【选型】国产高新企业美浦森解析中低压MOSFET选型五大要点
MOSFET选型关系到产品在应用中的稳定性及适用性，目前电源类产品当中，有注重质量的高端设备，也有附价值较低的产品，不同的产品对成本有着不同的要求，本文中国产品牌美浦森将探讨中低压MOSFET的具体选型，详细步骤如下：
1. 电压选型，MOS管的最小BV应满足
桥式（半桥、全桥、三相全桥）、BUCK、双管正激反激：大于最大输入电压；
BOOST：大于输出电压；
推挽：大于最大输入电压的2倍；
单管正激：和复位方式有关；
单管反激：UI+UO*N1/N2；
注意事项：应考虑极端情况下的电压尖峰：比如启动、浪涌、空载、重载、过流、短路等；考虑低温下MOS管BV的下降。
2. 电流选型，MOS管的最小ID应考虑：
MOS管表面的最高温度，根据损耗计算最高结温；
MOS管最大平均工作电流；
MOS管在极端环境下使用的峰值电流，如过流短路，满载启动；
MOS管的封装电流；
3.Vth选型
10-15V驱动供电：Vth=2-4V ,Vth=3-5V;
5V驱动供电：Vth=1-3V ；
2.7-3.3V驱动供电：Vth=0.7-1.5V 。
4. 沟道极性/封装
5. PD选型
RDSON损耗(随结温变化）；
ON/OFF损耗；
安全区域曲线；
动态热阻曲线；
美浦森半导体成立于2011年，是一家国家级高新企业，产品包括中大功率场效应管，SiC二极管、SIC-MOSFET等在LED电源，PD电源，PC和服务器电源，光伏逆变，UPS，充电桩，智能家居，BLDC，BMS，小家电等领域得到广泛应用。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由seven转载自美浦森，原文标题为:中低压MOSFET选型介绍，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【选型】一文教你中低压MOSFET如何选型
MOS选型关系到产品在应用中的稳定性及适用性，目前电源类产品当中，有注重质量的高端设备，也有附价值较低的产品，不同的产品对成本有着不同的要求，本文中国产半导体品牌美浦森就中低压MOSFET的具体选型进行介绍。
为电子烟雾化器量身锻造的多款SGT MOS，满足客户产能和性能需求
现代医疗的发展让大家越来越意识到传统烟草对人类生活的危害，戒烟的呼声也越来越高。电子烟作为传统烟草的替代品也越来越为人们接受，雾化器内置的DCDC电源作为电子烟的核心部件通过加热烟油从而起到传统烟草的效果。中低压MOSFET作为DCDC电源的核心部件，其性能对整个电子烟的性价比有着至关重要的影响，PDBG中低压MOS产品线针对电子烟量身锻造多款SGT MOS以匹配电子烟的需求。
华润微电子IGBT和SiC二极管，短路耐受力强，抗浪涌能力优异，适合UPS电源应用
华润微电子针对UPS应用，采用Trench FS技术，开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A的全系列化IGBT产品。针对UPS中电池双向DC/DC电路应用，可提供电压范围30V~200V，电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品，满足12V—72V电池电压需求。另外新推出的650V、1200V系列的SiC二极管，适于高频高效的高端UPS应用。
美浦森半导体携新款超高压VDMOS、超高压多层外延超结MOS等产品亮相2024慕尼黑上海电子展
2024慕尼黑上海电子展（electronica China）将于7月8日-10日在上海新国际博览中心举办。美浦森半导体在本次展会中推出了超高压VDMOS、超高压多层外延超结MOS、中低压SGT MOS产品系列。
美浦森开启第三轮实验室能力扩充，进一步提升器件测试、可靠性验证、失效分析、系统级应用测试能力
为了进一步提升自身分析能力并能更好的服务客户，美浦森计划在未来12个月内对实验室能力进行新一轮扩充，计划增加一系列检测能力。美浦森实验室(MS OpenLab)将在冯海科先生的带领下，进一步提升器件测试、可靠性验证、失效分析、系统级应用测试能力，致力于成为国内标杆检测实验室。
【选型】扬杰科技（YANGJIE）MOSFET（中低压/高压）选型指南
目录- 产品特点与应用 中低压MOSFET 高压MOSFET 封装尺寸图与焊接尺寸图 包装形态与可靠性测试项目
型号- YJB70N10A,YJD80G06A,YJ4N70Z,2N7002A,YJ12N65Z,YJQ2012A,YJC2007A,YJD25N15B,YJD90N02A,YJS2301A,YJS4435A,YJ8N60Z,YJQ55P02A,YJS4407B,2N7002KW,YJQ3400A,YJQ40P03A,YJS4407A,YJ2N65Z,YJL02N10A,YJD20N06A,YJS12N03A,2N7002K,YJP70N10A,YJL2303A,YJS10N02A,BSS123W,YJS8205B,YJSD12N03A,YJS05N06A,YJG30N06A,YJL3404A,YJL3416A,YJG80G06A,YJQC602B,YJS03N10A,YJL2304A,2N7002,YJQ1216A,YJS18N03A,YJ4N80Z,YJP25N15B,YJQ30N03A,YJQ53G06A,YJL3415A,YJQ10N02A,YJS15G10B,YJL2301G,VJG50N03A,BSS84,YJL2301F,YJL2301C,YJL2301D,YJL3407AL,YJD40G10A,YJ4N65Z,YJ7N60Z,YJP150N06AC,YJQ4666B,YJ10N65Z,2N7002W,YJQD30P02A,YJS4606A,YJL2302B,YJL05N04A,YJL2302A,YJS12N10A,YJQ03P02A,BSS123,YJL3401A,YJS05N15B,YJS2305A,YJD60N04A,YJQ20N04A,YJL03N06B,YJ12N60Z,YJL03N06A,YJD15N10A,YJQ35N04A,YJB150N06C,BSS138,YJ2N60Z,YJ7N70Z,YJL3400A,YJQ3622A,YJS7328A,YJS2022A,YJS9435A,YJD40N04A,YJD45P03A,YJS4438A,YJ10N70Z,YJD30N02A,YJL2312A,YJG105N03A,YJ8N65Z,YJS3404A,YJD100G10A,YJ4N60Z,YJD60N02A,YJQ3415A,YJ7N80,YJ7N65Z,YJQ35G10A,YJS12G06A,2N7002KDW,YJG53G06A,YJG20N06A,YJS10N04A,YJ12N70Z,YJL3401AL,YJL2305A,YJL2305B,YJG15N15B,YJG18N10A,YJL03G10A,YJG130G04A,YJG85G06A,YJL07P03AL,VJL2300A,YJL3407A,YJS4953A,YJ10N60Z,YJQ2301A,YJD80N03A,YJD50N03A,YJD80N03B,YJQ50N03B
美浦森基于2.4μm工艺平台开发的最新一代FS+Trench IGBT，动静态参数及损耗数据表现出色
美浦森不断研究最新的IGBT芯片技术，取得多项专利。本次在12吋晶元2.4um工艺平台开发的最新一代的 FS+Trench IGBT系列。美浦森最新一代IGBT：工艺平台2.4μm，归一化面积95，短路10μs+，静态1.62V，开关损耗4330μJ，耐压1300+，RBSOA 关断4倍以上额定电流。
龙夏电子（Long-Tek）中低压MOSFET和TMBS（沟槽肖特基二极管）选型指南
目录- 公司简介 技术路线和应用领域介绍 MOSFET/TMBS 产品技术介绍 MOSFET/TMBS 产品列表 品质管理和测试设备介绍
型号- LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D10N45IG,D14N45I,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR025N04T3,M10N100SC,LR049N08SA4,M26N100S,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,M28N90S,D10N45I,LR022N08S3,D74N100T,M56N40T,LR023N04T2,M36N100,LR027N10S2,M26N95SA,LR038N10S2,LD50N45SOS9,LD20N45SHS6,LR012N04S10,LD40N45SNS9,LR040N10S3,LD35N45SMS6,LR032N08S10,D45N100T,D13N45IA,LR037N10S0,LR022N04T8,D324N45P,LD50N45SLD9,LD40N45SKD2,LR020N08S0,D13N45IU,LR022N10S10,M21N95SA,LR078N10S4,LD20N45SHS2,LD20N45SHS3,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,M17N100SF,LR055N09S3,D16E45SE,D23N45IU,D19E45SEG,LR038N08S1,D19E45SE,LR038N08S2,LR038N08SA10,LD25N45SHD9,LR032N08S1,LR035N08S3,LR032N08S0,LR018N10S10,LR067N08S8,LR032N08S2,LD30N100T3,LR067N08S4,M17N100S,LR074N09S4,LR020N08S10,D13E45SD,D23N45IM,LR051N95S2,M21N80SA,M36N95S,D23N45IL,LR072N10SL4,LD45N45SOS6,D36N68TG,LD30N45SLS9,M31N80SA,D50N100S,LR052N10S2,LD50N45SKD9,LR022N10S0,LR046N08SA10,LR063N08S2,TSR40L100CTF,LR072N09S8,LR072N09S3,D23N45I,D14N45IU,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,M26N40S,M31N95SA,M28N95S,M36N68TN,LD20N100T3,LD30N45SKS6,D37N100T,LD30N45SKS2,LD30N45SKS3,LD30N45SKS9,LR055N10S3,LR041N08SA3,D11N45S,LR049W08S1,LD25N45SJS6,LR032N10S10,LR065N08S3,M36N80S,LD25N45SJS2,LR052N95S8,M10N80S,M26N80SA,LR069N09S2,LR045N10S1,D250N45P,LR045N10S3,D27N100T,LR042N10S2,D11N45SU,D13N45I,LM120N08S1,LD10N100T2,LD10N100T3
台懋授权世强硬创代理中低压MOSFET，产品具备高耐压、低损耗、高速开关特性
台懋产品广泛应用于LED照明、车灯、动力锂电池保护板、马达驱动、电动工具、家电智能控制、电动车电源、充电桩等领域。
国产紧凑型表面贴片封装DFN8*8全新上线，无引脚设计，封装高度仅1mm
国产品牌美浦森半导体应时代所需，及时推出紧凑型表面贴片封装DFN8*8。与传统封装相比，贴片封装外形大大减少了封装尺寸大小，优化了体积和空间占比，因其无引脚设计，相对于TO-252和TO-263而言，寄生电感更低，提高封装的散热能力。
【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
目录- 高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)
型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12N70C,MS2H32120GI,MSNP06065G1,SIF11N50S,SLF12N70C,SIF8N60C,SLF80R380SJ,SLD5N50S2,SLF10N65C,SLF80R240SJ,SIF13N50C,SLF18N50S,SLF12N65S,SLD2N65UZ,SLF60R100S2,SLF10N65S,SIF13N50U,SLF60RW0S2,SLF730C,SLF60R380S2,SLH60R080SS,MSP10O65O1,SLF18N50C,SLF12N65C,SLD65R700S2,MSP10065V1,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLH60R042SS,SLF16N50S,SLD2N65U2,MS2H20120G1,MSD05120G1,MSF10065G1,SIF16N50S,SLF5N60S,SLF70R900S2,SIF18N50S,SLF60R160S2,SLF70R420S2,SLF16N50C,SL080R600SJ,MSP08065G1,SL060R1K3SJ,MSH20120G1,SLF5N60C,SIF18N50C,SLF50R240SJ,MSP06065V1,SLFS0R140SJ,SLF60R190S2,SLF740C,MS2H32120G1,SLD80R500SJ,SLF60R280S2,MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,SLD65R420S2,MSD10120G1,MSP160Q5V1,MSF10120G1,S4.F5N60S,MSNP0606SG1,SIF8N65C,SLF20N50S,STF5N65C,MSP20065G1,SLF65R190S2D,SIF840C,SLD80R380SJ,SLF60R190S2D,SLF60R190SJ,SLF20N50C,SLD80R240SJ,SLF70R&O0S2,SLF8N65C,MSH040120M1,SI.F20N50S,SLF65R950S2,MS010120G1,SIF730C,SLF8N65S,SLF1DN60S,MS2H40065G1,SLF40N26C,MSP10120G1,MSP06065G1,SLF70R600S2,SIF8N65S,SLD840UZ,SLH50R060SJ,SLF7N70C,MSH160120M1,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF12N60S,MS2H32065G1,SLF65R300S2,MSP10065G1,SL080R500SJ,MS2H32065O1,STD5N50S,MS0MCMJ5G1,SLH50R100SJ,SIF60R190S20,MSP16065G1,SLF10N60S,MSP04065V1,SLF12N60C,SLF840C,SLF60R650S2,MSNP10065G1,MSNP0606501,MSM20120G1,SLFS0R240SJ,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF60R850S2,S10640UZ,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF50R140SJ,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50U,$LDE5R420$2,SLF7N80C,SLF65R240S2
对于类似Postive Lock这样的电源类产品，如果遇到一次要插入多颗的产品，会不会有插错的风险在？
TE Connectivity系列新品Positive Lock Multi-position 多位连接器能很好满足满足行业对提高制造效率和简化零件装配的需求。多位连接器旨在与印刷电路板(PCB) 上的多位插片实现高效及快速的连接，解决了原先低效，重复性的连接模式。同样地，正向锁定功能和防呆设计外壳可防止由于半插或误插而引起的高额产线损失。同时结合新一代F-spring结构端子和其创新闩锁设计，可满足更低插入力需求 (<15N/每位), 更好地实现轻松便捷可靠连接。更低插入力(<15N/每位)，更顺畅连接，外壳双面突出斜坡设计，提升握持手感，降低操作疲惫，正向锁定系统确保可靠连接，提供高保持力，正确连接时提供声感回馈，向后拉动外壳，开启解锁功能即可轻松与插片分离，高强度的机械设计降低装配过程中损坏的可能性。
【应用】平面VDMOSFET SLF5N50S助力350W PC电源，TO-220F封装实现小体积设计
本文介绍美浦森平面VDMOSFET SLF5N50S在350W PC电源双管正激电路使用优势。SLF5N50S的VDS电压是500V，适合整流输出电压为300~400v的使用环境，并留有足够的防击穿余量；导通电阻最大为1.5Ω，持续漏极电流3A@Tc=100℃，峰值电流达20A，满足工作电流要求，同时导通低，有效减少器件发热量，保证产品安全可靠。
电子商城
服务
可定制板装式压力传感器支持产品量程从5inch水柱到100 psi气压；数字输出压力传感器压力范围0.5~60inH2O，温度补偿范围-20~85ºС；模拟和数字低压传感器可以直接与微控制器通信，具备多种小型SIP和DIP封装可选择。
提交需求>
可根据用户端子定制线束，制程能力：Min: 0.13mm2、Max: 120mm2；具有设计方案验证、定案、样品交付及量产快速响应能力。
最小起订量： 1000pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论