【产品】N沟道超结功率MOSFET SL11N65C，漏源电压高达650V，连续漏极电流高达11.5A
SLKOR推出的N沟道超结功率MOSFET SL11N65C，TC=25℃，绝对最大额定值方面，漏源电压（VGS=0V）VDS高达650V，连续漏极电流高达11.5A，该器件是采用了新技术的高压器件，具有低导通电阻和低导通损耗，经过100%雪崩测试，符合ROHS。
原理图
特点：
采用了新技术的高压器件
低导通电阻和低导通损耗
小封装
超低栅极电荷降低了驱动要求
100%雪崩测试
符合ROHS
应用
功率因数校正（PFC）
开关电源（SMPS）
不间断电源（UPS）
封装标记和订购信息
绝对最大额定值（TC=25℃）
*受最高结温限制
热特性
电气特性（TA=25℃，除非另有说明）
Notes：
1.重复额定值：脉冲宽度受最高结温限制
2.Tj=25℃，VDD=50V，VG=10V，RG=25Ω
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