【经验】如何通过增加Si旁路二极管改善碳化硅（SiC）二极管的Ifsm能力
ROHM的650V/6A和8A的碳化硅（SiC）二极管如下：
由上表可知，在Ifsm能力上，SCS306AHG基本是SCS206AG的两倍左右，SCS308AHG是SCS208AG的两倍左右。
关于Ifsm的差距，我们可以通过采用并联旁路二极管的方式进行改善，从而提升已经采用 SCS206AG和SCS208AG设计的电路回路的Ifsm能力。
采用实验电路测试，下图中左图和右图的主要区别是增加了Si旁路二极管。
左图蓝色曲线是对手和ROHM的第三代（SCS306AHG和SCS308AHG）的SiC二极管的Ifsm能力曲线。紫色是第二代（SCS206AG和SCS208AG）的Sic二极管的Ifsm能力曲线。第2代的Sic二极管的Ifsm的能力比较低。
右图是电路增加Si旁路二极管测试的数据。从数据可看出Sic二极管的Ifsm整体能力得到了成倍的提升。不过需要注意，并联的Si旁路二极管的耐受电流需满足电路中浪涌电流最大值的1.5倍以上。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Joshua提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【经验】以SCS310AP和SCS210AG为例说明第三代和第二代碳化硅肖特基二极管的性能区别
罗姆的碳化硅肖特基二极管，通常用于电源等行业用于提升产品性能。最近笔者遇到客户在问罗姆第三代碳化硅肖特基二极管与第二代的区别，于是以第三代碳化硅肖特基二极管SCS310AP和第二代碳化硅肖特基二极管SCS210AG为例进行对比，来说明其区别。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）肖特基二极管选型指南（中文）
描述- SiC肖特基势垒二极管（SiC SBD）具有很小的总电荷（Qc），低开关损耗且高速开关工作。因此，它被广泛用于电源的PFC电路中。此外，与硅基快恢复二极管的trr（反向恢复时间）会随温度的升高而增加不同，碳化硅（SiC）器件可保持恒定的特性，从而改善了电路性能。制造商能够减小工业设备和消费类电子产品的尺寸，非常适合在功率因数校正电路和逆变器中使用。
型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS208AJHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS306AM,SCS304AM,SCS308AJ,SCS205KG,SCS220AE2,SCS308AM,SCS315AG,SCS220KG,SCS315AJ,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS212AJ,SCS210AG,SCS212AG,SCS315AM,SCS210AJ,SCS210KE2HR,SCS320AM,SCS215KG,SCS210KE2,SCS220AE2HR,SCS320AJ,SCS215AJHR,SCS320AG,SCS240KE2HR,SCS240AE2HR,SCS220AJHR,SCS220AJ,SCS212AJHR,SCS220AG,SCS310AM,SCS312AJ,SCS310AJ,SCS312AM,SCS312AG,SCS310AG,SCS215AJ,SCS240KE2,SCS215AG,SCS230KE2HR,SCS240AE2,SCS230AE2HR,SCS304AG,SCS210AJHR,SCS308AG,SCS306AJ,SCS306AG,SCS210KG,SCS304AJ,SCS206AJHR,SCS208AJ
Silcon Carbide - Schottky Barrier Diodes SiC Schottky Barrier Diodes Selection Guide
型号- SCS208AG,SCS206AJ,SCS210KGHR,SCS220AM,SCS215KGHR,SCS220KE2,SCS206AG,SCS240AE2HR,SCS208AGHR,SCS220AJ,SCS220AE,SCS220AE2,SCS205KG,SCS210AGHR,SCS220AG,SCS212AGHR,SCS205KGHR,SCS220KG,SCS230KE2,SCS230AE2,SCS220KE2HR,SCS215AJ,SCS212AM,SCS215AM,SCS240KE2,SCS212AJ,SCS215AG,SCS210AM,SCS210AG,SCS212AG,SCS240AE2,SCS210AJ,SCS215AE,SCS230AE2HR,SCS210KE2HR,SCS215KG,SCS210KE2,SCS210KG,SCS220AE2HR,SCS206AGHR,SCS220KGHR,SCS220AGHR,SCS215AGHR,SCS208AJ,SCS206AM,SCS208AM
【产品】1200V/34nC的碳化硅肖特基势垒二极管SCS220KE2，采用TO-247封装
ROHM推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS220KE2，可降低开关损耗，可高速开关，采用TO-247封装。反向电压VR为1200V，每个引脚总电容电荷Qc为34nC，连续正向电流IF为10A/20A（每个引脚/两个引脚），总耗散功率为130/280W（每个引脚/两个引脚），结温Tj为175°C，主要应用于PFC电路中升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏功率调节器。
【产品】650V/10A的车载级碳化硅肖特基势垒二极管SCS210AJHR，主要应用于车载充电器等领域
ROHM的SCS210AJHR是符合AEC-Q101标准的车载级碳化硅肖特基势垒二极管，可有效降低开关损耗，具有高速开关的特点，其采用TO-263AB封装。反向电压为650V，总电容电荷为15nC，连续正向电流为10A，主要应用于车载充电器、DC / DC转换器、无线充电器、EV充电器等应用领域。
【元件】有助于车载和工业设备降低功耗，内置SiC二极管的IGBT，可同时实现高效率和低成本
ROHM的650V耐压Hybrid IGBT“RGWxx65C系列”融合了IGBT和SiC SBD特性上的优点，并实现了一体化封装。由于已经在元器件层面优化了需要进行精密电路设计的部分，因此用户使用该系列产品可以轻松构建性价比高的功率转换系统。
【应用】SiC MOS SCT3040KR+SiC二极管LSIC2SD120C10助力氢燃料电池DC-DC高效小型化设计
若以燃料电池作为电源直接驱动，会表现为输出特性偏软、输出电压较低，在燃料电池与汽车驱动之间加入DC/DC，两者共同组成电源对外供电，从而转换成稳定、可控的直流电源。针对设计中的具体难点，本文推荐使用ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR+力特的SiC二极管 LSIC2SD120C10 BOOST方案。
ROHM的SIC碳化硅功率模块/MOSFET/SBD/肖特基势垒二极管/栅极驱动器，帮助实现电力的有效利用
ROHM的“全碳化硅”功率模块可最大限度发挥碳化硅的高速性能，将开关损耗最大减少85％；SiC-MOSFET可实现高速开关和低导通电阻，高温下也具备优良的电气特性；SiC-SBD的反向恢复电荷量 (Qrr) 小，可大幅降低开关损耗；内置绝缘元件的栅极驱动器采用碳化硅实现高速工作。
【产品】650V/6A碳化硅肖特基势垒二极管SCS206AG，总电容电荷Qc为9nC
ROHM新推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS206AG可降低开关损耗，可高速开关，采用2pin封装。反向重复峰值电压VR为650V，总电容电荷Qc为9nC，连续正向电流IF为6A，主要应用于PFC电路中升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏发电机。
【产品】650V/10A的碳化硅肖特基势垒二极管SCS210AG，采用TO-220AC封装
ROHM推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS210AG，可降低开关损耗，可高速开关，采用TO-220AC封装。反向电压为650V，总电容电荷Qc为15nC，连续正向电流为10A，主要应用于PFC电路中升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏功率调节器。
在利用LLC谐振型电路设计的充电模块中，副边如果采用全波整流电路进行整流，副边输出电压范围是250-500V。有没有合适的碳化硅二极管器件适用于全波整流?
推荐Wolfspeed（科锐）的600V、650V碳化硅二极管，具体选型资料链接如下：https://www.sekorm.com/doc/65949.html【选型】Wolfspeed（科锐） SiC功率器件选型指南另外世强也代理罗姆、力特的碳化硅二极管，具体资料也可以在电商平台上搜索到。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数，电压1.5-37V，电流5-150mA，波长470-940nm。
最小起订量： 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品，尺寸：0.6*0.3mm-3.2*2.7mm，波长：405-940nm，亮度：24-750mcd，电压：1.5-3.5V。
最小起订量： 3000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论