正芯推出的N沟道增强型MOSFET晶体管RC3134KM3，具有出色的RDS(ON)与低栅极电荷，可用于电源开关

时间： 2023-06-28 来源：正芯

技术问答

正芯推出的RC3134KM3是N沟道增强型MOSFET晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，提供出色的R_DS(ON)与低栅极电荷。该器件适合用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。

特点：

V_DS= 20V
I_D= 1.4A
R_DS(ON)≤ 230mΩ(V_GS=4.5V)

应用：

DC-DC转换
电源开关
充电电路

绝对最大额定值 (@T_J=25°C 除非另有说明)

热特性

电气特性 (@T_J=25°C 除非另有说明)

反向二极管特性（@T_J=25°C 除非另有说明）

A： R_θJA的值是在T_A=25°C的自然环境中，将器件安装在有2盎司铜皮的1in² FR-4板上测量的。在任何给定应用中的值取决于用户的特定板设计。

B：重复额定值，脉冲宽度受结温限制。

C：电流额定值基于t<10s结与环境热阻的额定值。

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