【应用】低成本SI8621光耦驱动芯片实现IGBT上下桥驱动互锁的一种方法
目前的一些工业逆变电源设计上可能会用到IGBT上下桥互锁的方式,由一路PWM波形分成两路来实现同桥臂的IGBT驱动,通过光耦驱动芯片内部自带的发光二极管的正向特性和反向特性来实现该互锁功能,这样可以简化设计,同时避免了上下桥直通的风险。
图1为光耦驱动芯片做IGBT驱动互锁的运用,其原理是比如信号的高电平接到上路驱动的芯片二极管的阳极,另外接到下路驱动芯片二极管的阴极;参考点信号接到上路驱动芯片的二极管阴极,另外接到下路驱动芯片二极管的阳极;这样每次信号过来时,由于二极管的正向导通特性和反向截止特性,每个时刻只可能有一个驱动芯片可以有驱动信号输出,另外一个驱动芯片属于没输出状态;这个就是互锁的原理。图1 为典型的互锁电路,电阻RI为限流电阻,保证流过二极管的电流不超过其工作值,目前的驱动型号有0.6A,1A,2.5A,3A等主流输出能力。
图1 光耦驱动互锁运用
但是由于目前光耦价格不是很便宜,而产品会有成本压力,这种实现互锁的方法可以通过另一种相对低成本的SI8621驱动芯片来实现;图2是SILICON LABS推出的SI8261做驱动互锁的设计,通过R1来实现限流,由于SI8261本身的驱动芯片反向电压比较低,可以通过电路上串联一个D1或D2二极管,利用其反向特性来保证在芯片承受反压时芯片不会工作,从而实现互锁功能;另外SI8261输出4A峰值驱动电流,驱动侧供电压6.5V-30V,支持-40℃-125℃的宽工作温度范围,5KV隔离电压。
图2 SI8261驱动互锁运用
相比其他型号的光耦驱动芯片,SI8261具有设计成本上的优势,可以直接降低产品设计成本。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由明提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【应用】基于同步降压转换器SCT2A23的100V ISO-BUCK隔离方案,效率达90%,满载支持85℃环境温度工作
芯洲科技采用同步降压转换器SCT2A23来实现ISO-BUCK的应用。线路采用SCT2A23自身的反馈采样控制,磁耦合实现隔离输出的电压调节,不需要光耦或额外的变压器绕组用于反馈控制,设计简洁。主反馈这路电源可满足原边侧系统的供电需求,实现高精度电压输出。副边侧可以为系统提供隔离电源,为通信芯片和隔离驱动芯片进行供电。
应用方案 发布时间 : 2023-07-26
【应用】兼容光耦隔离驱动器NSI6801用于750W伺服驱动器,共模抑制比达150KV/μS
针对小功率的750W的紧凑型伺服驱动器,需要通过一款隔离驱动芯片来对控制单元发出的驱动信号进行隔离保护。本文推荐采用纳芯微推出的NSI6801兼容光耦隔离驱动器,系统鲁棒性上满足150kV/μs最小共模瞬态抗扰度,5A峰值拉电流和灌电流输出。
应用方案 发布时间 : 2022-10-27
【应用】一颗6通道数字隔离IC替换6颗高速光耦来做IPM驱动信号的隔离,降低设计成本,缩小产品体积
SILICON LABS推出的SI8660 6通道数字隔离IC可以实现一颗芯片替换6颗高速光耦来做IPM驱动信号的隔离,既降低设计成本,又可以进一步缩小产品的设计体积。SI8660符合AEC-Q100的车规级认证,高达150Mbps的传输率,CMTI典型值为50KV/us,可以提升系统控制的稳定性;同时具有2.5KV,3.75KV,5KV的不同隔离电压,并且封装有窄体,宽体,小型化封装。
应用方案 发布时间 : 2018-07-28
【经验】一文教你分析MOS管的驱动波形是否异常
一般认为MOSFET是电压驱动的,不需要驱动电流。在MOS的G,S两级之间有结电容存在,这个电容会让驱动MOS变的不那么简单,很容易造成驱动波形异常。大家常用的PWM芯片输出直接驱动MOS或者用三极管放大后,再经过隔离驱动MOS的方法,其实在瞬间驱动电流这块是有很大缺陷的。推荐使用专用的MOSFET驱动芯片来驱动MOS管,Siliconlabs针对MOS管驱动推出了半桥MOS驱动芯片SI823X
设计经验 发布时间 : 2019-04-22
【经验】浅谈SI8233与SI835双路隔离驱动芯片设计区别
目前Silicon Labs推出的具有双路隔离驱动芯片SI8233和SI8235,目前也是主流用在车载DC-DC,及OBC及各种电源拓扑中比较常见的两种驱动芯片,本文针对这两种驱动芯片在设计上的不同点做个简答的描述,设计者可以根据自身的设计需求去进行选择。
设计经验 发布时间 : 2019-02-03
【经验】隔离驱动芯片SI8233做MOS管驱动时的注意事项
目前Silicon Labs 的隔离驱动芯片SI8233大量的用来做MOS管驱动,由于具有两路独立的驱动,并且支持原副边5V的隔离电压,每路的峰值驱动电流达4A,所以在电源类产品的拓扑半桥或者全桥电路,PFC都会考虑用SI8233做驱动设计。
设计经验 发布时间 : 2019-05-06
【选型】如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片?
Silicon labs SI827x隔离栅极驱动器高达4A峰值驱动电流,业界最高的抗扰性能(200kV/μs)和闩锁免疫能力(400kV/μs)。最大60ns传输延迟,非常低的抖动200ps p-p。
器件选型 发布时间 : 2018-01-31
深圳市奥伦德元器件有限公司
型号- OR-2531,OR-2530,OR-3223,OR-0631,OR-M3074,3120,M4XXA,OR-1009系列,50L,OR-3H4,357,OR-814,ORPC-851,OR-357系列,ORTR-9707,OR-3H7,OR-M3082,OR-M3083,OR-606A,OR-063L,OR-M3081,OR-480,OR-4N25系列,OR-50LW1,OR-M3084,OR-3H4-4,OR-3H4-2,OR-M460A,OR-6N137,OR-MOC3052,OR-6N136,OR-MOC3051,OR-460A,OR-6N135,OR351,OR-MOC3053,35X,OR-6N139,OR-6N138,OR351系列,OR-840A,OR-917系列,3HX系列,OR-M3053,OR-M3051,OR-1223,ORTR-20001-T,OR-M3052,10XX,OR-357,OR-3120,OR-355,OR-MOC3061,OR-354,OR-MOC3063,OR-MOC3062,OR-1008系列,OR-917,6XXA,OR-MOC3064,OR-M425A,OR-354系列,ORPC-815系列,OR-825A,817,6N137,10XX系列,OR-M3061,3H7,OR-M601,OR-2601,OR-M3064,ORTR-8402-F-A,OR-M3062,OR-M3063,601J,OR-MOC3074,OR-640A,OR-406A,OR-T350,50LW,3HX,C87,OR-M611,OR-2611,OR-4N25,OR-MOC3081,OR-MOC3083,OR-825系列,OR-MOC3082,OR-MOC3084,4XXA,ORAP-29044,OR-1009,OR-355系列,ORTR-9909,OR-M3022,OR-341W,OR-1008,OR-M3023,OR-50LW,OR-625A,OR-2223,OR-314W,ORPC-815,ORPC-817,OR-M501,OR-AQV259,ORTR-8307,OR-AQV258,OR-845,OR-3150,MOC30XX,OR-844,OR-4N30,OR-M440A,X223,OR-3H4系列,OR-847,OR-60LW1,OR-440A,OR-860A,OR-4N30系列,OR-2630,OR-152,ORTR-9606,OR-343W,35X系列,OR-060L,OR-2631,OR-845系列,ORPC-2501,ORTR-352,ORPC-2501系列,OR-MOC3021,60L,OR-MOC3023,851,OR-MOC3022,OR-425A,ORPC-817系列,60LW,ORTR-9608,OR-806A,OR-60LW,ORPC-851系列,OR-M3021,OR-0223,AQV258,OR-3H7-4,063L,OR-3H7-2,OR-814系列,341,OR-3H7系列,OR-M406A,0631,OR-827,OR-825,OR-660A,OR-824
【选型】可替换安华高ACPL-344JT的国产带保护隔离驱动芯片,峰值驱动电流更大
不间断电源、电焊机、大功率变频器等设计目前主要选用IGBT做设计,针对使用这类功率半导体器件,在实际运用中可靠性要求较高,与IGBT对应的驱动芯片,通常需要带保护的驱动芯片,基本上要具有米勒钳位功能和Desat去饱和检测功能,市场上有用安华高的ACPL-344JT,这里主要介绍国产华大半导体带保护IGBT隔离驱动芯片HSA6880-S替换安华高的ACPL-344JT,可在安华高的ACPL-3
器件选型 发布时间 : 2021-02-22
【视频】思瑞浦增强型隔离产品,具有6000VRMS隔离耐压能力,支持超宽体封装
型号- TPA8002,TPM27282,TPT72616,TPT72617,TPT748,TPT7710-S,TPA800,TPM21750,TPM21530,TPT71052,TPT71050,TPM23514,TPT773X,TPM23513,TPM2753,TPT72617X,TPT7710,TPT7261,TPT7481,TPT7482,TPA810,TPM2025Q,TPM6505,TPT776X,TPT786X,TPM6501,TPT774X,TPT71044,TPM27524,TPM2722,TPT784X,TPT772X,TPT71042,TPM5350Q,TPT7485,TPT786XQ,TPA8103,TPT782,TPT7487,TPA8102,TPT7488,TPT7104,TPA8104,TPT782XQ
【经验】加强版的双驱动芯片Si823H3BD-IS3更完美的做MOS管或SIC MOS管驱动
针对目前电源行业用到上下桥拓扑的设计会用到MOS管或SIC,目前这块的设计处于弱电侧需要供电能够与MCU的供电共用,另外原边的输入可以有上下桥互锁功能,开关频率可以支持到几百KHz,驱动电流可以到4A,针对该运用Slilicon Labs推出的SI823H3BD-IS3副边可以支持到3V的供电电压,4A的拉电流和灌电流,双路独立的驱动,125KV/us的CMTI值,满足AEC—Q100的认证。
设计经验 发布时间 : 2019-08-01
【应用】隔离电压高达5.5kV的国产单通道隔离驱动器NSi6801用于伺服驱动器,隔离电压高达5.7kVRMS
客户设计伺服驱动器时,采用650V,15A的IGBT完成制动模块的设计,为了实现IGBT的门级驱动,需要一颗高耐压、高稳定性的隔离驱动芯片,在实现原副边电气隔离的同时驱动IGBT的通断,保持伺服驱动系统的稳定。本文介绍一款纳芯微单通道隔离驱动器NSi6801。
应用方案 发布时间 : 2022-10-20
全碳化硅功率mos是否和igbt一样驱动需要负压?有没成熟的驱动芯片推荐?
SIC MOSFET驱动是需要负压的,而GaN FET是可以不用负压。成熟的SIC MOSFET驱动芯片,推荐Silicon Labs 的SI827x,可以参考:如何为SIC MOSFET选择一款理想的隔离驱动芯片?
技术问答 发布时间 : 2019-10-15
mos驱动芯片,半桥,隔离的有哪些芯片能推荐一下呢! ?
推荐使用用SGMICRO(圣邦微)推出的MOS驱动芯片SGM48000,双通道正相输入,能够提供最大2A的峰值电流,并且工作温度范围可达-40℃~+125℃,采用TDFN-2×2-8L和SOIC8两款封装。可以参考文章:【应用】低成本高性能的MOS驱动芯片SGM48000助力电源双路MOSFET驱动。隔离驱动芯片推荐Silicon Labs的隔离驱动芯片SI8273,具有4A的峰值驱动电流,可以满足到MHz的开关频率,CMTI的典型值到200Kv/us,驱动侧供电电压支持到30V,可以用来驱动SIC MOS管驱动,相比其它的驱动芯片,可以提供高的可靠性。可以参考文章:【应用】高可靠性隔离驱动芯片SI8273助力驱动SIC MOS管。
技术问答 发布时间 : 2019-11-11
【应用】数明半导体IGBT隔离驱动芯片SLMI334CG-DG助力UPS设备,隔离电压可达5kV
UPS全程为不间断电源,当市电输入正常时,UPS 将市电稳压后供应给负载使用,此时的UPS就是一台交流式电稳压器,同时它还向机内电池充电,本文将介绍一款数明半导体IGBT隔离驱动芯片SLMI334CG-DG,驱动IGBT实现直流电到交流电的逆变。
应用方案 发布时间 : 2022-08-28
电子商城
品牌:SILICON LABS
品类:Wireless Gecko SoC
价格:¥8.1764
现货: 104,128
品牌:SILICON LABS
品类:Mighty Gecko Multi-Protocol Wireless SoC
价格:¥27.0929
现货: 90,767
现货市场
品牌:SILICON LABS
品类:Switch Hall Effect Magnetic Position Sensor
价格:¥2.2924
现货:126,000
服务
提供电机的输出反电势波形测试、驱动芯片输入/输出波形测试服务,帮助您根据具体应用场景来选择适合的电机驱动芯片型号,确保电机驱动芯片能够与其他系统组件协同工作达到最佳效果。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 成都 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论