海威华芯2023化合物半导体产业技术论坛同期圆满举办,共同探讨化合物半导体产业的创新发展趋势
为抢抓国家集成电路产业发展和成渝地区双城经济圈建设重大机遇,促进川渝两地资源联动,加快推动集成电路产业协同发展,2023年3月30日,由四川省集成电路产业联盟、成都市集成电路行业协会主办的2023成渝集成电路产业峰会在成都盛美利亚酒店成功举办,其中由成都海威华芯科技有限公司承办的化合物半导体产业技术论坛同期圆满举办。
此次论坛面向化合物半导体方向,邀请到了业界知名专家、领军企业、行业细分领域带头人及资深从业人员,还邀请了长期以来支持海威华芯发展的重要客户、合作伙伴等,共同交流分享科研成果和行业动态。
本次论坛以北京大学理学部副主任、北京大学物理学院副院长、宽禁带半导体研究中心主任沈波教授的寄语视频拉开序幕。
沈波教授分析了第三代半导体产业的发展现状,指出当前半导体和集成电路产业发展面临的诸多挑战,同时,他还提出了两点看法,一是希望政府和企业都需要认真思考,如何高质量发展包括车规级化合物半导体技术和产业,实现产业的“抱团取暖”,避免恶性竞争。二是我国的化合物半导体产业链发展还不是很均衡,原材料、设备和晶圆制造因投资大、技术难度高、投资周期长等问题导致发展相对滞后和薄弱。一方面政府应大力引导资金投资产业链上的薄弱环节,另外一方面提振产业信心,破除西方制约,需要我们产业界的朋友多维度思考,统筹谋划,走出一条符合我国国情的化合物半导体产业高质量发展之路。最后沈波教授也通过视频表达了对本次论坛及海威华芯的期望。
海威华芯副总经理黎明博士分享了成长中的第三代半导体、氮化镓射频器件的发展史、应用和产业化情况,同时介绍了海威华芯在第三代化合物半导体的产业布局、制程能力和行业地位,分析了SiC、GaN芯片在5G基站、新能源电子、大数据中心等领域的具体应用场景及技术指标。
与会专家各抒己见,分别对快充时代的GaN功率器件产业化、宽禁带半导体碳化硅功率器件发展现状及其挑战和氮化镓功率器件应用、创新、发展方向热点进行了分享及研讨。
本次论坛还举办了圆桌研讨会议,针对化合物半导体产业链当前发展瓶颈以及基于车规产业的快速发展,成都本土企业如何“抱团成链”及助推成都集成电路产业链高质量发展等众多热点议题,成都泰格微波技术股份有限公司董事长吴传志、中电化合物半导体有限公司外延首席专家唐军、深圳基本半导体有限公司技术营销总监魏炜以及工业和信息化部电子第五研究所功率器件团队技术总师贺致远,四位来自国内知名的材料专家、应用专家及半导体行业大咖进行了激烈的讨论。
专家们普遍认为,目前,第三代半导体在电动汽车、新能源及5G通讯中的优势已成共识,只有我们技术的不断积累、革新才能摆脱国外的制约。第三代半导体从设备、材料、器件到应用,都需要我们系统的视角去审视,同时紧扣时代脉搏,把脉第三代半导体与市场应用,随着第三代功率半导体逐步渗透,我们依然有机会弯道超车。
此次论坛吸引了100多名集成电路产业领域技术人才及管理人才参与交流,共同探讨化合物半导体产业的创新发展趋势,海威华芯作为化合物产业链中最重要的制造端,正积极完善砷化镓、氮化镓等化合物半导体芯片的技术积累与布局,为产业上下游企业提供性能稳定、低成本的芯片制造能力支撑。
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型号- NSI6602,NSI1311,NSE34050D-Q1,NCA1051,NSI6601,NSCSA2XX,NSR35XXX-Q1,NSI7258,NSM2013,NSD360X,NSM2015,NSC9260X,NSM2011,NSIP9XXX,NSC9262,NSI1300,NSD1025V,NSC9264,NSPAQ1,NSREF31XX,NSD12409-Q1,NSR2240X,NSP1830,NCA1042,NCA1043,NSD12416-Q1,NSOP905X,NSR7808,NSOPA240X,NCA1021S-Q1,NSD56008-Q1,NSE11409,NSP1831,NSP1832,NSM2020,NSR31,SPGM1,NSD7312,NSL2163X,NSR35,NSR33,NSD7315,NSOPA8XXX,NSD731X,NSD8308,NPC0X0N120,NSE11409-Q1,NSI826X,NSD8308-Q1,NSE34050,NSD11409,NSM201X,NSPDC1,NSR31XXX,NCA1021S,NSI1300D05,NSD10151,NSREF432,NSREF431,NSD1224,NSOPA801X,NSD83010-Q1,NSI6651,NSD11416,NCA1051A,NSD11416-Q1,NSUC1602,NSR31XXX-Q1,NSR33XX,NSE34050Q-Q1,NST1001,NSD56008,NSM3011,NSI82XX,NSL2363X,NSM3012,NSL21912,NSL2161X,NSI6801,NPC0X0N065,NSUC1610,NCA10XXA,NSD5604-Q1,NSI824X,NCA10XXB,NSD8306-Q1,NSM203X,NSI1300D25,NSL216XX,NSIP605X,NSD5604,NSOPA9XXX,NSR114XX-Q1,NSP1631,NSP1632,NSD12409,NSD83012-Q1,NSP1630,NSPASX,NSE425X,NCA102,NSI1624,NSE34050S-Q1,NSM1013,NSI8241WX,NSR33XXX-Q1,NSI6622,NSI822X,NSA9264,NCA1042B,NSD8381-Q1,NSD12416,NSPGM2,NSPGM1,NSIP6051,NSM101X,NSI6602V,NSD3608,NSIP6055,NSD3604,NSD3602,NSREF30XX,NSI6611,NSPAS1,NSPAS3,NCA1145,NSR31XX,NCA1043B,NSI6601M,NSR35XX,NSPAQX,NSAD795X,NSA9260X,NCA8T245,NSR114XX,NSR114X
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中电国基南方(CETC)SiC电力电子器件选型指南
描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题;申请发明专利超过200多项,其中PCT10项,已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V,电流覆盖2A-150A,产品性能和可靠性满足多种应用需求,已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。
型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
南芯推出高集成度GaN解决方案SC3050/3056,DFN5x6封装,助力于实现快充电源产品小型化
为了应对中小功率的PD快充电源市场,SOUTHCHIP南芯推出了高集成度的氮化镓功率芯片SC3050/SC3056,将控制器、驱动、GaN集成在一起,采用DFN5x6小体积封装;,独特的EPAD设计用于大电流和最好的电气性能,引脚功能区块化,简化PCB设计,得到极小化PCB面积和更好的热体验。
产品 发布时间 : 2024-09-30
爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南
目录- 公司简介和芯片/模块产品规则 芯片 模块 参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍
型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200
泰高(Tagore)GaN射频器件选型指南
描述- 2021年成立于中国深圳,主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售,其芯片设计中心位于美国芝加哥,产品应用中心位于中国深圳与厦门。
型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件,器件阈值电压提高约60%
能华半导体E-mode GaN产品采用增强型氮化镓(GaN)技术,较常规产品来说,其阈值电压(VTH)提高约60%。
签约新闻 发布时间 : 2024-06-21
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可定制UV胶的粘度范围:150~25000cps,粘接材料:金属,塑料PCB,玻璃,陶瓷等;固化方式:UV固化;双固化,产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
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可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量: 1 提交需求>
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