【产品】700V超结功率MOSFET TPX70R360M系列，单脉冲雪崩能量为215mJ

时间： 2019-10-24 来源：无锡紫光微电子

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超结功率MOSFET,TPA70R360M,TPD70R360M,TPP70R360M

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TPA70R360M，TPD70R360M，TPP70R360M和TPU70R360M的超结功率MOSFET。分别采用了TO-220F，TO-252，TO-220和TO-251封装。

TPX70R360M系列的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃，可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压为700V，栅源电压为±30V，脉冲漏极电流为33A，重复雪崩能量0.32mJ。连续漏极电流在25℃时为11A，在100℃时为6.6A。单脉冲雪崩能量为215mJ，雪崩电流为1.8A，具有较好的抗浪涌性。

TPX70R360M系列的特点：

•极低FOM RDS(on) x Qg

•100%雪崩测试

•符合ROHS标准

TPX70R360M系列的应用：

•开关模式电源(SMPS)

•不间断电源(UPS)

•功率因数校正(PFC)

TPX70R360M系列的封装和内部电路：

TPX70R360M系列标记和封装信息：

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全部评论（1）

好运常伴吾 Lv8. 研究员 2019-10-25

学习了

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
TTD30N10AT	N-Channel Trench MOSFET	100	20	22	27	1	2.4	4529	37	TO-252

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产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

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产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

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