【产品】85A/65V低导通电阻N沟道功率MOSFET DIW085N06，工作及存储温度-55~+150℃

时间： 2022-05-07 来源：Diotec

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DIOTEC（德欧泰克）推出型号为DIW085N06的N沟道功率MOSFET，器件采用TO-220AB封装，具有低导通电阻和开关速度快等特点。最大额定值参数方面，漏源电压为65V（V_GS=0V，短接），持续栅源电压为±20V，耗散功率为240W（T_C=25℃），允许通过的漏极持续电流为85A（T_C=25℃ ），漏极峰值电流为340A，漏源导通电阻<9.1mΩ,工作结温和存储温度范围-55~+150℃，产品适用于DC/DC转换器，电源，直流驱动器，电动工具，商业/工业级应用等领域。产品封装及尺寸图如下所示：

主要特征

采用先进的沟道技术
低导通电阻
开关速度快
低栅极电荷
高雪崩能量
符合RoHS、REACH标准，以及Conflict Minerals（冲突矿产）的管理规定

典型应用

DC/DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
商业级/工业级应用

机械参数

管/卡纸带包装：30/450
重量约6g
外壳材料的阻燃等级：UL 94V-0
焊接和装配条件：260℃/10s，MSL（湿度敏感等级）=1

最大额定值

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全部评论（1）

WilberTse Lv6. 高级专家 2022-05-18

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Drain Source Voltage VDS[V]

Drain Current ID[A]

Junction Temperature Tjmax[℃]

Polarity pol

Power Dissipation Ptot [W]

Peak Drain Current IDM [A]

Threshold Voltage VGSth[V]

On-Resistance RDSon[Ω]