【产品】N沟道增强型场效应晶体管YJH03N06A，漏源电压为60V，漏极电流为3.0A
YJH03N06A是扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管，采用沟槽功率中压MOSFET技术，已100%通过▽VDS测试，非常适用于DC-DC转换器、电源管理功能等相关应用。
图1 YJH03N06A封装及电路图
YJH03N06A的漏源电压为60V，漏极电流为3.0A（@TA=25°C），适用于中压电路。采用高密度单元设计，具有低RDS（ON），最大不超过100mΩ（@VGS=10V, ID=3A），较低的导通电阻可有效降低开关损耗。总栅极电荷典型值仅为10.27nC（@VGS=10V,VDS=30V,ID=3A），可实现高开关速度。另外，结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有较强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。
YJH03N06A特点：
沟槽功率中压MOSFET技术
具有出色散热能力的封装
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
YJH03N06A应用：
DC-DC转换器
电源管理功能
YJH03N06A订购信息：
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