全球首款替代功率MOSFET器件的EPC硅基增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）,效率高达98%
EPC（宜普电源转换公司）是目前世界上最大的eGaN FET供应商，于2009年6月推出了全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）。
EPC eGaN FET产品具有小尺寸、高开关速度、高频率、高功率密度以及低损耗等突出优势，在性能上比硅材料的功率器件优越很多。EPC eGaN FET能够以更高的开关速度工作，所以转换器可以比硅MOSFET工作在更高频率之下，并且产生更低的能源消耗。EPC eGaN FET技术的整体优势是通过更高的开关速度获得更优越的性能，加上其固有的低开关损耗，可以比传统MOSFET技术更加节约能源。另外，EPC eGaN FET较低的损耗能够为其提供优越的散热性能。其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达（LiDAR）及D类音频放大器等。
EPC eGaN FET产品包括单路eGaN FET、半桥eGaN FET和同步启动的双路eGaN FET。
EPC 小尺寸单路eGaN FET：采用小尺寸的LGA和BGA封装，尺寸最小至0.9mm x 0.9mm，这种封装可以减小电路板面积、杂散电感和寄生电阻。单是在封装方面的优势便使得EPC氮化镓器件的制造成本被降低一半。
推荐型号：EPC2001C、EPC2007C，EPC2016C，具备纳秒级开关速度，以及更精确、更小的脉冲。提供极小的封装尺寸，更高的功率密度和更低的电感，并集成激光二极管。此外，还具有更高的效率和脉冲重复率。这三款器件是激光雷达的理想选择，为其提供优越的解像度和快速反应时间。
EPC 超低导通电阻半桥eGaN FET：低功耗、高效率的典型代表，内含36个PN结，具备超低导通电阻（RDS(ON)）,最低可达2mΩ，极大地降低了系统损耗。
推荐型号：EPC2104，EPC2105，在22A电流条件下其系统效率可超过97%，具有超过10MHz的高频率操作，采用了高密度引脚和低导通电阻封装。这两款器件可用于高频率DC/DC转换器中，为其提供低传导损耗、低驱动功率，并提高输出功率及效率。
EPC高可靠性双路eGaN FET：具备高可靠性，800万器件小时应力测试无失效，可有效延长产品开发人员应用设计的生命周期。
推荐型号为EPC2107，EPC2108，工作温度范围为-40℃~+150℃，可轻松应对极端温度环境；高频率、高效率以及地导通电阻等特性使其非常适用于无线充电、DC/DC转换器等领域，为其提供足够快的开关速度。
世强是EPC官方授权一级分销商，可供应EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）, 备货充足，可根据项目提供最佳价格支持。用户还可在世强元件电商平台获取EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）最新产品资讯及技术、官方资料，获得EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）选型、解决方案、技术支持等服务资源。
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高速、高准确性激光雷达的秘密——EPC氮化镓场效应晶体管
EPC旗下的EPC2001C、EPC2007C氮化镓场效应晶体管，搭配使用EPC9126开发板，可以使得LiDAR系统具备优越的解像度及更快速反应时间等优势，由于可实现优越的开关转换，因此可推动更高准确性。
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型：配置：Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101，VDS最大值（V）：15~350V；VGS最大值（V）：5.75~7V
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
|
Package(mm)
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Launch Date
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|
EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
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86
|
67
|
20
|
3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
【经验】氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关
激光雷达（LiDAR）是一种远距感测技术，从感测器发射光脉冲，并记录反射光线的时间，从而映射物件的位置及距离，本文介绍了氮化镓场效应晶体管如何融合激光雷达技术，实现极具性价比脉冲激光驱动电路开关，应用诸如自动驾驶汽车及驾驶辅助系统（ADAS）。
面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路应用简介
描述- 本文介绍了面向USB-C PD快速充电器的氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET）和集成电路的应用。这些器件通过微型化、高效率和出色的散热性能，实现了快充所需的最高功率密度和小尺寸。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括低功耗、小尺寸、高散热效率以及无反向恢复等，并提供了相关器件型号和配置的详细信息。
型号- EPC2212,EPC2010C,EPC2059,EPC2034C,EPC9003C,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2019,EPC2052,EPC2051,EPC2032,EPC2053,EPC9047,EPC2033,EPC9062,EPC9048C,EPC2204,EPC2207,EPC9010C,EPC2007C,EPC9078,EPC9035,EPC2045,EPC9014,EPC2022,EPC9097,EPC90123,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC90124,EPC9091,EPC9006C
【选型】氮化镓场效应晶体管EPC2045用于多线激光雷达，脉冲电流130A，耐压100V
某客户在研制一款多线激光雷达，需要用到一款效应晶体管，要求高频率，耐压可达100V ，脉冲电流至少120A。依据客户要求，我们推荐了EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2045，脉冲电流可达130A，耐压可达100V，RDS典型值5.6mΩ。
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。
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产品型号
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品类
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最大耐压（V）
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持续电流(A)
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导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装（mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
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0.745nC
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28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
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选型表 - EPC 立即选型
【白皮书】EPC（宜普）氮化镓场效应晶体管FET电气特性（WP007）
描述- 本文介绍了eGaN FETs的基本电气特性，并与硅MOSFET进行了比较。了解这两种技术的异同，是了解如何改进现有的电力转换系统的必要基础。
太阳能应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路应用简介
描述- GaN FETs和ICs在太阳能应用中因其高效能、小尺寸、轻重量和长寿命等显著优势而被广泛采用。GaN器件适用于太阳能电池板优化器、微型逆变器、多电平逆变器等，能够提高功率密度，降低开关损耗，并实现更高的效率。与硅MOSFET相比，GaN器件具有更低的导通电阻和开关损耗，更小的尺寸，以及更高的可靠性，适用于宽范围的太阳能系统操作条件。EPC公司提供的GaN器件和解决方案，包括EPC2204、EPC2088、EPC2071等，能够满足不同功率等级和拓扑结构的需求。
型号- EPC2059,EPC2215,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC2252,EPC90140,EPC23104,EPC90156,EPC90153,EPC2308,EPC2307,EPC90133/,UP1966E,EPC2302,EPC2304,EPC2204,EPC2306,EPC2207,EPC2206,EPC2305,EPC90151,EPC2361,EPC90152,EPC2088,EPC90150,EPC90122,EPC90123,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90146,EPC90124,EPC90147,EPC2619
电子商城
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.6384
现货： 2,417
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格：￥5.9251
现货： 2,357
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥29.9121
现货： 465
品牌：EPC
品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge
价格：￥30.1032
现货： 0
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