【产品】256M x 8 bit高速CMOS DDR2同步动态随机存取存储器AS4C256M8D2A-25BCN

时间： 2020-03-17 来源：Alliance

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同步动态随机存取存储器,CMOS DDR2,SDRAM,AS4C256M8D2A-25BCN

AS4C256M8D2A-25BCN是一款由美国ALLIANCE Memory公司推出的高速CMOS DDR2 同步动态随机存取存储器（SDRAM），其总容量可达2Gb，由8组DRAM内存构成，结构为32Mbit x 8 I/Os x 8组DRAM。

这款产品在设计上完全依照了DDR2 DRAM的关键特性，例如发布具有附加延迟的CAS#，写延迟=读延迟-1，片外驱动器（OCD）阻抗调节以及内置终端电阻器（ODT）。由一对外部提供的差分时钟来实现所有控制和地址输入的同步。输入在差分时钟信号的交叉点（CK上升，CK#下降）被锁存。所有的I/O接口使用源同步的方式，通过一对双向选通脉冲（DQS和DQS#）进行同步。地址总线是在RAS#和CAS#复用模式下，用来传送行、列和组地址信息的。访问动作从注册Bank Activate命令开始，然后是Read或Write命令。DDR2 SDRAM的读写访问是一个4或8位的突发操作，访问从选定的位置开始，并以编程的顺序继续访问编程的位置数。这8组存储体在操作选用交错式的方式，使所有访问尽量是一个随机模式，而不集中在某一个DRAM上。自动预充电功能的设置，是为了在突发操作序列结束时，进行一个自定时的行预充电操作。根据突发长度、CAS延迟和设备的速度等级，可以实现顺序和无间隙数据速率。

主要特征：

• 符合JEDEC标准

• JEDEC标准1.8V I/O接口（兼容SSTL_18）

• 电源V_DD和V_DDQ=+1.8V±0.1V

• 符合JEDEC时钟振荡频率规范

• 完全同步工作

• 频率高达400MHz的时钟频率

• 8组内存并行工作

• 4位预取架构

• 预充电和主动断电

• 可编程模式寄存器和扩展模式寄存器

• 突发操作长度：4或8位

• 突发操作模式：顺序或交错模式

• DLL启用/禁用

• 片外驱动调整（OCD），阻抗调整，可调节的数据输出驱动强度

• 符合RoHS标准

• 自动刷新和自刷新功能

• 8192刷新周期/ 64ms

• 60引脚 8 x 10 x 1.2mm（最大）FBGA封装

-无铅无卤素

表1 速度等级信息

表2 订购信息

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产品型号	品类	Product Family	DENSITY	ORGANISATION	VCC(V)	TEMPERATURE RANGE(°C)	PACKAGE	MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN	存储器	FAST-Asynch	64K Fast	8K x 8	5V	Commercial (0 ~ 70°C)	28pin SOJ(300mil)	3

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