【应用】瑞萨第八代IGBT满足UPS高效节能设计所需

时间： 2019-07-11 来源：世强作者：Joshua

在UPS行业，效率是重要的指标之一。节能高效，一直是UPS的行业客户选择产品的首要指标。现在市场上经常会出现某些UPS厂商产品因效率参数与客户的参数需求标书相差0.1%而错失了最基本的投标机会。因此，关于效率，哪怕是很小的提升，对UPS厂商来说，都是技术的一个重大突破。

现UPS行业内，逆变拓扑大多采用IGBT技术（图1）。故IGBT是影响UPS效率的主要因数。使用高效的IGBT，相应得到高效的UPS产品。而IGBT的高效主要体现在开关损耗上。就这样RENESAS的G8H技术的IGBT应UPS行业低损耗的市场需求诞生了。

图1：UPS的IGBT应用常规两电平拓扑

RENESAS的IGBT采用G8H技术，达到行业内最低功耗水平。RENESAS采用特殊工艺达到管子开关的快速切换和低饱和导通压降。G8H技术的IGBT采用65μm的超薄晶圆，降低传导损耗。RENESAS的G8H技术的IGBT主要是RBNXXH125S1（1250V）和RBNXXH65T1（650V）两个系列。

在输出功率为5KW的条件下，G8H技术的IGBT在低损耗上更具优势。下面以RBN50H65T1FPQ-A0（50A/650V）为例与行业同等级的IGBT进行对比：

1）同等的条件下测试，总损耗比同行低0.3W以上；

2）同等的条件下测试，Eon比同等级的同行的产品低0.36mJ以上；

3）同等的条件下测试，传导损耗要低0.9W以上。

图2

正是因为G8H IGBT具有低损耗的特性，使其具备高效率优势。那么G8H技术在效率这一块的具体体现如何呢？我们可以具体看一个测试案例：

测试电路见下图3，测试条件为Ta=25℃，Vin=410VDC，Vout=100VAC（50Hz）， VG=﹣5V/15V， Rg：on=15Ω/off=15Ω，fsw=20KHz，驱动器：PS9531。

图3

测试结果见图4：在图3的电路架构和相关测试条件下，由图4可以看出，在2000W的功率段时， RBN50H65TGPQ-AO的测试效率为95%。因此与同行产品相比，G8H技术带来的效率改善高达0.2%。

图4

以上可知，G8H技术下的IGBT实现业内最低功耗水平，效率更高，满足UPS节能高效所需。

相关技术文档：

Renesas RBN40H65T1FPQ-A0 IGBT数据手册详情>>>

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aran Lv7 资深专家 2018-12-20

RENESAS的IGBT具有哪些优势？
- 刀客丨丶_世强回复： RENESAS IGBT性能优势：1、Renesas瑞萨IGBT反向传输电容Cres降低了80%，从而抑制了开关噪声，同时可以有效改善Vge波形振铃。2、Renesas瑞萨IGBT单管是业界首次实现，通过采用内置二极管和分离T0-247 plus的封装，来提高了电流承载能力，是T0-247的2倍，同时增加了20%的散热性能。3、在工艺上Renesas瑞萨IGBT单管采用了独有65um超薄晶圆，由此降低了导通损耗；在参数上凭借业界领先的1.5V饱和压降Vce(sat) 降低了开关损耗；因此整体产品可减少约15%的损耗。
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小旺 Lv7 2019-03-01

学习了
用户58397525 Lv5. 技术专家 2018-12-31

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玉寰 Lv3 2018-12-29

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非常完美 Lv4. 资深工程师 2018-12-28

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