【产品】650V/29A的N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF,导通阻抗只有120mΩ

2018-12-06 ROHM
碳化硅功率MOSFET,N沟道碳化硅功率MOSFET,N沟道功率MOSFET,SCT2120AF 碳化硅功率MOSFET,N沟道碳化硅功率MOSFET,N沟道功率MOSFET,SCT2120AF 碳化硅功率MOSFET,N沟道碳化硅功率MOSFET,N沟道功率MOSFET,SCT2120AF 碳化硅功率MOSFET,N沟道碳化硅功率MOSFET,N沟道功率MOSFET,SCT2120AF

SCT2120AFROHM公司推出的一款N沟道碳化硅功率MOSFET,其最大漏源电压为650V;在TC= 25°C时,其持续漏极电流为29A,脉冲漏极电流为72A,栅源电压范围为-6~+22V,其具有较大的电流承载能力,可避免器件被来自电力线或系统内部的浪涌造成的冲击损坏。N沟道碳化硅功率MOSFET  SCT2120AF封装形式为TO-220AB插针封装,其中1引脚为栅极,2引脚为漏基,3引脚为源基;其结温热阻典型值为0.7℃/W,功耗最大为165W,储存温度范围为-55~175℃,结温最高可达到175℃,工作温度范围广,能够满足恶劣环境工作要求。


N沟道碳化硅功率MOSFET  SCT2120AF在VDS=650V,VGS=0V,TJ=25℃条件下,其漏极电流典型值为1uA;在VGS=+22V,VDS=0V条件下,其栅源泄漏电流最大为100nA,在VGS=-6V,VDS=0V条件下,其栅源泄漏电流最大为-100nA;在VDS=VGS,ID=3.3mA条件下,其栅源阈值电压范围为1.6V~4V;另外N沟道碳化硅功率MOSFET  SCT2120AF在VGS=18V,ID=10A,TJ=25℃条件下,其静态漏源导通电阻典型值为120mΩ,其具有导通阻抗低、切换速度快、反向恢复快速、易于并联和驱动简单等优势,且不含铅并符合ROHS标准,可用于太阳能逆变器、DC / DC转换器、开关电源、感应加热和电机驱动等场合。

图1 N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF外形和内部电路图

 

N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的产品特性及优势:

•低导通阻抗

•切换速度快

•反向恢复快速

•易于并联

•驱动简单

•不含铅,符合ROHS标准

 

N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的主要应用:

•太阳能逆变器

•DC / DC转换器

•开关电源

•感应加热

•电机驱动


N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的包装规格:

图2 N沟道碳化硅功率MOSFET SCT2120AF的包装规格

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由jiandan翻译自ROHM,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【产品】ROHM新推第四代碳化硅功率MOSFET器件SCT4062KR,漏源电压为1200V

ROHM推出了第四代碳化硅功率MOSFET器件SCT4062KR,与传统产品相比,导通电阻与开关损耗更低,且采用带有驱动源端子的4引脚TO-247-4L封装,可最大限度地发挥器件的高速开关性能特点。

2022-03-31 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】1200V/43A车规级N沟道碳化硅功率MOSFET SCT4036KEHR,耗散功率可达176W

罗姆推出的SCT4036KEHR是一款车规级N沟道碳化硅功率MOSFET。该器件无铅电镀,符合AEC-Q101和RoHS标准。在绝对最大额定值方面,其漏源电压为1200V,脉冲漏极电流为84A,等效结温为175℃,存储温度范围为-40℃~+175℃。

2022-06-19 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602,结温高达175℃

S4602是ROHM推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片,漏源电压1200V,连续漏极电流81A,静态漏源导通电阻典型值仅为18mΩ(VGS=18V, ID=42A,Tvj=25°C),适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等场合。

2022-05-09 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】漏源电压650V的N沟道碳化硅功率MOSFET WM2A020065K,导通电阻典型值20mΩ

中电国基南方推出WM2A020065K的N沟道碳化硅功率MOSFET,采用TO-247-3封装,漏源电压最大额定值为650V,连续漏极电流为92A,RDS(on)的典型值为20mΩ。用于电动汽车充电,服务器电源,太阳能光伏逆变器,UPS等领域。

2023-03-01 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】采用TO-247-3封装的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K,连续漏极电流的最大额定值为5A

中电国基南方推出的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A01K170K,采用TO-247-3封装,具有高击穿电压、低导通电阻、高速开关和低电容值等特点。在Tc=25℃时,其漏源电压的最大额定值为1700V(VGS=0V,ID=100μA)。

2023-03-10 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

YJD212060T2GHQ碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)

描述- 本资料介绍了YJD212060T2GHQ型碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关等特点,适用于电力因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。

型号- YJD212060T2GHQ

18-Sep-24  - 扬杰科技  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务

ASZM025065P N沟道碳化硅功率MOSFET

描述- 本资料详细介绍了ASZM025065P型N沟道碳化硅功率MOSFET的产品特性、电气特性、典型特性和封装信息。该产品采用宽禁带SiC MOSFET技术,具有高阻断电压、低导通电阻、低电容和高速开关等特性,适用于开关电源、可再生能源、电机驱动和高电压DC/DC转换器等领域。

型号- ASZM025065P

2024/06/19  - 安邦  - 数据手册  - Revision C 代理服务 技术支持 采购服务

GMS650170P 9A,1700V N沟道碳化硅功率MOSFET

描述- 该资料介绍了GOOD-ARK Electronics生产的GMS650170P硅碳化物功率MOSFET的特性、电气特性、热特性以及封装尺寸。产品具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和快速体二极管等特点,适用于开关电源、DC/DC转换器、太阳能逆变器、电池充电器和电机驱动等领域。

型号- GMS650170P

2022.10.20  - 固锝  - 数据手册  - Rev.A 代理服务 技术支持 采购服务

YJD206520TLGH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)

描述- 该资料详细介绍了YJD206520TLGH型号的碳化硅功率MOSFET的特性,包括其电气参数、机械数据、最大额定值、静态电气特性、动态电气特性、开关特性、体二极管特性、热特性、典型特性和封装尺寸。该产品适用于功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动、光伏逆变器、电动汽车和充电器等领域。

型号- YJD206520TLGH

2024/6/4  - 扬杰科技  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

YJD212080NCTGH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)

描述- 本资料详细介绍了YJD212080NCTGH型碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作等特点,适用于功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动等领域。

型号- YJD212080NCTGH

31-Jul-24  - 扬杰科技  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务

SCH2080KE N沟道SiC功率MOSFET与SiC SBD共封装数据表

描述- 本资料为ROHM公司生产的SCH2080KE型号SiC功率MOSFET的数据手册。该器件是一款N通道碳化硅(SiC)功率MOSFET,与SiC二极管共封装。其主要特点是低导通电阻、快速开关速度和反向恢复时间,适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、感应加热和电机驱动等领域。

型号- SCH2080KE

30.Oct.2018  - ROHM  - 数据手册  - rev.003 代理服务 技术支持 采购服务

YJD206525T2GH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)

描述- 本资料详细介绍了YJD206525T2GH型号碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频操作等特点,适用于电力因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。

型号- YJD206525T2GH

06-Mar-24  - 扬杰科技  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务

YJD212080NCFGH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)

描述- 本资料详细介绍了YJD212080NCFGH型碳化硅功率MOSFET的特性、参数和应用领域。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性,适用于功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动、光伏逆变器、电动汽车及其充电器等领域。

型号- YJD212080NCFGH

31-Jul-24  - 扬杰科技  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务

YJD206520NCFGH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)

描述- 本资料介绍了YJD206520NCFGH型碳化硅功率MOSFET的特性、应用领域和机械数据。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关和高频操作等特点,适用于电源因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动器等领域。

型号- YJD206520NCFGH

2023/10/6  - 扬杰科技  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务 查看更多版本

YJD212060T2GH碳化硅功率MOSFET(N沟道增强型)

描述- 本资料详细介绍了YJD212060T2GH型碳化硅功率MOSFET的特性、应用领域和机械数据。该器件适用于功率因数校正、太阳能逆变器、不间断电源、电机驱动、光伏逆变器、电动汽车及其充电器等应用。

型号- YJD212060T2GH

26-Jun-24  - 扬杰科技  - 数据手册  - Rev.1.0 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:ROHM

品类:N-channel SiC power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:¥2.4531

现货: 100

品牌:ROHM

品类:Power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:High-Side Switch Driver IC

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:ROHM

品类:MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:金誉半导体

品类:同步整流器

价格:¥0.8875

现货: 1,000,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥6.0884

现货:196,984

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥3.9026

现货:70,020

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥4.8391

现货:58,195

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥2.3406

现货:31,360

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.2042

现货:27,370

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥6.6345

现货:20,200

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥3.9804

现货:15,203

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥7.2114

现货:15,000

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥1.5888

现货:11,726

品牌:RENESAS

品类:MOSFET

价格:¥2.6926

现货:8,020

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

ATP半导体冷板制冷器定制

可定制ATP TE Cooler的冷却功率:40~200W;运行电压:12/24/48V(DC);控温精度:≤±0.1℃; 尺寸:冷面:20*20~500*300;热面:60*60~540*400 (长*宽;单位mm)。

最小起订量: 1 提交需求>

笔电热管/高功率热管/平头热管定制

可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。

最小起订量: 10000 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面