【产品】瑶芯微推出超结功率MOSFET AKS65N1M2KM,漏源电压最大额定值高达650V

2023-02-06 瑶芯微
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瑶芯微推出型号为AKS65N1M2KM超结功率MOSFET,该器件能为客户应用提供良好的FOM性能以及更优的EMI(电磁干扰)特性。

最大额定参数值和电气参数方面(TA=25℃,除非另有说明),器件漏源电压最大额定值高达650V,持续漏极电流最大额定值高达4A(TC=25℃,最大漏极电流额定值受限于器件封装),栅源电压最大额定值为±30V,器件耗散功率最大额定值为62.5W(TC=25℃),器件工作温度和存储温度范围均宽至-55℃~+150℃。器件主要应用于高频开关应用,快速充电器和适配器等应用领域。


器件特征

  • 低FOM RDS(ON)×QG

  • EMI特性更优

  • 100% UIS测试

  • 符合RoHS标准

  • 无卤器件


器件应用领域

  • 高频开关应用

  • 快速充电器和适配器


最大额定值(TA=25℃,除非另有说明)


热阻值

Note:

1.最大漏极电流额定值受限于器件封装;

2.重复额定值:脉冲宽度受最高结温限制;

3.L=100mH,VDD=150V,IAS=1.2A,RG=25Ω,TJ=25℃开始,设计保证

4.贴装在最小PCB板上;


电气参数(TJ=25℃,除非另有说明)


订购信息



授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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型号- RMA65R1K0SN,RMG70R650SN,RME60R190SF,RMK70R280SN,RMK65R380SN,RME70R650SN,RMF60R090SF,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMC60R190SF,RMC70R1K0SN,RMG65R1K0SN,RMC70R380SN,RMC70R650SN,RME65R380SN,RMD65R380SN,RMA70R650SN,RMC65R380SN,RME70R380SN,RMA65R650SN,RME65R280SN,RMC70R280SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMG70R1K0SN,RME70R280SN,RMA70R380SN,RMC65R280SN,RMC65R650SN,RMD65R650SN,RMD65R280SN,RMXXXRXXX,RME65R650SN,RMC65R600BN,RMA65R280SN,RMK65R280SN,RMD120N08S,RMA70R1K0SN,RMF65R041SF,RMK70R380SN,RMA70R280SN,RMG65R650SN,RMD070N10S

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