【产品】N沟道碳化硅MOSFET ASC30N1200MT3，静态漏源导通电阻典型值80mΩ

时间： 2022-07-22 来源：爱仕特

技术问答

ASC30N1200MT3是爱仕特推出的一款N沟道碳化硅MOSFET。该器件采用全新技术，与硅相比，可提供卓越的开关性能和更高的可靠性。其低导通电阻和紧凑的芯片尺寸，也确保了该产品具有低电容和栅极电荷。系统的优势包括最高效率、更快的工作频率、更高的功率密度、更低的EMI和更小的系统尺寸。

绝对最大额定值（T_c=25℃）方面，其漏源电压为1200V，T_c=25℃时的漏极电流（连续）为32A，漏极电流（脉冲）高达80A，耗散功率（T_c=25℃）为145W。T_J=25℃条件下，其静态漏源导通电阻的典型值为80mΩ（V_GS=20V，I_D=20A）。该器件可用于EV充电、高压DC/DC转换器、开关模式电源、功率因数校正模块领域，其产品外形及内部电路如下图所示。

特点：

• 低电容高速开关

• 高阻断电压，低R_DS(on)

• 易于并联，驱动简单

• 符合ROHS标准，无卤素

应用：

• EV充电

• 高压DC/DC转换器

• 开关模式电源

• 功率因数校正模块

订购信息：

绝对最大额定值(T_c=25℃)

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