【产品】N沟道超结功率MOSFET SL11N65C，漏源电压高达650V，连续漏极电流高达11.5A

时间： 2023-06-01 来源：SLKOR

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功率MOSFET,N沟道超结功率MOSFET,SL11N65C,SL11N65CK

SLKOR推出的N沟道超结功率MOSFET SL11N65C，T_C=25℃，绝对最大额定值方面，漏源电压（V_GS=0V）V_DS高达650V，连续漏极电流高达11.5A，该器件是采用了新技术的高压器件，具有低导通电阻和低导通损耗，经过100%雪崩测试，符合ROHS。

原理图

特点：

采用了新技术的高压器件

低导通电阻和低导通损耗

小封装

超低栅极电荷降低了驱动要求

100%雪崩测试

符合ROHS

应用

功率因数校正（PFC）

开关电源（SMPS）

不间断电源（UPS）

封装标记和订购信息

绝对最大额定值（T_C=25℃）

*受最高结温限制

热特性

电气特性（TA=25℃，除非另有说明）

Notes：

1.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制

2.Tj=25℃，VDD=50V，VG=10V，R_G=25Ω

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