【应用】800Mbps/pin读写速率的DDR2 SDRAM，助力车载设备实现大量数据缓存

时间： 2017-08-11 来源：世强作者：垂文

技术问答

车载在汽车上使用的产品，方便在汽车运动中使用，大家最常见的是车载MP3、MP4、GPS、DVD、车载导航等。丰富的车载产品可以提升用户的体验。车载产品主要由处理运算单元、储存单元、交互单元、数据采集单元和电源管理单元组成。

以车载导航（图1）为例，在众多车载产品中，会产生相当大的信息量，储存单元（数据缓存）便是一个不可忽视的重要环节，产品设计中常采用SDRAM。

图1：车载导航原理框图

车载数据储存单元主要用ALLIANCE DDR2 AS4C128M16D2A-25BIN，该芯片是第二代高速CMOS双倍数据率同步动态随机存储器（DDR2 SDRAM），存储器容量为2G，其I/O口宽16bit速度可达2048Mbit。它将输出数据同步到系统时钟以实现高速数据读写操作，其在应用中的最高读写速率可达800Mbps/pin，实现数据快速交换，提高工作效率。该款SDRAM由一对外部提供的差分时钟来实现所有控制和地址输入的同步，所有I/Os以源同步的方式与一组双向选通信号（DQS和DQS#）同步，并采用完全同步操作。与标准DRAM相比，该芯片以交织方式操作八个存储单元，从而实现以更高速率完成随机存取操作的可能。以上可知，AS4C128M16D2A-25BIN完全符合车载导航数据存储单元的高速率的需求。

Alliance Memory公司SDRAM产品具有超强稳定的品质，优势性价比，可以完全兼容SAMSUNG、MICRON、ISSI、HYNIX等同类产品型号，且不需要任何设计方面的修改。不改版、不停产、货期短的特点，使其成为生产厂家争相选用，可以有力的保障客户设计与生产。

AS4C128M16D2A-25BIN主要特性：

• JEDEC标准

• 电压供应：VDD&VDDQ=+1.8V±0.1V

• 工作温度范围：商业（0~85°C），工业（-40~95°C）

• 支持JEDEC时钟抖动规范

• 完全同步操作

• 快速时钟频率：400MHz

• 差分时钟：CK&CK#

• 双向差分数据选通信号-DQS&DQS#

• 8个内部扇区并行操作

• 4位预取架构

• 可编程模式和外部扩展模式寄存器

• 写入延迟=读取延迟1TCK

• 可编程突发长度：4，8

• 突发类型：顺序/交错

• DLL启用/禁用

• 芯片驱动（OCD）：阻抗调整，可调数据输出驱动器强度

• 车载终端（ODT）

• 符合ROHS认证

• 自动刷新和自我更新

• 8192刷新周期/64ms

• 平均周期：7.8μs@-40°C≦TC≦+85°C，3.9μs@+85°C＜TC≦+105°C

• 包装：84球8x12.5x1.2mm（max）FBGA封装，无铅和无卤素

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Alliance DDR2 AS4C128M16D2A-25BCN/25BIN数据手册详情>>>

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产品型号	品类	Product Family	DENSITY	ORGANISATION	VCC(V)	TEMPERATURE RANGE(°C)	PACKAGE	MSL LEVEL
AS7C164A-15JCN	存储器	FAST-Asynch	64K Fast	8K x 8	5V	Commercial (0 ~ 70°C)	28pin SOJ(300mil)	3

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型号- AS4C8M16SA-7TXN,AS6C2008A,AS6C62256-55SXN,AS4C2M32S-7BXN,AS4C64M4SA-6TIN,ASFC64G31T5-51BIN,AS4C8M32MD2A-25BPCN,AS4C64M32MD2A-25BIN,AS5F18G04SND-10LIN,AS1C512K16P-70BIN,AS4C8M32MSB-6BIN,AS7C38096B-10BIN,ASFC32G31T3-51BIN,AS29CF160B-55TIN,AS4C16M16SA-6TXN,AS7C31025C-12JIN,AS4C256M16D3LC,AS4C16M32MSB,AS7C31024B-XXTCN,M29F160FT55N3E2,AS4C16M32MSA,AS4C64M16MD2A-25BIN,AS4C32M16MSB-6BIN,M29F800FT55N3E2,AS25F1128MQ-70WIN,AS7C1024B-XXJCN,AS5F34G04SNDB-08LIN,AS29CF800T-55TIN,AS4C8M16SA-6BXN,AS4C4M16SA-6TXN,AS9F38G08SA-25BIN,AS7C31025B-12TJIN,N25Q064A13ESFA0F,AS25F364MQ-10WIN,AS4C32M8D1-5TXN,AS9F31G08SA-25BIN,AS4C256M16D4-83BXN,38096A,AS7C31025B-XXJIN,AS1C1M16P-70BIN,AS25F34MD-10S1IN,AS6C6416-55TIN,AS4C128M8D2A-25BXN,256B,AS4C64M4SA-7TCN,256A,AS4C16M16SA 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TXN,AS4C32M16MD1A,AS6C1616-55TIN,AS7C316098A,AS4C16M16MD1-6BCN,AS4C256M32MD4-062BAN,AS6C1016-55BIN,62256,1024B,AS29CF040-55CCIN,1024C,AS6C4008-55SIN,AS4C512M8D3LC-12BXN,AS6C4008-55PCN,AS4C64M16D3LB,AS6C1616B-55BIN,AS7C316096B-10TIN,AS4C8M32MSB,AS4C128M8D3B-12BXN,AS4C8M32MSA,AS4C4M16SA-7B2CN,AS5F31G04SND-08LIN,ASFC16G31M-51BIN,AS4C8M16SA-6TAN,AS4C32M16D1A-5TXN,AS4C128M16MD4V-062BAN,AS6C4008-70SAN,AS6C8008B-45BIN,AS4C32M16SB-7TXN,AS7C31024B-XXTJCN,AS4C8M32MD2A-25BCN,1025C,1025B,AS4C64M16MD1A,AS4C16M16SA -7BXN,AS7C32098A-XXTXN,AS25F304MD-10S1IN,AS7C3256A,AS25F1128MQ-70SIN,AS6C8016B-55ZIN,1026B,AS6C1608B-45BIN,M45PE16-VMW6TG,AS6C1016,AS6C4008-55BIN,AS7C351232,AS4C32M32MD1A,AS7C316096A-10TIN,AS4C8M16MSB-6BIN,M45PE20-VMN6P,34098A,AS4C256M16D3C-93BCN,AS4C16M32SB-6BXN,AS7C38096A-10TIN,AS4C8M16SA-6TCN,AS4C64M16D1-6TXN,AS6CE4016B-45BIN,AS6C2016,AS6C1616B-45TIN,AS7C256B-XXPIN,AS4C16M16MSB,AS7C1024B-XXJIN,AS7C34098A-XXTXN,AS7C1025B-XXJCN,AS4C8M16SA-6BAN,AS4C256M16MD4-062BAN,AS6C6264-55 SIN,AS4C64M16D,AS4C16M16SB-6TXN,AS6C62256-55STXN,AS4C8M16SB-6TIN,AS7C34096A-XXJXN,AS4C256M16D4A-62BXN,AS4C256M16D3C,AS7C316098 B,AS6C8008-55ZIN,6416,AS6C2008,AS6C4008-55STIN,AS4C32M16D1A,AS6C2008-55TIN,AS4C16M16MSB-6BIN,AS4C16M16MSA,AS4C4M32S,AS4C64M8D2,M29F800FB5AN6F2,AS4C64M8D1,AS7C316096B-10BIN,34096A,AS4C8M16SA-7BXN,AS7C31026B-XXJCN,AS7C31025B-XXJCN,AS4C32M8SA-6TXN,AS4C32M16D2A,AS7C32098A,AS4C32M16D2C,4008,AS4C64M32MD1-5BXN,AS4C8M16D1A,AS7C38096A-10BIN,AS4C1G16D4-062BCN,AS4C1G8D4A-62BXN,AS6C1616B-55TIN,AS4C64M32MD1,AS7C256C-XXPCN,AS6C6264-55 PIN,AS6C2008-55STIN,AS4C6,AS4C4M32S-7BXN,AS4C4M32D1A-5BXN,AS4C128M16D2-25BXN,AS6C8016B-45ZIN,AS4C16M16SB-7BXN,4016,AS4C8M32SA,AS4C4M32SA-6TXN,AS4C16M16SA -7TXN,AS25F316MQ-10S1IN,AS7C32096A,AS6C1008-55PIN,AS4C16M16SB-7TXN,AS4C16M16SA 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NOR FLASH+PSRAM合成芯片 64Mb以上容量，数据及地址线并行，有没有两颗可以兼容的型号。

NOR FLASH主要用于存储程序，而PSRAM（或SDRAM）则是用于存储运行时的数据，单独的NOR FLASH 和PSRAM（或SDRAM）芯片，在引脚封装、接口定义、主频上是不兼容的，所以不能用一个元器件的封装来兼容两个不同类别的存储器。但针对手机应用，由于体积和重量限制，是有用将NOR FLASH 和PSRAM封装到一起的存储器芯片的。目前我们代理的存储器品牌ALLIANCE，有用于手机的存储器DDR1（256Mb,512Mb,1Gb和2Gb，宽度16位和32位，主频166MHZ和200MHZ）,DDR2（1Gb,2Gb,4Gb和8Gb，宽度16位和32位，主频400MHZ和533MHZ）如：4Gb的AS4C128M32MD2，8Gb的AS4C256M32MD2和DDR3（16Gb,宽度32位，主频667MHZ）：16Gb的AS4C512M32MD3-15BCN，没有这种将NOR FLASH 和PSRAM（SDRAM）封装到一起的存储器芯片。

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