绍了基于氮化镓（GaN）技术的逆变器设计，特别是在人形机器人电机关节逆变器中的应用。文章强调了GaN技术在提高开关频率、降低无源元件数量、减少开关损耗和提高功率密度方面的优势。EPC ePower™ Stage ICs技术简化了逆变器设计，并介绍了EPC23102/3/4系列GaN集成电路及其在逆变器性能中的应用。文章还讨论了EPC提供的参考设计板，这些设计板展示了GaN技术在电机驱动逆变器设计中的简化与空间减少。实验结果表明，GaN技术的应用提高了系统效率，并实现了更紧凑的逆变器设计。

型号- EPC2310X,EPC9186,EPC9176,EPC91104,EPC9194,EPC23102,EPC23103,EPC23104,EPC9176V3

TPM2025/TPM2025Q汽车双通道超高速氮化镓前置驱动器

描述- 该资料介绍了TPM2025/TPM2025Q汽车级双通道超高速氮化镓驱动器。这些驱动器适用于高速应用，如激光雷达和高密度电源转换器，具有优化的低传播延迟设计。它们采用2mm×2mm倒装芯片QFN封装，以实现最窄脉冲宽度（0.69纳秒），并具备独立通道瞬态抑制器以确保可靠操作。

型号- TPM2025,TPM2025-FC1R,TPM2025Q-FC1R,TPM2025Q

氮化镓可靠性和寿命预测：第16阶段

描述- 本报告详细探讨了氮化镓（GaN）器件的可靠性，包括失效机制、测试方法以及在不同应用中的可靠性预测。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用，并提供了针对不同应用（如太阳能、DC-DC转换和激光雷达）的可靠性预测指南。此外，报告还讨论了热机械可靠性、过电压指南以及优化焊接工艺的方法。

型号- EPC2302,EPC2218A,EPC23102,EPC21701,EPC21601

SGM48520 5V、6A/4A、低端氮化镓和MOSFET驱动器，脉冲宽度为1ns

描述- SGM48520是一款专为驱动GaN FET和逻辑级MOSFET设计的低边门极驱动器。它适用于激光雷达、飞行时间测量、面部识别和功率转换等领域。该产品具有高速、低功耗的特点，提供6A峰值源电流和4A峰值吸收电流的能力，并具备内部欠压锁定和过温保护功能。

型号- SGM48520XTDI6G/TR,SGM48520XG/TR,SGM48520

将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用

描述- 本文探讨了使用通用门驱动器与氮化镓（GaN）FET配合使用时需要注意的关键因素。文章详细介绍了GaN FET与硅MOSFET之间的主要差异，包括门电压水平、开关速度、反向导通电压降和物理结构等。此外，文章还提供了将MOSFET驱动器转换为适用于GaN FET的建议步骤，包括使用外部自举二极管、自举钳位、门返回电阻和反向导通钳位等。最后，文章强调了在设计使用集成门驱动器的控制器IC时，需要考虑的布局和设计折衷方案。

SGM48521 5V、7A/6A低压侧氮化镓和MOSFET驱动器，脉冲宽度为1ns

描述- SGM48521是一款专为驱动GaN FET和逻辑级MOSFET设计的低边栅极驱动器。它适用于激光雷达、飞行时间测量、面部识别和功率转换等领域。该产品具有高速、高电流输出能力，最小输入脉冲宽度为1纳秒，支持高达60MHz的操作频率。

型号- SGM48521XG/TR,SGM48521XTDI6G/TR,SGM48521

EPC23101-ePower™Stage IC氮化镓®FET规格书

描述- 该资料介绍了EPC23101 ePowerTM Stage集成电路，这是一种集成了高侧eGaN® FET、内部栅极驱动器和电平转换器的高效功率转换解决方案。该芯片适用于多种转换器拓扑，如降压、升压和升降压转换器，以及半桥、全桥LLC转换器和电机驱动逆变器。它具有低导通电阻、高开关频率和低静态电流等特点，适用于高效率、小型化和易于制造的电源设计。

型号- EPC23101