正芯推出的N沟道增强型MOSFET晶体管RC3134KM3，具有出色的RDS(ON)与低栅极电荷，可用于电源开关
正芯推出的RC3134KM3是N沟道增强型MOSFET晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的RDS(ON)与低栅极电荷。该器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。
特点：
VDS= 20V
ID= 1.4A
RDS(ON)≤ 230mΩ(VGS=4.5V)
应用：
DC-DC转换
电源开关
充电电路
绝对最大额定值 (@TJ=25°C 除非另有说明)
热特性
电气特性 (@TJ=25°C 除非另有说明)
反向二极管特性（@TJ=25°C 除非另有说明）
A： RθJA的值是在TA=25°C的自然环境中，将器件安装在有2盎司铜皮的1in2 FR-4板上测量的。在任何给定应用中的值取决于用户的特定板设计。
B： 重复额定值，脉冲宽度受结温限制。
C： 电流额定值基于t<10s结与环境热阻的额定值。
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正芯MOSFET选型表
正芯提供以下技术参数的MOSFET选型，包含：N沟道MOSFET、P沟道MOSFET、N+P沟道MOSFET。Vdss（耐受的最大电压）：-100V~650V，Id（能通过的电流）：-100A~165A，Pd（承受最大功率）：0.01W~195W，Rds（导通电阻）：0.65mΩ~1350mΩ等
|
产品型号
|
品类
|
Polarity
|
V(BR)DSS(V)
|
Id(A)
|
Pd(W)
|
VGS(V)
|
IDM(A)
|
Typ RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
Max RDS(on)(mΩ)@VGS=4.5V
|
|
RC2312
|
MOSFET
|
N
|
20V
|
7A
|
0.35W
|
±8.0V
|
20A
|
15mΩ
|
25mΩ
|
选型表 - 正芯 立即选型
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