【元件】 UMS推出新系列封装晶体管CHKA012bSYA、CHK-8101-SYC和CHK8201-SYA
UMS推出了不少于三个型号新的封装晶体管——CHKA012bSYA、CHK-8101-SYC和CHK8201-SYA。这些产品采用密封陶瓷金属法兰封装,专用于空间应用。
CHKA012bSYA
CHKA012bSYA是一款无与伦比的高功率GaN晶体管。该功率巴条覆盖从直流至最高6GHz。它显示出130W的高功率,具有58%的出色功率附加效率(PAE)。其(功率)消耗保持在50V@640mA的低水平;它可以在连续波(CW)或脉冲模式下使用。它的最大PAE时的关联增益为16dB@1.3GHz。
CHKA012bSYA采用UMS GaN 0.5µm专有技术设计。该电路采用密封金属陶瓷法兰封装,使其不仅适用于空间、电信和雷达,而且适用于所有需要密封解决方案的应用。
主要特点:
宽带能力:高达6GHz
高Psat:130W
高PAE:58%@1.3GHz
脉冲和CW工作模式
直流偏置:50V @ ID_Q=640mA
平均无故障时间(MTTF) >106小时@ Tj =200℃
关联增益@最大PAE:16dB@1.3GHz
密封陶瓷金属法兰功率封装
CHK 8101-SYC是一款无与伦比的15W GaN晶体管,适用于高达6GHz的射频功率应用,具有高性能。它是多用途、空间和电信应用等各种射频功率应用的宽带解决方案。
该宽带电路具有15W以上的高功率,64%以上的显著效率和50V@100mA的低(功率)消耗。它可用于脉冲和CW工作模式。
CHK8101-SYC采用UMS 0.5µm空间评估专有GaN技术设计。它是一系列空间合格密封封装功率晶体管中的第一个。
主要特点:
15W GaN功率封装晶体管
宽带能力高达6GHz
脉冲和CW工作模式
高功率>15W
效率高达64%
增益:19dB
低(功率)消耗:50V@100mA
平均无故障时间MTTF>106小时@Tj=200°C
密封陶瓷-金属法兰封装
CHK8201-SYA
CHK8201-SYA是一款功能强大的45W宽带GaN功率巴条,覆盖直流至4GHz。该产品具有55%的优异PAE和22dB的线性增益。它显示出50V@200mA的(功率)消耗。
密封陶瓷-金属法兰封装的GaN功率(器件)
宽带性能:直流至4GHz
高Psat:45W
PAE:55%
小信号增益:22dB
最大PAE时的关联增益:17dB
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 3
本文由枫婷翻译自UMS官网,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
评论
全部评论(3)
-
小云帆 Lv7. 资深专家 2023-03-07学习了
-
蒲公英种子 Lv7. 资深专家 2023-03-05学习了
-
titan Lv8. 研究员 2023-02-23学习
相关推荐
【IC】EPC推出新型80V、40A eToF™激光驱动器GaN IC,实现更高功率密度激光雷达系统
宜普电源转换公司(EPC)推出新型氮化镓集成电路EPC21701,这是一款80V激光驱动器IC,可提供15A脉冲电流,适用于飞行时间激光雷达应用(ToF激光雷达应用),包括真空吸尘器、机器人、3D安全摄像头和3D传感器。
【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A,具有较低的栅极电荷,可用于自动驾驶激光雷达
EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管(GaN FETs),为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案,可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。
【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F,兼容脉冲和CW操作模式
UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造,产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm,能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案,可运用于雷达和通信领域。
【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术,实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关
激光雷达(LiDAR)是一种远距感测技术,从感测器发射光脉冲,并记录反射光线的时间,从而映射物件的位置及距离,本文介绍了氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术,实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关,应用诸如自动驾驶汽车及驾驶辅助系统(ADAS)。
UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型表
UMS氮化镓(GaN)功率晶体管选型:Glin(dB) @ Freq(GHz):12-23.5,Saturated Power(W):14-180,Bias(mA):0.1-1300,Bias(V):30-50.
产品型号
|
品类
|
Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
【应用】EPC氮化镓功率晶体管助力DTOF激光雷达设计,具有低温度系数,导通电阻低至50mΩ
在某家DTOF激光雷达的产品设计中,需要一款氮化镓用于激光驱动开关。本项目的激光雷达是用于扫地机器人上的,项目要求Vbus为30V,Ipeak为30A,Frequency为10MHz,本文推荐一款EPC的氮化镓晶体管EPC2019。
什么是晶体管?晶体管的种类有哪些
晶体管是一种半导体器件,用于放大电信号、作为开关以及其他电路应用。晶体管有多种类型。
【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计
在激光雷达的发射链路中,为实现雷达高分辨率的设计,需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求,普通MOS不能满足要求,需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),已经成功的应用在激光雷达上。
【应用】激光雷达AGV机器人激光测距驱动方案推荐GaN功率晶体管EPC2106+LD RLD90QZW5,测距可达20m
激光雷达AGV机器人激光测距相比传统的磁轨导航测距方式,可以更高智能、更远距离的实现路径规划、避障,具有定位精度高、路径柔性高和智能化程度高的优点,激光发射链路,市面上常用的激光驱动方案采用GaN + LD(激光二极管)设计实现,激光驱动方案选型推荐:EPC公司的GaN功率晶体管EPC2106 + ROHM LD RLD90QZW5。
UMS Space solutions for New Space, LEO, GEO,deep space missions,Earth observation and communications
型号- CHA2063A99S,CHT4690-FAB,HB20M,CHA6710-FAB,CHA5350-99F,PPH25,CHA2394-99S,CHA3689-99S,CHA5115-99S,CHA5350-99S,CHA7115-99S,CHA3656-FAB,CHV1206A98S,CHS5100-99S,CHA6652-98S,CHT4016-99S,CHKA012BSYA,GH50,PH25,CHA5266-FAB,CHA2110-QDG,CHP4010-99S,CHS5104-99S,CHA2090-99F,HP07,CHX2193-99S,ULRC,CHA6710-99S,CHA8710-99S,PH10,CHK9014-99F,CHK8201-SYA,CHA6551-99S,PH15,CHA3666-99F,CHP3015-99S,CHE1270-QAG,CHT4660-FAB,CHA3801-99S,GH25,CHA3666-99S,CHA2110-99S,CHT3091A99F,CHA3666-QAG,CHA8054-99S,CHT4690-99S,CHX2089-99S,CHT3091-FAB,CHT4012A98S,CHT3091A99S,CHA2066-99S,CHE1270A99S,CHA4253-FAB,CHA5266-99F,CHA3023-99S,PPH15X,CHX2090-99S,GH15,CHA2098B99S,CHR3693-FAB,CHA6550-98F,CHT4694-99S,CHE1270A99F,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,BES,CHA8352-99S,CHS5104-FAB,CHA8710A99F,CHA3666-FAB,CHX2193-FAB,CHA3024-FDB,CHV1203A98S
【产品】130W封装氮化镓高电子迁移率晶体管,射频功率应用首选
UMS的CHKA011-SXA是一款氮化镓高电子迁移率晶体管,具有所有GaN关键优势,高功率、高效率以及高达1.5GHz工作频率的宽带能力,兼容脉冲和CW操作模式,为各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案,非常适用于雷达和通信等领域中。
【元件】EPC新推80V车规级GaN FET EPC2252,脉冲电流75A,实现更高分辨率激光雷达
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)EPC2252,为设计人员提供比硅MOSFET更小和更高效的解决方案,用于车规级激光雷达、48V/12V DC/DC转换和低电感电机驱动器。
【产品】输出功率20W的小尺寸GaN HEMT晶体管CHK8101a99F,适用于雷达和电信等射频功率应用
UMS公司2019年推出了一款20W功率的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)CHK8101a99F。该产品为包括雷达和电信在内的各种射频功率应用提供了通用的宽带解决方案。它采用基于SiC衬底的0.5μm栅极长度的GaN HEMT技术,符合相关规范特别是RoHS N◦2011 / 65和REACh N◦1907/2006的指令。CHK8101a99F以裸芯片形式提供并需要外部匹配电路。
电子商城
现货市场
服务
可定制电感最大电流100A,尺寸最小7 x 7 x 3.0mm到最大35 x 34 x 15.5 mm,工作频率100KHZ ~ 2MHZ,感值范围:0.15 ~ 100uh;支持大功率电感,扁平线电感,大电流电感,高频电感,汽车电感器,车规电感,一体成型电感等定制。
最小起订量: 5000 提交需求>
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品,耐温范围-40℃~125℃,电感量最高1200mH。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论