【产品】可高温操作的SiC MOSFET模块ASC800N1200HPD,超低损耗<10nH
ASC800N1200HPD是爱仕特推出的一款SiC MOSFET模块,其具有超低损耗、高频操作、易于并联等特点。其系统优势包括:实现紧凑、轻便、高效的系统,恶劣的室外环境安装,减轻过压保护,降低热需求,降低系统成本。
绝对最大额定值(TC=25℃)方面,其漏源电压为1200V,漏极电流为800A,漏极电流(脉冲)为1600A,杂散电感为8.5nH,耗散功率(TC=25°C)为1250W,结温为175℃,工作和存储温度范围均为-40℃至+150℃。
电气特性(TC=25℃)方面,其静态漏源导通电阻的典型值仅为2.0mΩ(VGS=20V, ID=400A),栅极阈值电压的最小值为2.0V(VDS=VGS, ID=160mA)。ASC800N1200HPD的封装尺寸为154.5mm x 126.5mm x 32mm。
特点:
• 高温、湿度和偏压操作
• 超低损耗<10nH
• 高频操作
• 来自MOSFET的零关断尾电流
• 常闭、故障安全设备操作
• 易于并联
• 铜基板和氮化硅绝缘体
系统优势:
• 实现紧凑、轻便、高效的系统
• 恶劣的室外环境安装
• 减轻过压保护
• 降低热需求
• 降低系统成本
订购信息:
绝对最大额定值(TC=25℃,除非另有说明)
电路图:
封装图:
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