【产品】采用TO263封装的N沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V
锐骏半导体推出采用TO263封装的N沟道功率MOSFET RU40191S，漏源电压VDSS为40V，栅源电压VGSS为±20V，TC=25℃ 时漏极连续电流ID为190A（VGS=10V），漏源导通电阻RDS(ON)典型值为1.8mΩ（@VGS=10V，IDS=75A）。
产品外观和示意图
特点：
漏源电压40V，连续漏极电流190A
RDS(ON)=1.8mΩ(Typ)@VGS=10V
超高密度单元设计
超低导通电阻
100%雪崩测试
无铅和器件绿色环保（符合RoHS）
应用：
DC-DC转换器和离线式UPS
开关应用
最大额定参数：
电气特性(TC=25℃，除非特别说明)：
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