【产品】85A/65V低导通电阻N沟道功率MOSFET DIW085N06,工作及存储温度-55~+150℃
DIOTEC(德欧泰克)推出型号为DIW085N06的N沟道功率MOSFET,器件采用TO-220AB封装,具有低导通电阻和开关速度快等特点。最大额定值参数方面,漏源电压为65V(VGS=0V,短接),持续栅源电压为±20V,耗散功率为240W(TC=25℃),允许通过的漏极持续电流为85A(TC=25℃ ),漏极峰值电流为340A, 漏源导通电阻<9.1mΩ,工作结温和存储温度范围-55~+150℃,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具,商业/工业级应用等领域。产品封装及尺寸图如下所示:
主要特征
采用先进的沟道技术
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩能量
符合RoHS、REACH标准,以及Conflict Minerals(冲突矿产)的管理规定
典型应用
DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
商业级/工业级应用
机械参数
管/卡纸带包装:30/450
重量约6g
外壳材料的阻燃等级:UL 94V-0
焊接和装配条件:260℃/10s,MSL(湿度敏感等级)=1
最大额定值
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型: Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]:-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]:150~175、Power Dissipation Ptot [W]:0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]:-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]:-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]:0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]:-10~10、Turn-OnTime ton[ns]:3~1206、Turn-Off Time toff[ns]:7~991
产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
|
60
|
0.2
|
150
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N
|
0.35
|
0.5
|
0.8
|
5
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1
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10
|
10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
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