【产品】TO-252封装N沟道增强型场效应晶体管YJD40N04A，利用先进的沟槽功率低压MOSFET技术
扬杰科技推出的YJD40N04A型N沟道增强型场效应管，漏源电压最大额定值为40V，栅源电压最大额定值为±20V。Tc= 25℃条件下，器件的漏极电流可达40A，脉冲漏极电流最大额定值150A。器件采用TO-252封装，利用先进的沟槽功率低压MOSFET技术 ，符合RoHS标准。产品可用于大电流负荷应用，负荷开关，硬开关高频电路，不间断电源等领域。
此外，N沟道MOSFET YJD40N04A在Tc= 25℃条件下的功耗为60W。器件的结温和存储温度范围均为-55~+175℃，可以在严苛的温度环境下工作。器件的结壳热阻最大额定值为2.5℃/W，散热性能优异。
图1 产品外观和内部电路图
产品特征：
漏源电压最大额定值为40V
漏极电流（Tc = 25℃）可达40A
高密度单元设计，实现低导通电阻RDS（ON）：
静态漏源导通电阻不超过14mΩ（VGS=10V）;
静态漏源导通电阻不超过19mΩ（VGS=4.5V）;
通过100% UIS 测试
通过100%▽VDS 测试
沟槽功率低压MOSFET技术
TO-252封装，散热性能优异
应用领域：
●大电流负荷应用
●负荷开关
●硬开关高频电路
●不间断电源
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