【元件】 UMS推出新系列封装晶体管CHKA012bSYA、CHK-8101-SYC和CHK8201-SYA

时间： 2023-02-07 来源：UMS官网

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UMS推出了不少于三个型号新的封装晶体管——CHKA012bSYA、CHK-8101-SYC和CHK8201-SYA。这些产品采用密封陶瓷金属法兰封装，专用于空间应用。

CHKA012bSYA

CHKA012bSYA是一款无与伦比的高功率GaN晶体管。该功率巴条覆盖从直流至最高6GHz。它显示出130W的高功率，具有58%的出色功率附加效率(PAE)。其（功率）消耗保持在50V@640mA的低水平；它可以在连续波（CW）或脉冲模式下使用。它的最大PAE时的关联增益为16dB@1.3GHz。

CHKA012bSYA采用UMS GaN 0.5µm专有技术设计。该电路采用密封金属陶瓷法兰封装，使其不仅适用于空间、电信和雷达，而且适用于所有需要密封解决方案的应用。

主要特点：

宽带能力：高达6GHz

高Psat：130W

高PAE：58%@1.3GHz

脉冲和CW工作模式

直流偏置：50V @ ID_Q=640mA

平均无故障时间（MTTF） >106小时@ Tj =200℃

关联增益@最大PAE：16dB@1.3GHz

密封陶瓷金属法兰功率封装

CHK 8101-SYC

CHK 8101-SYC是一款无与伦比的15W GaN晶体管，适用于高达6GHz的射频功率应用，具有高性能。它是多用途、空间和电信应用等各种射频功率应用的宽带解决方案。

该宽带电路具有15W以上的高功率，64%以上的显著效率和50V@100mA的低（功率）消耗。它可用于脉冲和CW工作模式。

CHK8101-SYC采用UMS 0.5µm空间评估专有GaN技术设计。它是一系列空间合格密封封装功率晶体管中的第一个。

主要特点：

15W GaN功率封装晶体管

宽带能力高达6GHz

脉冲和CW工作模式

高功率>15W

效率高达64%

增益：19dB

低（功率）消耗：50V@100mA

平均无故障时间MTTF>106小时@Tj=200°C

密封陶瓷-金属法兰封装

CHK8201-SYA

CHK8201-SYA是一款功能强大的45W宽带GaN功率巴条，覆盖直流至4GHz。该产品具有55%的优异PAE和22dB的线性增益。它显示出50V@200mA的（功率）消耗。

密封陶瓷-金属法兰封装的GaN功率（器件）

宽带性能：直流至4GHz

高Psat：45W

PAE：55%

小信号增益：22dB

最大PAE时的关联增益：17dB

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小云帆 Lv7. 资深专家 2023-03-07

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蒲公英种子 Lv7. 资深专家 2023-03-05

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titan Lv8. 研究员 2023-02-23

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