【产品】国产7V单线单向TVS二极管SEP0711P6,峰值脉冲功率为2160W,结电容最大值为1000pF
萨瑞微电子推出的一款7V单线单向TVS二极管SEP0711P6,利用先进的单片硅技术,可提供快速响应时间和低ESD钳位电压特性,使该器件成为保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。
绝对最大额定参数和电气特性方面,当TA=25℃,RH=45%~75%时,器件峰值脉冲功率为1600W@tp=8/20μs,峰值脉冲电流为80A@8/20μs,其结电容最大值为550pF@VR=0V,f=1MHz,反向漏电流最大值为1.0µA@VRWM=7V,钳位电压最大值低至10V@IPP=10A(8x20µs脉冲),击穿电压最小值为8V@IT=1mA,产品符合IEC 61000-4-2(ESD)标准,可提供±30kV空气放电和±30kV接触放电的ESD防护等级,工作温度范围为-55℃~+125℃,存储温度范围为-55℃~+150℃,器件采用DFN1610-2L小尺寸封装和高ESD浪涌保护能力,使其成为保护手机、数码相机、电池保护和许多其他便携式应用的理想选择方案。其电路图和引脚配置如下图所示:
产品特点
结电容最大值为550pF@VR=0V,f=1MHz
工作电压:7V
低钳位电压
2引脚无引线封装
符合RoHS标准
机械特性
封装:DFN1610-2L(1.6x1.0x0.5mm)
引脚处理:雾锡
外壳材料:绿色环保塑封
阻燃等级UL 94V-0
湿度敏感度:3级(J-STD-020标准)
产品应用
手机、数码相机
电池保护应用
电源线保护应用
移动设备中的Vbat引脚保护应用
手持便携式设备应用
绝对最大额定参数(TA=25℃,RH=45%-75%,除非另有说明)
电气特性(TA=25℃)
产品标记和订购信息
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萨瑞微电子ESD保护器件选型表
萨瑞微提供的ESD保护器件(ESD Diode),先进的单片硅技术,保护电压敏感的数据和电源线;符合IEC-6100-4-2 4级ESD标准(±30kV空气和±30kV接触)放电电压;符合IPC/JEDEC J-STD-033C MSD 3级标准;超小尺寸DFN封装;主要应用于手机和配件、个人数字助理、笔记本和手持设备、便携式仪器、数码相机、外围设备、音频播放器、键盘、侧键、LCD显示器等。
产品型号
|
品类
|
极性
|
Max Reverse Working Voltage VRWM(V)
|
Junction Capacitance Cj(pF)
|
Peak Pulse Current IPP@8/20uS(A)
|
Min Breakdown Voltage VBR(V)
|
Max Breakdown Voltage(V)
|
Max Leakage Current IR@VRWM(uA)
|
Max Clamping Voltage VC@lpp1A 8/20uS(V)
|
Max Clamping Voltage Vc@Ipp=Max Clamping Voltage(V)
|
Max Peak Pulse Power PPP(W)
|
Marking
|
SEL0201P0
|
ESD Diode
|
双向
|
2.5
|
20
|
8
|
3.1
|
4.5
|
0.2
|
4.2
|
7
|
55
|
C02
|
选型表 - 萨瑞微电子 立即选型
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