【产品】长晶科技推出TO-220-3L-C塑料封装的N沟道功率MOSFET，最大总栅极电荷212nC

时间： 2023-04-28 来源：长晶科技

技术问答

长晶科技推出一款采用TO-220-3L-C塑料封装的N沟道功率MOSFET——CJP120SN08 ，该器件采用屏蔽栅沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，广泛适用于多种应用。

特点：

低漏源导通电阻R_DS(on)

低栅极电荷

应用：

高效电源

二次同步整流器

绝对最大额定值参数（T_a=25℃，除非特别说明）：

电气参数（T_a=25℃，除非特别说明）

注：

1.T_C=25℃，仅受允许的最高温度限制

2.P_W≤10μs，占空比≤1%

3.EAS条件：起始T_j=25℃，V_DD=25V，V_G_S=10V，L=0.1mH，R_g=25Ω

4.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%

5.由设计保证，不受产品限制

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