【产品】600V/11A无铅N沟道超级结MOSFET PJMF360N60E1，导通电阻低，易于使用驱动
强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超级结MOSFET—PJMF360N60E1，在TA=25℃条件下，其漏源电压为600V，连续漏极电流为11A（TC=25℃），漏源导通电阻最大值为360mΩ（VGS=10V，ID=3.8A）。同时该器件具有高速开关、低导通电阻、100%雪崩测试和100% Rg测试等特点。
产品实物图和示意图
产品特点：
●漏源导通电阻RDS(ON) 最大值为360mΩ（VGS=10V）
●易于使用和驱动
●高速开关，低导通电阻RDS(ON)
●100%雪崩测试
●100% Rg测试
●无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准
●绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
机械数据：
●外壳：ITO-220AB-F 封装
●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）
●重量约为：0.068 盎司，2 克
应用：
PFC、TV电源、PC电源、PD充电器、适配器、UPS
最大额定参数(TA=25℃，除非特别说明)：
热特性：
电气特性(TA=25℃，除非特别说明)：
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