【应用】威兆半导体SMD封装的MOSFET产品助力便携式储能电源轻巧、便携
便携式储能电源相当于一个大型的充电宝,具有发电、储电、变电、供电、监控、软硬件保护、调频、故障自检、故障恢复等几大功能聚一身,把家用储能光伏储能电站的理念,微型化后的产品,最大的特点是:摆脱“电线”限制,给各种电器长时间供电,交流电,直流电,而且轻巧、便携。
图 1
方案拓扑
图 2
方案产品
表 1
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威兆半导体MOSFET选型表
提供威兆半导体MOSFET选型:电压范围为-100V-1500V,沟槽工艺,雪崩能力强,中低频应用,屏蔽栅工艺,平面工艺,雪崩能力强,大电流应用,多层外延,极低RDSON,更优的动态参数,高频应用
产品型号
|
品类
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Type
|
BVDSS[V]
|
VGS[V]
|
VTH[V]
|
ID[A]
|
PD[W]
|
RDON Typ * [mohm] @VGS=4.5V
|
RDON Typ * [mohm] @VGS=2.5V
|
Ciss[pF]
|
Coss[pF]
|
Crss[pF]
|
Qg(10V)[nC]
|
Package
|
VSA007N02KD
|
MOSFET
|
Dual-N
|
20
|
±10
|
0.4~1.0
|
13
|
2
|
7.4
|
9.4
|
1225
|
200
|
170
|
15
|
TDFN2x3-6L
|
选型表 - 威兆半导体 立即选型
VS3614GE 30V/31A N沟道高级功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了VS3614GE这款30V/31A N-Channel Advanced Power MOSFET的特性,包括其增强模式、低RDS(on)以减少导通损耗、VitoMOS®Ⅱ技术等。资料还提供了该产品的电气特性、热特性、典型特性和封装信息。
型号- VS3614GE
HCCW120R080H1 1200V/80mΩN沟道SiC功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了Vergiga Semiconductor Co., Ltd生产的HCCW120R080H1型1200V/80mΩ N-Channel SIC Power MOSFET。该器件具有高速开关、低导通电阻、极低开关损耗、可控dv/dt、雪崩 ruggedness和100%雪崩测试等特性,适用于高电压、高电流应用。
型号- HCCW120R080H1
VSU070N65HS3 650V/48A N沟道高级功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了Vergiga Semiconductor Co., Ltd生产的VSU070N65HS3型号650V/48A N-Channel Advanced Power MOSFET。资料涵盖了产品的特性、电气特性、热特性、开关特性、典型特性、标记信息、封装尺寸等详细信息。
型号- VSU070N65HS3
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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