【产品】铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP2035Q，采用了先进的沟槽技术，属于无铅产品
铨力半导体推出的N沟道增强型MOSFET AP2035Q，采用了先进的沟槽技术，属于无铅产品，具有出色的RDS (ON)和低栅极电荷，Ta=25℃，绝对最大额定值方面，漏源电压为20V。可用于PWM应用，负载开关以及电源管理。
特征
30V,70A
RDS (ON)<4mΩ @VGS=4.5V TYP=3.1mΩ
RDS (ON)<5.8mΩ @VGS=2.5V TYP=4.0mΩ
先进的沟槽技术
无铅产品
出色的RDS (ON)和低栅极电荷
应用
PWM应用
负载开关
电源管理
原理图、标记、引脚分配
封装标记和订购信息
绝对最大额定值（Ta=25℃ 除非另有说明）
MOSFET电气特性（Ta=25℃除非另有说明）
注意：
1.重复额定值：脉冲宽度受最大结温限制
2.EAS条件：TJ=25℃，VDD=15V，RG=25Ω，L=0.5mH
3.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%
4.表面安装在FR4板上，t≤10秒
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