【产品】600V工业级N沟道功率MOSFET，中大功率开关电源理想选择
F25FH60CP是日本新电元公司推出的一款工业级N沟道功率MOSFET，相比于P沟道MOS管，拥有更小的导通电阻。最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大漏极持续电流（DC）Id为25.0A，性能稳定可靠，具有高电压，高切换速度，低导通电阻的特点，是设计中大功率开关电源的理想选择。可应用于DC-DC转换，逆变器，电源转换器电路等应用。
F25FH60CP采用SMD（Surface Mounted Devices）表面贴装，以Sn为主要材料，大多采用内箱直径为180mm的Tape & Reel带卷式封装。具体封装形态为FH，是一款具体尺寸为15.25mm（W）X10.2mm（H）X4.6mm（D）mm，适用于小型嵌入式电器设计。
图1 F25FH60CP外部视图
F25FH60CP的最大栅极/源极电压VGSS为±30V，最大总耗散功率Pt为70.0W，提高了能源利用效率，同时保障了MOSFET在高功率场合下的可靠性和稳定性。其静态漏源导通电阻Rds典型值为0.11Ω，最高沟道温度Tch为150.0℃，总栅极电荷量典型值Qg为53.0 nC。
图2 F25FH60CP典型输出特性及转移特性曲线
F25FH60CP的主要特点：
• 最大漏极/源极电压VDSS（雪崩击穿电压）为600.0V，最大栅极/源极电压VGSS为±30V
• 最大漏极持续电流（DC）Id为25.0A，最大总耗散功率Pt为70.0W
• 静态漏源导通电阻Rds典型值为0.11Ω
• 最高沟道温度Tch为150.0℃
• 总栅极电荷量典型值Qg为53.0 nC
• 采用FH封装, 尺寸大小为15.25mm（W）X10.2mm（H）X4.6mm（D）
F25FH60CP的典型应用：
• DC-DC转换
• 逆变器
• 电源转换器电路
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