【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602,结温高达175℃

2022-05-09 ROHM
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S4602ROHM公司推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片,其漏源电压最小值为1200V,连续漏极电流81A(VGS=VGS_on),静态漏源导通电阻典型值仅为18.0mΩ(VGS=18V, ID=42A,Tvj=25°C)。该产品具有低导通电阻、快速开关速度、快速反向恢复、易于并联等特点,非常适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等应用领域。

 

图1 产品内部电路图

产品特点:

●低导通电阻

●快速开关速度

●快速反向恢复

●易于并联

●驱动简单

 

产品应用场合:

●太阳能逆变器

●DC/DC转换器

●开关电源

●感应加热

●电机驱动

 

绝对最大额定值:(Tc=25℃)

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • 拾一 Lv7. 资深专家 2022-05-17
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  • 84905662ll Lv4. 资深工程师 2022-05-11
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  • WilberTse Lv6. 高级专家 2022-05-10
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