【产品】可高温操作的SiC MOSFET模块ASC800N1200HPD，超低损耗＜10nH

时间： 2022-08-01 来源：爱仕特

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ASC800N1200HPD是爱仕特推出的一款SiC MOSFET模块，其具有超低损耗、高频操作、易于并联等特点。其系统优势包括：实现紧凑、轻便、高效的系统，恶劣的室外环境安装，减轻过压保护，降低热需求，降低系统成本。

绝对最大额定值（T_C=25℃）方面，其漏源电压为1200V，漏极电流为800A，漏极电流（脉冲）为1600A，杂散电感为8.5nH，耗散功率（T_C=25°C）为1250W，结温为175℃，工作和存储温度范围均为-40℃至+150℃。

电气特性（T_C=25℃）方面，其静态漏源导通电阻的典型值仅为2.0mΩ（V_GS=20V, I_D=400A），栅极阈值电压的最小值为2.0V（V_DS=V_GS, I_D=160mA）。ASC800N1200HPD的封装尺寸为154.5mm x 126.5mm x 32mm。

特点：

• 高温、湿度和偏压操作

• 超低损耗<10nH

• 高频操作

• 来自MOSFET的零关断尾电流

• 常闭、故障安全设备操作

• 易于并联

• 铜基板和氮化硅绝缘体

系统优势：

• 实现紧凑、轻便、高效的系统

• 恶劣的室外环境安装

• 减轻过压保护

• 降低热需求

• 降低系统成本

订购信息：

绝对最大额定值（T_C=25℃，除非另有说明）

电路图：

封装图：

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