【产品】导通电阻17mΩ，恢复电荷为零的增强型eGaN场效应管
EPC（宜普电源转换公司）是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管。GaN器件在速度，损耗，效率等性能上相较于同类功率器件竞品优越很多。
其推出的EPC2202氮化镓场效应管（eGaN FET）在近日通过了AEC-Q101产品可靠性测试认证，采用了芯片级封装技术，具备卓越性能，属于增强型氮化镓场效应管。此器件可用于激光雷达/脉冲功率应用，高功率密度的DC-DC转换器，D类音频，高强度头灯等领域。
EPC2202氮化镓场效应管（eGaN FET）漏源连续电压最高为80V，漏极连续电流最高18A，脉冲电流最高75A；漏源通态电阻RDS(on)超低，在VGS=5V，ID=11A时，最大值仅为17mΩ，能够有效降低导通损耗，减少产热，提高芯片效率。同时它也有极低的栅极电荷QG，在VDS=50V，VGS=5V，ID=11A时，最大值仅为4nC，漏源恢复电荷为0，最大程度的降低了输出电荷的损耗，使开关转换时的噪声更低，提升了FET开关应用的品质因数。
EPC2202氮化镓场效应管（eGaN FET）采用芯片级封装技术，封装尺寸仅有2.1mm×1.6mm，大幅节省PCB空间，适合便携式紧凑型设备应用。此外，此器件的操作温度和存储温度均为-40℃~150℃，符合军品级器件的温度要求，能够胜任各种苛刻的应用环境，可靠性极高。
值得注意的是，EPC2202氮化镓场效应管（eGaN FET）同样通过了采用传统封装的器件的所有相同测试标准，说明它不仅有卓越的性能，还能够保障器件的坚固耐用和可靠。
EPC2202产品图
EPC2202氮化镓场效应管（eGaN FET）主要特点和优势：
·超高效率
·超低导通电阻（RDS(on)=17mΩ）
·超低栅极电荷（QG=4nC）
·超小封装尺寸（2.1mm×1.6mm）
EPC2202氮化镓场效应管（eGaN FET）主要应用领域：
·激光雷达/脉冲功率应用
·高功率密度的DC-DC转换器
·D类音频
·高强度头灯
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HQT45 Lv4. 资深工程师 2018-11-22厉害 -
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唉吆喂 Lv7. 资深专家 2018-11-16厉害 -
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李四 Lv7. 资深专家 2018-11-13这技术强啊
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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