NOVOSENSE NST1002 Temperature Sensor Facilitates Accurate CGM Measurement with Glucose Monitoring Black Technology

时间： 2023-06-16 来源：NOVOSENSE News

Glucose monitoring is a key link in diabetes management. Currently, there are two main methods for self-monitoring of glucose in patients with diabetes, one is traditional blood glucose Monitoring (BGM), and the other is continuous glucose monitoring (CGM). CGM can provide dynamic, comprehensive, and reliable whole-day glucose information to understand the trend of glucose fluctuations and find hidden hyperglycemia and hypoglycemia, thus becoming a new trend in glucose monitoring.

Principle and technical difficulties of CGM

CGM allows real-time monitoring of glucose concentration in subcutaneous tissue fluid by implanting glucose sensors. The sensor is the core component of a CGM system with high barriers, which directly determines whether the measurement results of the CGM system are accurate. Sensor electrodes, film layers, sensing layers, and calibration algorithm are also the key to determining the performance.

The CGM system measures the glucose concentration in interstitial fluid. Although there is a high correlation with glucose concentration, the difference between the two is not constant. There are great differences between concentration difference and the time to reach concentration equilibrium in different physiological states such as rest, post-meal, exercise, respiration, and hypoxia. In addition, factors such as electrode passivation and exotic reactant coating on the surface of the sensor will also cause the sensitivity of the sensor to change with the change of implantation time. In the actual application, environmental temperature, external pressure, and other factors can bring measurement errors.

The above problems can be solved by the calibration algorithm. In the calibration algorithm model, as an important variable, the ambient temperature or body surface temperature has an important impact on the effectiveness of the algorithm model.

NST1002 facilitates accurate CGM measurement

The NOVOSENSE NST1002 is a high-precision, low-power temperature sensor that can sense changes in ambient temperature or body surface temperature in real-time and adjust the algorithm accordingly to make glucose monitoring more accurate.

Structure design and installation position of temperature sensor NST1002 applied in CGM

In the actual application of CGM products, the structure design and installation position of NST1002 is also very particular. In terms of structure design, NST1002 can be close to the skin of the body surface to achieve accurate collection of body surface temperature, so as to provide more effective data.

With accumulated rich experience in surface temperature acquisition solutions, NOVOSENSE temperature sensors can help customers quickly complete product structure design and material selection. The flexible probe of the interstitial fluid glucose sensor is less than 0.4 mm in diameter and can be inserted 5mm below the skin to ensure accurate sensing of glucose concentration in the interstitial fluid outside the cells.

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型号- MK71511,BH1620,KX134-1211,BU52792,SML-810TB,BM1383A,SCM-014TB,BH1721FVC,BH1749NUC,BM1422A,RPMD-0100,SIM-040ST,BH1726,BU27006,SCM-013RT,BM1386GLV,SML-H10TB,BU7242NUX,BH1730,MK71521,BH1792,SML SERIES,KXTJ3-1057,KX132-1211,BH1790,RPR-0701,RPR-0521RS,SIM-030ST,RPI-1035,BU52494,BU52098,LM7631,LM7630,SMLM13RT

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具有共模磁场抑制和过流保护功能的NSM2015霍尔效应电流传感器IC数据手册

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型号- NSM2015-40B5F-Q1SWR,NSM2015-50B5F-DSWR,NSM2015-40B3F-Q1SWR,NSM2015,NSM2015-66B5F-Q1SWR,NSM2015-66B3F-Q1SWR,NSM2015-20B5F-Q1SWR,NSM2015-100B5F-Q1SWR,NSM2015-80B3F-Q1SWR,NSM2015-50B5F-Q1SWR

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NSM2015-Q1具有共模磁场抑制和过流保护功能的霍尔效应电流传感器IC数据手册（EN）1.6

描述- NSM2015-Q1是一款集成式路径电流传感器，具有极低的导通电阻（0.85mΩ），有效降低芯片上的热量损失。采用NOVOSENSE创新隔离技术和信号调理设计，能够在高隔离水平下感应内部母排中的电流。内部使用差分霍尔对，对外部杂散磁场具有强免疫力。NSM2015-Q1通过感应芯片下流经母排的电流产生的磁场来间接检测电流。与Shunt+隔离运算放大器的电流采样方法相比，NSM2015-Q1无需主侧电源，具有简单方便的布局。同时，它具有极高的隔离耐压和寿命稳定性。在高侧电流监测应用中，NSM2015-Q1可达到1550Vpk的工作电压，并且无需添加任何保护装置即可承受10kV浪涌电压和13kA浪涌电流。

型号- NSM2015-20B5F-Q1SWR,NSM2015-80B3F-Q1SWR,NSM2015-50B5F-DSWR,NSM2015-40B5F-Q1SWR,NSM2015-100B3F-Q1SWR,NSM2015-66B3FD-Q1SWR,NSM2015-30B5F-Q1SWR,NSM2015-Q1,NSM2015-40B3F-Q1SWR,NSM2015-66B5F-Q1SWR,NSM2015-66B3F-Q1SWR,NSM2015-100B5F-Q1SWR,NSM2015-50B5F-Q1SWR,NSM2015-50B3F-Q1SWR

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具有共模场抑制和过流保护功能的NSM2019霍尔效应电流传感器IC数据手册

描述- NSM2019是一款基于霍尔效应的电流传感器集成电路，具有共模磁场抑制和过流保护功能。该芯片采用NOVOSENSE创新隔离技术和信号调理设计，可实现高隔离水平的同时感应内部母线上的电流。其主要特点包括低内阻、高带宽、快速响应时间、宽工作电压范围、高绝缘耐压等。

型号- NSM2019-50B3F1-DSWCR,NSM2019-100B3F1-DSWCR,NSM2019-50B5FX-Q1SWCR,NSM2019-110B3F1-DSWCR,NSM2019,NSM2019-150U5F3-DSWCR,NSM2019-200B5F2-DSWCR,NSM2019-150B5F3-DSWCR,NSM2019-50B5F1-DSWCR,NSM2019-80B5F1-DSWCR,NSM2019-100U5F3-DSWCR,NSM2019-100B5F3-DSWCR,NSM2019-100U5R1-DSWCR,NSM2019-75B5F3-DSWCR,NSM2019-80B3F1-DSWCR,NSM2019-180B5F1-DSWCR

2023/11/1 - 纳芯微电子 - 数据手册 - Revision 0.13

NOVOSENSE Launched NSM2015/NSM2016 Series Hall-effect Current Sensor Chip with High Isolation and Overcurrent Protection Function

The NSM2015 / NSM2016 Hall-effect current sensor chip launched by NOVOSENSE is a fully integrated high isolation current sensor solution with extremely low primary side conduction resistance, which can provide sufficient accurate current measurement without the need for external isolation components.

2023-04-22 - 新产品

NSM2011高精度、基于霍尔效应、具有共模场抑制功能的电流传感器IC，采用5kV高隔离封装数据手册（EN）1.3

描述- NSM2011是一款高精度、基于霍尔效应的电流传感器IC，具有5kV高隔离特性。该产品具有极低的导通电阻（0.85mΩ），有效降低芯片上的热量损失。NOVOSENSE的创新隔离技术和信号调理设计能够在高隔离水平下检测通过内部母线的电流。内部使用差分霍尔对，对外部杂散磁场具有很强的免疫性。NSM2011通过感应芯片下流经母线的电流产生的磁场来间接检测电流。与Shunt+隔离运算放大器的电流采样方法相比，NSM2011消除了对主侧电源的需求，具有简单方便的布局。同时，它具有极高的隔离耐压和寿命稳定性。在高压侧电流监测应用中，NSM2011可以达到1550Vpk的工作电压，并且可以承受10kV浪涌电压和13kA浪涌电流，无需添加任何保护装置。

型号- NSM2011-100B5R-DSWR,NSM2011-30U5R-DSWR,NSM2011-20B3R-DSWR,NSM2011-65B3R-DSWR,NSM2011-20B5R-DSWR,NSM2011-30B5R-DSWR,NSM2011-65B5R-DSWR,NSM2011,NSM2011-50U5R-DSWR,NSM2011-50B5R-DSWR,NSM2011-30B3R-DSWR

2024/4/29 - 纳芯微电子 - 数据手册 - Revision 1.3

NSA2862x：用于物联网的通用传感器调节器

描述- NSA2862X是一款专为物联网应用设计的集成传感器调理器。它适用于电阻式或电压输出型传感器，如电阻桥压力传感器、热电偶、RTD等。该芯片集成了24位主信号测量通道、24位温度测量通道、传感器校准逻辑、一对恒流源和一个16位DAC。它可以提供三种数字输出（I2C、SPI和OWI）。NSA2862X具有高完整性，可实现非常紧凑的PCB设计，外部组件极少。内置MCU内部的校准算法支持补偿零点和量程的温度漂移至二阶，并线性度至三阶。此外，NSA2862X还具有低功耗待机模式，仅消耗小于100nA电流。

型号- NSA2862X-DQNR,NSA2862X

2020/7/15 - 纳芯微电子 - 数据手册 - Revision 1.0

带数字温度校准的NSA2300通用传感器调节器

描述- NSA2300是一款高度集成的低功耗高精度传感器调理器，适用于通用电阻桥式传感器。它具备低噪声仪器放大器、低功率24位Σ-Δ模数转换器（ADC）、数字传感器校准DSP和12位DAC。该芯片可提供片上数字补偿，包括传感器偏移、增益、温度漂移和非线性的校正，支持多种温度传感方法，并提供固定电平或比例模拟输出。

型号- NSA2300_QBW,NSA2300-QMOR,NSA2300-QSOR,NSA2300

2020/6/3 - 纳芯微电子 - 数据手册 - Revision 2.1

纳芯微电子携全系列传感器产品闪耀2024 Sensor China

9月11日-13日，2024年中国（上海）国际传感器技术与应用展览会在上海举办。作为国内领先的高性能高可靠性模拟及混合信号芯片公司，纳芯微电子不仅携最新的传感器产品及解决方案亮相此次展会，还通过丰富精彩的展品展示与现场演示，向大家展示了其在汽车、工业和消费电子等领域的深厚积累与创新实力。

2024-10-16 - 原厂动态

NSPAS3系列汽车绝对压力传感器规格书

描述- NOVOSENSE推出的NSPAS3系列汽车绝对压力传感器适用于真空增压和Auto TMAP市场。该系列产品采用汽车级ASIC校准并补偿MEMS传感元件，将10kPa至400kPa的压力信号转换为可定制的模拟输出信号（0~5V）。该系列在保证产品可靠性的同时，两个芯片集成封装，大幅减小了封装尺寸。具有高精度压力感应能力，优于±1%F.S.的初始精度，适合需要在恶劣汽车温度和应力条件下长期保持小漂移的应用。

型号- NSPAS3N250RRB1,NSPAS3N250RRD3,NSPAS3N120RRK3,NSPAS3N120RRK1,NSPAS3N300RRF2,NSPAS3N120ARK5,NSPAS3N100AR10,NSPAS3N107RRD4,NSPAS3N400RRM4,NSPAS3N115RR02,NSPAS3N115RR01,NSPAS3N100RRK6,NSPAS3N120RRD7,NSPAS3N391RRM3,NSPAS3N107RRD2,NSPAS3N102RRH1,NSPAS3N107RR11,NSPAS3N250RR08,NSPAS3N115RRD1,NSPAS3N165RRE2,NSP(AS3)(N)(115)(R)(R)(01),NSPAS3 SERIES,NSPAS3N102RRD8,NSPAS3N165RRE1,NSPAS3N350RRD6,NSPAS3N300RRM8,NSPAS3,NSPAS3N241RRM1,NSPAS3N300RRC1,NSPAS3N160RRK7,NSPAS3N350RRD5,NSPAS3N400RRF1,NSPAS3N115RR04,NSPAS3N102RR07,NSPAS3N115RR03,NSPAS3N115RR06,NSPAS3N115RR05,NSPAS3N350RRM5,NSPAS3N115RRK2,NSPAS3N350RRK4,NSPAS3N350RRM6,NSPAS3N115RRG1,NSPAS3N115RRM7,NSPAS3N120RRK8,NSPAS3N115RRA1,NSPAS3N150RRC2,NSPAS3N261RRM2

2022/05/11 - 纳芯微电子 - 数据手册 - Revision 1.6 查看更多版本

NSM2016具有共模磁场抑制和过流保护功能的霍尔效应电流传感器IC数据手册（CN）1.0

型号- NSM2016-20B5F-DSPR,NSM2016,NSM2016-20U5F-DSPR,NSM2016-30U3F-DSPR,NSM2016-25B3F-DSPR,NSM2016-45B5F-DSPR,NSM2016-30B3F-DSPR,NSM2016-50B5F-DSPR,NSM2016-50B3F-DSPR,NSM2016-50U5F-DSPR

2023/12/08 - 纳芯微电子 - 数据手册 - Revision 1.0

NSPAS1系列汽车绝对压力传感器数据表（EN）4.0

描述- NOVOSENSE推出的NSPAS1系列汽车绝对压力传感器适用于真空增压、摩托车MAP和Auto TMAP市场。该系列产品采用车规级ASIC校准并补偿MEMS传感元件，将10kPa至400kPa的压力信号转换为可定制的模拟输出信号（0~5V）。该系列在保证产品可靠性的同时，两个芯片集成封装，大大减小了封装尺寸。此系列在初始精度方面表现出色，适合需要小漂移的恶劣汽车温度和应力条件下的应用。

型号- NSPAS1N300RR10,NSPAS1,NSPAS1N165RRS1,NSPAS1N400RR33,NSPAS1N200RR25,NSPAS1N115RR27,NSPAS1N105RR35,NSPAS1N120RRA1,NSPAS1N115RR01,NSPAS1N115RR02,NSPAS1N350RR46,NSP(AS1N)(115)(R)(R)(01),NSPAS1 SERIES

2024/4/29 - 纳芯微电子 - 数据手册 - Revision 4.0