【产品】N沟道碳化硅MOSFET ASC30N1200MT3,静态漏源导通电阻典型值80mΩ
ASC30N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET。该器件采用全新技术,与硅相比,可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸,也确保了该产品具有低电容和栅极电荷。系统的优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。
绝对最大额定值(Tc=25℃)方面,其漏源电压为1200V,Tc=25℃时的漏极电流(连续)为32A,漏极电流(脉冲)高达80A,耗散功率(Tc=25℃)为145W。TJ=25℃条件下,其静态漏源导通电阻的典型值为80mΩ(VGS=20V,ID=20A)。该器件可用于EV充电、高压DC/DC转换器、开关模式电源、功率因数校正模块领域,其产品外形及内部电路如下图所示。
特点:
• 低电容高速开关
• 高阻断电压,低RDS(on)
• 易于并联,驱动简单
• 符合ROHS标准,无卤素
应用:
• EV充电
• 高压DC/DC转换器
• 开关模式电源
• 功率因数校正模块
订购信息:
绝对最大额定值(Tc=25℃)
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产品型号
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品类
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Package
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Voltage(V)
|
RON(mohm)
|
Temperature Range(℃)
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Status
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ASC8N650MT3
|
SiC Chips
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TO-247-3
|
650V
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320mohm
|
-40~175℃
|
Development
|
选型表 - 爱仕特 立即选型
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实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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