【选型】小信号二极管1N4148WS/BAT54A/BAV99在变频器MOSFET驱动电路中的选型推荐
工业用通用性变频器在电机驱动节能效果明显,节电率可达20~60%,被广泛应用于风机、泵类负载等交流电机驱动中。在变频器主功率单元中,MOSFET作为主要的功率器件被大量的应用,图1为变频器制动单元和DC-AC逆变单元。
图1. 变频器制动单元与逆变单元
如上图所示,MOSFET是变频器电路中主要功率器件,其开关行为直接受到驱动电路的控制,驱动电路性能的优劣直接关系到MOSFET的开关行为和系统性能。对于MOSFET驱动电路,通常采用专用的驱动IC和离散器件构成,如图2所示,MCU输出的互补PWM脉宽调制信号通过IC驱动放大,经栅极驱动电阻送入半桥电路高、低边侧MOSFET管栅极,驱动MOSFET的开通、关闭。通常MOSFET处于较高频率的开关状态,开关时间由开通时间和关断时间两部分组成,其等效于向MOSFET栅极输入电容Ciss进行充放电,当MOSFET由开通进入到关断状态时,为了加快其关断速度,通常在输入驱动电阻上并联二极管(图2中R1、R2电阻并联的二极管),便于快速的将输入电容电荷泄放到地,加速MOSFET关断。
针对此处的应用,DIOTEC(德欧泰克)推荐1N4148WS、BAT54A、BAV99系列小信号二极管,系列二极管具有非常高的开关速度和较低正向压降,能将栅极输入电容的电荷快速、充分的泄放,加速MOSFET的关闭。几款二极管外观、尺寸如图3所示。
图2. MOSFET驱动电路简图
图3. BAT54A、BAV99封装与尺寸 1N4148WS封装与尺寸
主要电气参数如下表所示:
1N4148WS、BAT54A、BAV99三款小信号二极管的最大可承受功耗分别为200mW、290mW(单器件)、350mW(单器件),最宽结温范围均为-55~150℃,具有很靠的可靠性,最大正向压降VF在IF=10mA,Tj=25℃是分别为855mV、400mV、855mV,低正向压降有利于栅极输入电容电荷充分泄放,保证稳定的关闭状态。
几款小信号二极管均为无铅且符合RoHS、REACH标准的产品,其中1N4148WS、BAV99二极管外壳材料阻燃等级达到UL 94V-0,是几款可靠性高、开关速度快、绿色环保的器件。
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型号- BAW56W,BAS16W-Q,BAS16W,BAV199W,BAV99W-Q,BAV99W-AQ,BAV199W-AQ,BAV70W-AQ,BAV99W,BAV70W,BAW56W-Q
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型号- BAV70DW-AQ,BAS16DW,MMBD4448SDW-AQ,BAV756DW,BAV70DW,MMBD4448SDW,MMBD4448SDW-Q,BAS16DW-AQ
1N4148WS | 1N4448WS SMD Small Signal Switching Diodes
型号- 1N4448,1N4148W,1N4448W,1N4148WS-AQ,1N4148WS,1N4448WS,1N4148WS-Q,1N4448WS-AQ,1N4148
DIOTEC Schottky Diodes&Small Signal Diodes选型表
提供了Diotec肖特基二极管、小信号二极管选型,Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]:0.02A-40A,Junction Temperature Tjmax[℃]:125-200℃
产品型号
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品类
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Type
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Package
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Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM[V]
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Maximum Average Forward Rectified Current IFAV[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Forward Voltage VF[V]
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Forward Voltage IF[A]
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Peak Forward Surge Current IFSM[A]
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Leakage Current IR[µA]
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Leakage Current VR[V]
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Junction Capacitance Cj[PF]
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Junction Capacitance VR[V]
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15SQ045-3G
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Schottky Diodes
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Axial
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D5.4x7.5
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45
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15.00
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150
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0.55
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15.00
|
290.00
|
200.000
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45
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4
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型号- BAT54S,BAT54-Q,BAT54C-AQ,BAT54S-C,BAT54A-Q,BAT54C-Q,BAT54S-AQ,BAT54,BAT54C,BAT54-AQ,BAT54A,BAT54A-AQ,BAT54S-Q
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