【应用】亚成微推出低成本65W的GaN快充方案，实现精简的外围电路和紧凑的PCB布局，提高产品效率及功率密度

时间： 2022-12-06 来源：亚成微电子官网

技术问答

亚成微基于CCM/QR反激控制芯片 RM6601SN+高性能同步整流芯片 RM3410T的高精简低成本65W GaN快充方案，具有体积小、效率高（效率Max>93%）、待机功耗低（功耗<60mW）、成本低等特点，采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，省去外置驱动器件，并通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，有效的提高了产品效率及功率密度，帮助快充电源厂商加速大功率快充量产并节省物料成本。

方案特点

■ 输出规格：5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3.25A；

■ 效率(Max)>93%，待机功耗<60mW，满足六级能效标准，EMI特性优良；

■ 采用专有驱动技术，直驱E-MODE GaN功率器件，提高产品效率及功率密度，简化EMI滤波电路设计，降低EMI器件成本；

■ 支持CCM/QR混合模式；

■ 支持最大140KHz工作频率；

■ 内置700V高压启动，集成X-CAP放电功能；

■ 低启动电流和低工作电流设计；

■ 内置特有抖频技术改善EMI；

■ Burst Mode去噪音；

■ 集成斜坡补偿及高低压补偿功能；

■ 集成AC输入Brown out/in功能；

■ 外置OVP保护，具有输出肖特基短路保护/CS短路保护；

■ 内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护。

方案原理图

方案BOM

待机功耗

能效测试

5V/3A能效测试

9V/3A能效测试

12V/3A能效测试

15V/3A能效测试

20V/3.25A能效测试

老化及温升测试

EMI测试

20V/3.25A（L）测试结果

20V/3.25A（N）测试结果

20V/3.25A（L）测试结果

20V/3.25A（H）测试结果

20V/3.25A（V）测试结果

20V/3.25A（H）测试结果

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【应用】亚成微推出基于RM6601SN+RM3410T的高精简、低成本60W CoolMos快充方案

亚成微基于CCM/QR反激控制芯片RM6601SN+高性能同步整流芯片RM3410T的高精简低成本60W CoolMos快充方案，具有体积小、效率高、待机功耗低、成本低等特点，采用专有的分段驱动技术，搭配超结MOSFET改善EMI设计，降低EMI器件成本。

应用方案发布时间 : 2023-01-11

【应用】亚成微27W QC3.0快速充电器采用PWM控制芯片RM6710S，集成高压启动电阻，内设抖频模式降低EMI干扰

RM6710S是一种采用新一代快充PWM控制技术（自供电双绕组）的离线式开关电源管理芯片，内置电流模式PWM+PFM控制器，满足六级能效标准。亚成微基于PWM控制芯片RM6710S和高性能同步整流芯片RM3403SH，推出了27W QC3.0快速充电器应用。

应用方案发布时间 : 2022-12-09

【应用】30W A+C双口氮化镓功率集成快充方案，帮助快充电源厂商加速中小功率快充量产并节省物料成本

亚成微推出了30WA+C双口氮化镓（GaN）功率集成快充方案，该方案基于氮化镓功率集成电源芯片RM6604NDL+高性能同步整流控制芯片RM3405SH芯片组合，通过高度集成的芯片设计以及巧妙的结构组合，实现了精简的外围电路和紧凑的PCB布局，具有高效率、小体积、低成本等特点，可有效帮助快充电源厂商加速中小功率快充量产并节省物料成本。

应用方案发布时间 : 2022-10-28

亚成微电子股份有限公司ACDC电源管理方案

型号- RM341XSH,RM6163D,RM6717S,RM3413SH,RM671X系列,RMG65R380SN,RM6801X,RM3364S,RM3352S,RM6601SNX,RMA65R2K5SN,RMC65R380SN,RMG65R280SN,RM3368S,RM3365D,RM6801S,RM6514S,RM673XS,RM335X系列,RM671XS,RM6801X系列,RM3401SH,RMC65R650SN,RM3405SH,RM3353S,RM3430T,RM65R1K6SG,LM3290,RM3410T,RM4100,RM335X,QFE4100,RM65R1K6SD,RM6801SNX,RMG65R650SN,RM6601,RM671X,RMA65R1K0SN,HUSB339,RM6601SN,RM343X,RM3366D,RM6715S,RM3412SH,RM6601X,RM343XSH,RMC65R1K0SN,RMA65R1K6SN,RMG65R1K6SN,RM6601X系列,RM343X系列,RM6517D,RMG65R1K0SN,RM3100,RM442D2,RM6601系列,RMA65R650SN,RM50055,RM6601S,RMA65R380SN,RM6801SNX系列,RM65R2K5SD,RM6801SN,RMX65R950SN,SW3517,RMX65R600BN,RM3402SH,RMC65R280SN,QET6100,RM6601SNX系列,RM67XX系列,RM4141N,RM6710S,RM65R2K5SG,SW3516,RM50085,RMA65R280SN,RM3400T,RMG65R2K5SN,RM67XX

商品及供应商介绍 - 亚成微电子 - 2021/6/1 PDF 中文下载查看更多版本

亚成微电子（Reactor Microelectronics）AC-DC电源管理芯片选型指南

描述- 亚成微电子股份有限公司（简称“亚成微”），成立于2006年，是—家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司，总部位于西安，在厦门、深圳、宁波、中山等地设有研发中心或客户支持中心。目前，基于“高速率功率集成技术平台”已量产包括射频功率放大器供电管理方案-包络跟踪芯片（ET)、智能功率开关芯片、AC/DC电源管理芯片、线性LED照明驱动芯片以及功率MOSFET在内五大产品线，可被广泛应用于无线通信、工业控制、汽车电子、消费电子以及LED照明等领域。

型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL

选型指南 - 亚成微电子 - V1.4 - 2022/8/3 PDF 中文下载

亚成微电子开关电源芯片选型表

亚成微开关电源芯片，最大功率8W~120W，工作频率65KHz~130KHz

产品型号	品类	分类	最大功率（W）	功率管	工作频率（kHz）	封装形式	应用领域
RM6820NQL	开关电源芯片	副边反馈(SSR)+ZVS	120W	内置GaN	85kHz	PLP8*8	快速充电器、电源适配器、模块电源

选型表 - 亚成微电子立即选型

亚成微新国标电动车充电器量产方案拆解报告：RM6500S初级主控芯片满足六级能效标准，内置多种保护功能

聚源这款电动车充电器采用部分灌封工艺，PCBA模块固定在塑料外壳中，并灌封密封，防潮的同时增加机械强度。充电器为反激架构，采用亚成微RM6500S初级主控芯片，输出采用辉芒微MCU进行充电控制。充电器输入和输出均设有保险丝进行过流保护，安全措施到位。

原厂动态发布时间 : 2023-12-21

【产品】支持最大130KHz工作频率的PWM开关控制芯片RM6601SN，全电压范围内待机功耗小于75mW

亚成微电子推出的RM6601SN是一款高性能高可靠性电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频130KHz的PWM模式下。

产品发布时间 : 2023-07-01

【产品】反激式电源控制芯片RM6601ND，采用专有驱动技术，工作频率达130kHz

亚成微电子推出反激式电源控制芯片RM6601ND，采用专有驱动技术，可直驱E-mode GaN FET，支持CCM/QR混合模式，支持最大130KHz工作频率，具有高效率、大功率、超低待机功耗和优异的性能，适用于大功率GaN快充。

产品发布时间 : 2022-10-14

【产品】高性能开关电源同步整流芯片RM3412SL，采用VCC供电技术，兼容DCM和CCM多种工作模式

亚成微电子推出的RM3412SL为高性能的开关电源60V同步整流产品，采用SOP8L封装，兼容多种开关电源控制系统。支持DCM和CCM多种工作模式。采用专利的整流管开通判定技术，可以有效的避免因激磁振荡引起的驱动芯片误开通。

产品发布时间 : 2023-06-04

RM6601SN 65W 氮化镓PD快速充电器应用方案

型号- RM6601SN

应用及方案 - 亚成微电子 - Rev 2020.10 - 2020.10 PDF 中文下载

【产品】采用3D封装技术高集成电源芯片RM6620DS，内置700V高压启动，支持最大130KHz工作频率

3D封装技术高集成电源芯片RM6620DS是一款采用3D封装技术的高性能、高可靠性、高集成度电流控制型PWM开关控制芯片，内部集成了支持CCM/QR的反激式PWM控制器、650V超结MOSFET、超结MOS分段驱动器以及高压启动管，最大输出功率120W。

产品发布时间 : 2022-11-12

【产品】高性能同步整流芯片RM5038SH，支持DCM、CCM、QR模式，开关频率高达200kHz

亚成微电子推出的RM5038SH是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流芯片，采用绿色的SOP-8封装，内置超低导通阻抗MOSFET以提升系统效率。

产品发布时间 : 2023-04-03

【产品】支持最大120W快充的合封氮化镓电源芯片RM6820NQ，采用先进的3D封装集成技术

亚成微电子合封氮化镓电源芯片RM6820NQ采用行业先进的3D封装技术，芯片内部集成ZVS反激式开关电源控制器、650V GaN FET、氮化镓驱动器以及驱动保护等，支持最大120W快充，具有小体积、高效率、高性能、低功耗等特点。

产品发布时间 : 2022-10-12

亚成微电子专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司介绍

描述- 陕西亚成微电子股份有限公司，成立于2006年，是一家专注高速功率集成技术的高端模拟IC设计公司,且是注册在西安高新区内的规模以上国家高新技术企业。研发覆盖半导体功率IC和功率器件两大类，主要产品包括包络跟踪射频功率放大器（ET-PA）、AC/DC电源管理芯片、LED驱动芯片以及功率MOSFET等。产品可被广泛应用于无线通信、消费电子、汽车电子以及LED照明等多领域中。

型号- RM9001DD,RM6801X,RM9001DC,RM9001DB,RM9001DA,RM9003B,RM9003A,RM9012GB,RM9010GB,RM9023,RM32XX,RM66040ND,RM34XX,RM6801S,RM9005AG,RM9005AE,RM335X系列,RM9005AC,RM6801X系列,RM9001AF,RM9001AE,MOS-RMX65R系列,RM9001AA,RM9012D,MOS-RMX65R,RM9012B,RM6820系列,RM9035X,RM335X,RM68XX,RM671X,RM343X,RMA65R650SN #2,RMA65R650SN #3,W*65R650 #1,W*65R650 #2,W*65R650 #3,RM6601X,RM9001D,RM6601X系列,RM343X系列,RM9001A,RM33XX,RMA65R650SN #1,RM9006AC,RM9006AB,RM6801SN,RM9010E,RM67XX系列,RM9010B,RM9026B,RM9006F,RM9006A,RM9026A,RM6820,RM65XX,RM63XX,RM67XX

商品及供应商介绍 - 亚成微电子 - 2022/1/13 PDF 中文下载