【产品】100V/±20A的N沟道功率MOSFET RD3P200SN，导通电阻最大值为46mΩ

时间： 2019-11-15 来源：ROHM

技术问答

罗姆(ROHM)推出的一款N沟道功率MOSFET RD3P200SN，漏源电压额定值为100V，连续漏极电流额定值为±20A，脉冲漏极电流额定值为±80A，适用于高压大电流应用。且其结壳热阻最大为6.25℃/W，能达到很好的散热性能。耗散功率额定值为20W，具有较高的可靠性。结温为150℃，工作结温和存储温度均为-55℃~150℃，符合工业级温度要求。

图1 RD3P200SN产品图及内部电路图

另外，在V_GS=10V, I_D=20A时，该功率MOSFET的静态漏源导通电阻最大值为46mΩ，导通损耗低。且导通延迟典型值为100ns，上升时间典型值为35ns，关断延迟典型值为150ns，下降时间典型值为100ns，具有超快开关速度，可以满足高频开关电路设计需求。

RD3P200SN N沟道功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

超快开关速度

驱动电路简单

易于并联使用

无铅电镀；符合RoHS标准

RD3P200SN N沟道功率MOSFET应用领域：

开关类应用

RD3P200SN功率MOSFET订购信息：

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