【选型】国产N沟道MOSFET可替代2SK3730用于电动三偏心蝶阀设计，输入电容4100PF，通流80A
电动三偏心蝶阀由电动执行机构及三偏心金属密封阀体组成，其结构采用三维编心原理设计，阀座采用硬软密封兼容的多层次结构，三偏心蝶阀常用于化工设备的自动化生产线，通过电动执行器控制步进电机，从而驱动蝶阀的转速和位置从而在生产管道中调节化工原料完成流量配比的工艺需求。
三偏心蝶阀驱动器核心功率器件国产化替代项目中，推荐丽正国际的N沟道MOSFET RM80N75T2做H桥逆变电路功率MOSFET，保证供应和降低成本同时很好的实现了进口F品牌2SK3730的设计替代，降低了功耗，提高了稳定性。
三偏心阀门驱动器的母线电压为48V，步进电机额定工作电流35A，传统设计逆变电路由四个2SK3730组成H桥，2SK3730漏源电压Vdss 75V，漏极连续电流Id 70A。丽正国际RM80N75T2，漏源电压75V，漏极连续电流80A，在同等电压75V下，漏源电流有更大的裕量，提高了可靠性。
RM80N75T2的漏源导通电阻为6.5mΩ，比2SK3730 7.9mΩ小，MOSFET发热量少，稳定性高；RM80N75T2栅极总电荷Qg 90nc，比2SK3730 140nc小，在一定充电电流下，低Qg的MOSFET能快速度过开关区，总发热量低。RRM80N75T2的输入电容4100PF，比2SK3730 7800PF小，根据电容充放电曲线则功率损耗小，发热量低。
通过国产替代设计，降低了MOSFET功率损耗，降低了发热量，提高了可靠性，实现了在保证供应和降低成本的基础上提升了系统效率和可靠性,在三偏心蝶阀样机在现场运行测试三个月效果良好，很好实现了进口品牌的国产替代。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由daniel提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】650V/12A N沟道增强型MOSFET RMP12N65IP/LD/TI/T2
RMP12N65IP、RMP12N65LD、RMP12N65TI、RMP12N65T2是丽正国际推出的四款N沟道增强型MOSFET，该系列器件使用自对准平面工艺和改进的端子技术，可以减少传导损耗，提高雪崩能量。
新产品 发布时间 : 2019-11-19
【产品】40V/60A N沟道增强型MOSFET RM60N40LD
RM60N40LD是丽正国际推出的一款采用TO-252-2L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广泛适用于多种应用。在TC=25°C时，RM60N40LD可以承受的漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V，漏极连续电流最大额定值为60A，漏极脉冲电流最大额定值为200A，最大功率耗散为65W。
新产品 发布时间 : 2019-11-15
【产品】40V/40A的N沟道增强型功率MOSFET RM40N40DF，采用DFN5X6-8L封装
RM40N40DF是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，广适用于多种应用。
新产品 发布时间 : 2019-11-11
【产品】采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET RM100N60DFV，可提供优良的低导通电阻
RM100N60DFV是丽正国际推出的一款采用DFN5X6-8L封装的N沟道增强型功率MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术和设计，可以提供优良的低导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，该产品适用于多种应用。
产品 发布时间 : 2022-10-14
【产品】采用SOT23-6L塑料封装的双N沟道MOSFET 2N7002DS6
丽正国际推出型号为2N7002DS6的采用SOT23-6L塑料封装的双N沟道MOSFET。该产品具有灵敏的栅极触发电流和低保持电流，具有ESD保护二极管，其中ESD额定值为2200V HBM
新产品 发布时间 : 2019-10-26
【产品】±20V/±3A N沟道和P沟道增强型功率MOSFET RM2003，采用SOT-23-6L封装
丽正国际推出的RM2003是一款增强型功率MOSFET，包含一个N沟道MOSFET和一个P沟道MOSFET，该器件使用先进的沟槽技术来提供出色的RDS（ON）和极低的栅极电荷，互补MOSFET可用于形成电平移位的高变开关，并用于许多其他应用。RM2003采用SOT-23-6L封装。
新产品 发布时间 : 2019-10-24
【产品】集成N沟道和P沟道的增强型功率MOSFET RM2020ES9，导通电阻小，SOT-363-6L封装
丽正国际推出的增强型功率MOSFET，型号：RM2020ES9，内部集成N沟道和P沟道各一个MOSFET, 采用先进的沟道技术，提供优良的RDS(ON)和低栅极电荷，两个互补MOSFET可设计为一个电平位移（电平转换）的高边开关，也可应用于其它应用。采用SOT-363-6L封装。
新产品 发布时间 : 2019-11-01
【产品】100V/150A N沟道功率MOSFET RM150N100HD，导通电阻极小
丽正国际推出的RM150N100HD是一款N沟道MOSFET，该器件使用经过独特优化的Super Trench技术，可提供最高效的高频开关性能，在TC=25°C时，RM150N100HD可以承受的极限漏源电压为100V，极限栅源电压为20/-12V，可以承受的极限漏极连续电流为150A（封装限制），是高频开关和同步整流的理想选择。
新产品 发布时间 : 2019-10-21
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论